金属-半导体接触中的能带、势垒和电荷分布

这张图分为四部分，描述了金属-半导体接触的物理特性，包括肖特基势垒的形成、能带弯曲、电荷密度分布和电场分布。

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(a) 金属与半导体未接触时的能级结构

1. 描述：

   • 左侧是金属的能带结构，右侧是半导体的能带结构。
   • 关键能级：
     • $E_F$：费米能级，表示系统中的电子化学势。
     • $q{\varphi }_m$：金属的功函数，表示费米能级 $E_F$ 到真空能级之间的能量差。
     • $q{\varphi }_s$：半导体的功函数，表示半导体费米能级到真空能级之间的能量差。
     • $q\chi$：半导体的电子亲和能，导带底部 $E_C$ 到真空能级之间的能量差。

2. 解释：

   • 此时，金属和半导体处于分离状态，费米能级未对齐。
   • 在接触前，金属和半导体各自的电子能级相互独立。

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(b) 金属与半导体接触后的能带结构

1. 描述：

   • 费米能级 $E_F$ 在接触后会趋于对齐，系统达到热平衡。
   • 由于金属和半导体的功函数不同，导致电子从费米能级较高的一侧向较低的一侧流动。
   • 形成肖特基势垒 $q{\varphi }_{Bn}$，其大小为：
     q ϕ B n = q ( ϕ m − χ ) q\phi_{Bn} = q(\phi_m - \chi)