P/N 结和耗尽区相关知识整理

参考链接:

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1.PN结：

 	用不同的掺杂工艺，通过**扩散作用**，将P型半导体与N型半导体制作在同一块半导体（通常是硅或锗）基片上，在它们的交界面就形成**空间电荷区**称为PN结。

2.N型半导体

（N为Negative的字头，由于电子带负电荷而得此名）****：
掺入少量杂质磷元素（或锑元素）的硅晶体（或锗晶体）中，由于半导体原子（如硅原子）被杂质原子取代，磷原子外层的五个外层电子的其中四个与周围的半导体原子形成共价键，多出的一个电子几乎不受束缚，较为容易地成为自由电子。于是，N型半导体就成为了含电子浓度较高的半导体，其导电性主要是因为自由电子导电。 负电荷

3.P型半导体

（P为Positive的字头，由于空穴带正电而得此名）：掺入少量杂质硼元素（或铟元素）的硅晶体（或锗晶体）中，由于半导体原子（如硅原子）被杂质原子取代，硼原子外层的三个外层电子与周围的半导体原子形成共价键的时候，会产生一个“空穴”，这个空穴可能吸引束缚电子来“填充”，使得硼原子成为带负电的离子。这样，这类半导体由于含有较高浓度的“空穴”（“相当于”正电荷），成为能够导电的物质。

4.扩散运动

当P型半导体和N型半导体相接触时，由于两种半导体的掺杂原子种类和浓度不同，会产生电子和空穴的扩散运动。

在P型半导体中（+），空穴浓度较高，电子浓度较低
在N型半导体中（-），电子浓度较高，空穴浓度较低

由于电子和空穴的扩散运动，P型半导体和N型半导体之间形成了一个电势差，并产生了电场。这个电势差和电场在PN结的两侧形成了一个电势垒。

5.耗尽区

耗尽区是指PN结中的一段区域，在该区域中，由于P型半导体和N型半导体之间的掺杂浓度不同，形成了内建电势，导致少量的自由载流子在该区域中被剥离，而形成极低的载流子浓度。

掺杂浓度：空间电荷区的掺杂浓度很低，几乎没有自由载流子，而耗尽区的掺杂浓度高，但是在PN结中心区域，因为掺杂浓度的变化，形成了耗尽区，其中的载流子浓度非常低。

当施加外加电压时，如果电压反向偏置，耗尽区的宽度会增加，内建电势也会增大，进一步减少耗尽区的载流子浓度；

如果电压正向偏置，耗尽区的宽度会减小，内建电势也会减小，少量的自由载流子会从N型半导体向P型半导体移动，从而形成电流。

耗尽区的宽度通常是几十纳米到几百纳米之间，是PN结的关键部分。在PN结的整流、放大、开关等器件中，耗尽区起到了重要的作用。