掺杂浓度对金属-半导体接触的性质

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1. 肖特基接触与掺杂浓度的关系

• 低掺杂浓度下：
  • 当金属的功函数 ${\varphi }_m$ 大于半导体的功函数 ${\varphi }_s$ 时，接触界面会形成一个明显的 肖特基势垒 ${\varphi }_B$。
  • 在低掺杂浓度下，半导体的费米能级离导带较远，势垒宽度较大，电子难以穿过势垒。此时电流主要通过 热电子发射 机制进行传输。
  • 表现：
    • 接触电阻 $R_c$ 较大。
    • 电流呈现非线性 $I-V$ 特性，符合肖特基接触的性质。
• 结论： 低掺杂浓度时，金属-半导体接触表现为 肖特基接触。

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2. 高掺杂浓度下的变化

• 当半导体的掺杂浓度 $N_D$ 提高时，会导致以下两个关键变化：

  1. 势垒宽度变窄：
     • 掺杂浓度越高，半导体空间电荷区（耗尽层）的宽度 $W$ 会减小，具体关系为：
       $$W\propto \frac{1}{\sqrt{N_D}}$$
       这使得金属-半导体界面上的势垒变得非常窄。
  2. 隧穿效应增强：
     • 势垒变窄后，电子可以通过 量子隧穿 穿过势垒，而不需要克服势垒高度。
     • 此时，电子传输的主要机制从热发射转换为隧穿电流。

• 表现：

  • 接触电阻 $R_c$ 显著降低。
  • 电流-电压特性趋近于线性，表现为 欧姆接触 的性质。

• 总结：

  • 高掺杂浓度下，尽管势垒高度 ${\varphi }_B$ 依然存在，但隧穿效应主导，接触逐渐表现为 欧姆接触。

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3. 欧姆接触与肖特基接触的区别总结

特性	肖特基接触	欧姆接触
功函数关系	${\varphi }_m>{\varphi }_s$	${\varphi }_m\approx {\varphi }_s$ 或更低
掺杂浓度	低掺杂浓度	高掺杂浓度
势垒高度 ${\varphi }_B$	存在明显势垒，高势垒限制电子传输	势垒很低或非常窄，电子自由流动
电流传输机制	热电子发射为主	隧穿电流或多数载流子传输为主
接触电阻 $R_c$	较高，随势垒高度呈指数关系	较低，随势垒宽度和掺杂浓度降低
电流-电压特性	非线性 $I-V$ 特性	线性 $I-V$ 特性

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4. 关键理解

1. 低掺杂浓度： 势垒宽度较宽，热发射主导 → 肖特基接触。
2. 高掺杂浓度： 势垒宽度变窄，隧穿电流主导 → 接触表现为 欧姆接触，但势垒高度依然存在。

因此，掺杂浓度的提高可以使金属-半导体接触从肖特基接触逐渐过渡到类似欧姆接触的状态。