[笔记]PN结二极管(2)

4、结击穿

​ PN结高压反偏工作时，电流突然急剧增 大的现象被称为结击穿；此时的电压称为击穿电压（VBD）。主要有热不稳定性、隧道（齐纳）击穿和雪崩击穿三种机制。

热不稳定性

​ PN结较高电压反偏工作时，反向电流增 大导致结温的增加，反过来大幅增加反向电流，由此形成正反馈（微分负电阻），进一步放大反向电流，形成热击穿。

​ 热击穿主要发生在带隙比较窄（例如Ge）的功率器件中，需要外接限流电阻来限制热击穿的形成。

​ 温度对反向漏电流的影响： 随着温度的升高，反向漏电流 JR 显著增加。这是由于高温下热激发产生的载流子浓度增加所致。

​ 击穿电压的变化： 图中有一个标记为 VC的电压值，代表了击穿电压。曲线在接近 VC时电流急剧上升，说明超过 VC 时器件进入了击穿状态。可以推测，在更高温度下，击穿电压可能会有所降低。

​ 不同温度下的功率一定线： 图中标注了“功率一定”区域，这表明在该区域，功率保持恒定。在不同的温度下，功率一定的曲线呈现出不同的倾斜程度。这反映了在高温下，器件需要通过降低电流密度来保持恒定的功耗，否则温度升高会导致功耗增加，进而影响器件的可靠性。

​ 电流密度的恒定区域： 图中还标记了“ J0 恒定”区域，这表明在某些特定温度范围内和电压条件下，电流密度可能保持相对恒定。这通常是由于温度的变化幅度较小时，器件的特定工作点上的电流变化不大。

​ 漏电流与电压的关系： 随着反向电压的增加，反向漏电流也逐渐增加，这种关系通常是半导体器件在反偏条件下的典型表现。在高电压和高温度条件下，这种增加的趋势更为明显。

齐纳(隧道)击穿

• 量子隧穿原理

​ 经典理论中载流子完全被能量势阱限制； 但在量子理论中，载流子波函数不会完全被能量势阱限制住，有一定几率进入并穿透势垒形成隧穿。

​ 当电子在偏压下产生量子隧穿的必要条件为：隧穿一侧存在一定概率电子占据；另外一侧，和占据一侧的相同能级上未被占据；被隧穿的能量势垒宽度足够窄，高度较低，具有有限的隧穿几率；隧穿过程满足动量守恒。

$$T_t=\frac{{\left|{\psi }_B\right|}^2}{{\left|{\psi }_A\right|}^2}{\left[1+\frac{U_0^2{\sinh }^2\left(k|W|\right)}{4E(U_0-E)}\right]}^{-3}\approx 16\frac{E(U_0-E)}{U_0^2}\exp \left(-2[{\frac{m^{\ast }(U_0-E)}{\hslash }}^{\frac{1}{2}}]W\right)$$

​ 将隧穿几率和A区载流子分布状态（FA）、 数量（NA）及B区的载流子允许分布状态 （FB） 、数量（NB）相乘并积分可得穿过该势垒的隧穿电流密度

$$J_t=\frac{q{m}^{\ast }}{2{\pi }^2{\hslash }^3}\int F_A{N}_A{T}_t(1-F_B)N_{B}dE$$

• PN结齐纳（隧道）击穿

​ 重掺杂pn结反偏或普通pn结施加足够大偏压时由于能带大幅弯曲，形成导带与价带间的较薄能量势垒隔离，容易出现载流子通过带隙的直接隧穿现象。

• 齐纳击穿中的隧穿电流

​ 将隧穿势垒近似为三角形势垒，考虑导带、 价带的电子占据与未占据几率，运用上述一般理论公式，可计算出隧穿电流。

​ 依据上述公式，按照三角形势垒（势垒宽度 W，高度Eg）来简化计算隧穿几率
$$\begin{gathered} T_t\approx \exp \left(-\frac{4\sqrt{2m^{\ast }}{E}_g^{3/2}}{3qE\hslash }\right) \\ {J}_t=\frac{\sqrt{2m^{\ast }}{q}^{3}E{V}_R}{4{\pi }^2{\hslash }^2\sqrt{E_g}}\exp \left(-\frac{4\sqrt{2m^{\ast }}{E}_g^{3/2}}{3qE\hslash }\right) \\ E\approx \frac{-(V_{bi}+V_R)}{W} \end{gathered}$$
​ 隧穿电流和带隙宽度、反偏电压、耗尽区宽度有较大关系。

​ PN结中p区、n区重掺杂导致耗尽区三角形势垒变薄，极易形成齐纳击穿。掺杂浓度对隧穿电流有重要影响。

​ 一般的，PN结二极管中击穿电压小于4Eg/q时为齐纳击穿，为负的温度系数（击 穿电压随温度增加而减少）；而大于6Eg/q 时为雪崩击穿，为正温度系数（击穿电压 随温度增加而增大）。常以此随温度变化的实验结果来判断其内部的击穿机制。

雪崩击穿

​ PN结中当电子和空穴穿越空间电荷区时， 由于电场作用，能量会增加；当能量增到一定程度就会与耗尽区原子内的电子发生碰撞， 产生新的电子-空穴对；新的电子-空穴对又会撞击其它原子的电子，于是产生雪崩效应； 此时导致的电流突然急剧增大的结击穿称为雪崩击穿。

​ 雪崩击穿是PN结二极管的主要击穿机制；它决定了多数二极管反向偏压、双极晶体管集电极电压、MOS与MES晶体管漏电压的上限。

​ 一般PN结雪崩击穿求解

​ 假设由电子少子在x=0处扩散注入的电流为$I_{n0}$，经过耗尽区电场放大后，在耗尽区宽度为W处的电流为
$$I_n(W)=M_n{I}_{n0}$$
​ Mn-倍增因子

​ 空穴电流同样规律，方向与之相反。αn和αp分别是电子和空穴的电离率，即单位长度下通过碰撞产生的电子和空穴数量.

$$\begin{array}{rl}d{I}_n(x)& =I_n(x){\alpha }_{n}dx+I_p(x){\alpha }_{p}dx\\ I& =I_n(x)+I_p(x)\\ \frac{d{I}_n(x)}{dx}+({\alpha }_p-{\alpha }_n)I_n(x)& ={\alpha }_{p}I\\ {\alpha }_n& ={\alpha }_p=\alpha \\ {\int }_0^W\alpha dx& =\frac{M_n{I}_n(0)-I_n(W)}{I}\\ M_n{I}_{n0}& \approx I\text{且}{I}_n(0)=I_{n0}\\ 1-\frac{1}{M_n}& ={\int }_0^W\alpha dx\end{array}$$

定义倍增因子Mn达到无穷大时为雪崩击穿，则发生雪崩击穿的条件为
$${\int }_0^W\alpha dx=1$$
​ α是电场的函数，不容易直接求 出，因而定义此时的电场为临界电场，作为雪崩击穿发生的判据。

• 单边突变结雪崩击穿求解

​ 若p+n单边突变结，则耗尽区最大电场
$$E_{\text{max}}=\frac{e{N}_d{x}_n}{{\epsilon }_s}$$
​ 此时，又耗尽区宽度为
$$x_n\approx {\left(\frac{2{\epsilon }_s{V}_R}{e}\cdot \frac{1}{N_d}\right)}^{1/2}\approx W_D$$
​ 若定义此时的Emax为临界电场、反偏电压VBD为击穿电压，则通过变换得到
$$V_{\text{BD}}=\frac{{\epsilon }_s{E}_{\text{max}}^2}{2e{N}_d}=\frac{{\epsilon }_s{E}_{\text{max}}^2}{2e{N}_B}=\frac{E_{\text{max}}{W}_D}{2}$$
​ NB定义为低浓度掺杂一 边的浓度。

​ VBD近似与临界电场的平方成正比，NB成反比；也可 认为是最大电场强度与耗尽区宽度乘积的一半。

• 线性缓变结雪崩击穿求解

$$V_{\text{BD}}=\frac{2E_m{W}_{Dm}}{3}=\frac{4E_m^{3/2}}{3}{\left(\frac{2{\epsilon }_s}{qa}\right)}^{1/2}$$

​ 缓变节中最大电场较小且击穿电压与之关系较弱，所以同等掺杂下击穿电压数值更小， 更容易击穿。

• 单边突变结和线性缓变结的实用通用公式

$$\begin{gathered} V_{\text{BD}}\approx 60{\left(\frac{E_g}{1.1\text{eV}}\right)}^{3/2}{\left(\frac{N_B}{10^{16}{\text{cm}}^{-3}}\right)}^{-3/4}\text{V} \\ {V}_{\text{BD}}\approx 60{\left(\frac{E_g}{1.1\text{eV}}\right)}^{6/5}{\left(\frac{a}{3\times 10^{20}{\text{cm}}^{-3}}\right)}^{-2/3}\text{V} \end{gathered}$$

• 雪崩击穿一些实际问题

1：雪崩击穿需要用到带间激发，同样的掺杂下， 带隙宽的击穿电压更大。

​ 临界电场只是临时参数，需要较大距离的充分加速才成立（电场距离乘积大于带隙）；短距离高电场并不成立，例如MOS晶体管的表面积累层

2：实际扩散PN结中一边为线性缓变掺杂、 一边为恒定固定掺杂，其击穿电压介于单 纯突变结与线性缓变节两者之间

3:前面推导都是基于半导体比较厚，能提供雪崩 击穿时所需的最大耗尽层宽度（WDm）；若半导 体实际W小于WDm，器件将在击穿前穿通，形成 从一端到另外一端的直接大电流造成永久性击穿。

在实际的p±p-n+或p±n-n+的三明治结构中，

4:前面都是室温，如果温度增加，导致穿过耗尽区的载流子面临更多的晶格振动， 损失部分能量，因而导致雪崩击穿效应削弱，击穿电压增加。

• 边缘效应

​ 前面都是考虑平面结构，如果考虑器件结构的空间曲率，则会导致耗尽区变窄， 电场增强，雪崩效应增加，击穿电压降低。

​ 此外，MOS晶体管中栅控二极管效应， 不同栅偏压改变半导体表面（PN结的边缘） 载流子状态，极大影响PN结的击穿状况：

PN结击穿

​ 雪崩击穿
​ 击穿电压$BV>\frac{6E_g}{e}$，对$Si：BV>8V$，正温度系数;
​ 温度升高，晶格振动强度增强，载流子与晶格发生碰撞的概率增大，平均自由程下降，为在较短的自由程中积累到足够发生碰撞电离的能量，要求提高反偏电压的绝对值，击穿电压增大。

​ 条件：1、内建电势足够大 2、势垒区足够宽

​ 齐纳击穿**（重掺杂）
​ 击穿电压$BV<\frac{4E_g}{e}$，对Si：BV<5V，负温度系数;
​ 温度升高导致禁带宽度E_g减小，势垒深度L减小，更易发生隧穿，因此隧道击穿具有负温度系数。

​影响平面工艺PN结击穿电压

轻掺杂一侧掺杂浓度N_B：降低轻掺杂一侧掺杂浓度N_B是提升击穿电压主要途径；

​结深x_j：增加$pn$结结深x_j降低球面结对击穿电压影响；

​外延层厚度：增加外延层厚度可提升击穿电压；

​降低表面电荷（钝化）

5、交流小信号与瞬态开关特性

扩散电阻

​ 小信号特性是PN结二极管用于线性放大器等电路时，叠加在直流电流和电压的交 流信号（一般为正弦信号）特性。

​ 已知二极管直流特性
$$I=I_s\left[\exp \left(\frac{e{V}_a}{kT}\right)-1\right]$$
​ 在其上叠加交流小信号（幅值小）

​ 其交流信号中电流与电压比值称为增量电导
$$g_d={\frac{d{I}_D}{d{V}_a}|}_{V_a=V_0}$$
​ 其倒数被称为增量电阻
$$r_d={\frac{d{V}_a}{d{I}_D}|}_{I_D=I_{DQ}}$$
​ IDQ被称为直流静态 电流，为此时的直流工作点。

​ 当信号足够小时，认为和直流电导相同；代入直流电流-电压公式，并忽略 （-1）项，则，
$$g_d={\frac{d{I}_D}{d{V}_a}|}_{V_a=V_0}=\left(\frac{e}{kT}\right)I_s\left[\exp \left(\frac{e{V}_0}{kT}\right)-1\right]\approx \frac{I_{DQ}}{V_t}$$
​ 所以
$$r_d=\frac{V_t}{I_{DQ}}$$
​ 此时增量电阻被称为扩散电阻；与直流静态电流成反比；与直流I-V曲线斜率 成反比。

​ 前面势垒电容是反偏电压的函数，正偏时另外一类电容对PN结导纳起到重要作用，其小信号导纳（阻抗）由少子扩散电流推导而来。

扩散电容

​ 在直流偏压上叠加交流正弦信号，则
$$V_a=V_{dc}+\hat{v}\sin \omega t$$
​

​ 正弦信号中，当t=0即交流信号为零时
$$V_a=V_{dc}+\hat{v}\sin \omega t$$
​ •t=t1时，少子（空穴）注入增加，电流增大；

​ •t=t2时，少子（空穴）注入减少，电流减少；

​ •若交流信号周期大于少子扩散时间，则少子在 耗尽区/n区边缘（这里是x=0）形成与距离成一 定函数的稳定分布；

​ •少子（电子）在耗尽区/p区边缘存在同样规律。

​ n区空穴和p区电子产生充放电现象， 形成扩散电容；其物理机制与势垒电 容有很大不同，正偏时数值大许多

• 小信号导纳

​ 小信号求解边界条件
$$\begin{array}{rl}{p}_n(0)& =p_{n0}\exp \left(\frac{e{V}_a}{kT}\right),\\ V_a& =V_0+v_1(t),\text{（直流静态偏置电压 交流信号）}\\ p_n(x=0)& =p_{n0}\exp \left(\frac{e(V_0+v_1(t))}{kT}\right)=p_n(0,t),\\ p_n(0,t)& =p_{dc}\exp \left(\frac{e{v}_1(t)}{kT}\right),\\ p_{dc}& =p_{n0}\exp \left(\frac{e{V}_0}{kT}\right),\\ \left|v_1(t)\right|& \ll \frac{kT}{e}=V_t\Rightarrow p_n(0,t)\approx p_{dc}\left(1+\frac{v_1(t)}{V_t}\right)\\ p_n(0,t)& \approx p_{dc}\left(1+\frac{\hat{V}}{V_t}{e}^{j\omega t}\right).\end{array}$$

​ 小信号导纳求解

​ n区中性区少子应用连续性方程，则
$$D_p\frac{{\partial }^2(\delta p_n)}{\partial x^2}-\frac{\delta p_n}{{\tau }_{p0}}=\frac{\partial (\delta p_n)}{\partial t}$$
​ 期望方程解为直流分量和交流分量之和。 p1(x)为过剩少子交 流分量的幅值
$$\delta p_n(x,t)=\delta p_0(x)+p_1(x)e^{j\omega t}$$
​ 代入，连续性方程则为
$$D_p\left[\frac{{\partial }^2(\delta p_0(x))}{\partial x^2}+\frac{{\partial }^2(p_1(x))}{\partial x^2}{e}^{j\omega t}\right]-\frac{\delta p_0(x)+p_1(x)e^{j\omega t}}{{\tau }_{p0}}=j\omega p_1(x)e^{j\omega t}$$
​ 时变和非时变项分别集合
$$\left[D_p\frac{{\partial }^2(\delta p_0(x))}{\partial x^2}-\frac{\delta p_0(x)}{{\tau }_{p0}}\right]-\left[D_p\frac{{\partial }^2(p_1(x))}{\partial x^2}-\frac{p_1(x)}{{\tau }_{p0}}-j\omega p_1(x)\right]e^{j\omega t}=0$$
​ 当t=0时，前一项直流分量为零，则交流 分量为
$$D_p\frac{{\partial }^2(p_1(x))}{\partial x^2}-\frac{p_1(x)}{{\tau }_{p0}}-j\omega p_1(x)=0$$
​ 方程改写为

$$\begin{gathered} \frac{d^2{p}_1(x)}{d{x}^2}-C_p^2{p}_1(x)=0 \\ {C}_p^2=\frac{1+j\omega {\tau }_{p0}}{L_p^2} \end{gathered}$$

​ 解得

$$p_1(x)=K_1{e}^{-C_{\rho }^{2}x}+K_2{e}^{+C_{\rho }^{2}x}$$

​ 一个边界条件

$$\begin{gathered} p_1(x\to +\infty )=0 \\ {K}_2=0 \end{gathered}$$

​ 另一个边界条件

$$p_1(0)=K_1=p_{dc}\left(\frac{{\hat{V}}_1}{V_t}\right)$$

​ 所以交流少子分布与位置的关系为

$$\begin{gathered} p_1(0)=K_1=p_{dc}\left(\frac{{\hat{V}}_i}{V_t}\right)e^{-C_{\rho }^{2}x} \\ {C}_p^2=\frac{\left(1+j\omega {\tau }_{p0}\right)}{L_p^2} \end{gathered}$$

​ 另一方面，少子扩散电流为

$$J_p=-e{D}_p{\frac{\partial p_n}{\partial x}|}_{x=0}$$

​ 代入少子直流和交流组成假设，可分为

$$J_p=-e{D}_p{\frac{\partial (\delta p_n)}{\partial x}|}_{x=0}=-e{D}_p{\frac{\partial (\delta p_0(x))}{\partial x}|}_{x=0}-e{D}_p{\frac{\partial p_1(x)}{\partial x}|}_{x=0}{e}^{j\omega t}$$

​ 得出

$$J_p=J_{p0}+j_p(t)$$

​ 其中，直流电流为

$$J_{p0}=-e{D}_p{\frac{\partial (\delta p_0(x))}{\partial x}|}_{x=0}=\frac{e{D}_p{p}_{n0}}{L_p}\left[\exp \left(\frac{e{V}_0}{kT}\right)-1\right]$$

​ 交流电流（x=0处）为:Jp为交流电流相量

$$j_p(t)={\hat{J}}_p{e}^{j\omega t}=-e{D}_p{\frac{\partial p_1(x)}{\partial x}|}_{x=0}{e}^{j\omega t}$$

​ 求解交流电流相量

$${\hat{J}}_p=-e{D}_p(-C_p)\left[p_{dc}\left(\frac{{\hat{V}}_1}{V_t}\right)\right]e^{-C_{p}x}{|}_{x=0}$$

​ x=0处乘以截面积A

$${\hat{I}}_p=A{\hat{J}}_p=eA{D}_p{C}_p{p}_{dc}\left(\frac{{\hat{V}}_1}{V_t}\right)$$

​ 代入Cp则

$${\hat{I}}_p=e\frac{A{D}_p{p}_{dc}}{L_p}\left(\frac{{\hat{V}}_1}{V_t}\right)\sqrt{\left(1+j\omega {\tau }_{p0}\right)}$$

​ 若定义

$$I_{p0}=e\frac{A{D}_p{p}_{dc}}{L_p}=e\frac{A{D}_p{p}_{n0}}{L_p}\exp \left(\frac{e{V}_0}{kT}\right)$$

​ 则n区少子空穴的交流电流相量为

$${\hat{I}}_p=I_{p0}\left(\frac{{\hat{V}}_1}{V_t}\right)\sqrt{1+j\omega {\tau }_{p0}}$$

​ 同理，p区少子电子的交流电流相量为

$$\begin{gathered} {\hat{I}}_n=I_{n0}\left(\frac{{\hat{V}}_1}{V_t}\right)\sqrt{1+j\omega {\tau }_{n0}} \\ {I}_{p0}=e\frac{A{D}_n{n}_{p0}}{L_n}\exp \left(\frac{e{V}_0}{kT}\right) \end{gathered}$$

​ 总交流电流
$$\hat{I}={\hat{I}}_p+{\hat{I}}_n$$
​ 所以，PN结二极管总电流可写为
$$\begin{gathered} J=\left(q{p}_{n0}\sqrt{\frac{D_p}{{\tau }_p}}+q{n}_{p0}\sqrt{\frac{D_n}{{\tau }_n}}\right)\exp \left(\frac{q\left(V_0+V_1\exp (j\omega t)\right)}{kT}\right) \\ \approx \left(q{p}_{n0}\sqrt{\frac{D_p}{{\tau }_p^{\ast }}}+q{n}_{p0}\sqrt{\frac{D_n}{{\tau }_n^{\ast }}}\right)\left[\exp \left(\frac{q{V}_0}{kT}\right)\right]\left[1+\frac{q{V}_1}{kT}\exp (j\omega t)\right] \end{gathered}$$

​ 其中，交流部分
$$J_1=\left(\frac{q{D}_p{p}_{n0}\sqrt{1+j\omega {\tau }_p}}{L_p}+\frac{q{D}_n{n}_{p0}\sqrt{1+j\omega {\tau }_n}}{L_n}\right)\exp \left(\frac{q{V}_0}{kT}\right)\frac{q{V}_1}{kT}$$
​ 求二极管小信号导纳为（此时仅考虑导纳中的虚数电纳部分）
$$Y=\frac{{\hat{I}}_1}{{\hat{V}}_1}=\frac{{\hat{I}}_p+{\hat{I}}_n}{{\hat{V}}_1}=\left(\frac{1}{V_t}\right)\left[I_{p0}\sqrt{1+j\omega {\tau }_{p0}}+I_{n0}\sqrt{1+j\omega {\tau }_{n0}}\right]$$
​ 因为低频下$\omega \tau \ll 1$
$$\begin{array}{rl}Y& =\left(\frac{1}{V_t}\right)\left[I_{p0}\sqrt{1+j\omega {\tau }_{p0}}+I_{n0}\sqrt{1+j\omega {\tau }_{n0}}\right]\\ & \approx \left(\frac{1}{V_t}\right)\left[I_{p0}\left(1+\frac{j\omega {\tau }_{p0}}{2}\right)+I_{n0}\left(1+\frac{j\omega {\tau }_{n0}}{2}\right)\right]\\ & =\left(\frac{1}{V_t}\right)\left(I_{p0}+I_{n0}\right)+j\omega \left(\frac{1}{2V_t}\right)\left[I_{p0}{\tau }_{p0}+I_{n0}{\tau }_{n0}\right]\end{array}$$
​ 扩散电容求解

​ 根据上式可定义为:（导纳等效为电导和电纳之和。）
$$Y=g_d+j\omega C_d$$
​ 则（其中，直流电导定义式。）
$$g_d=\left(\frac{1}{V_t}\right)(I_{p0}+I_{n0})=\frac{I_{DQ}}{V_t}=\frac{1}{r_d}$$
​ 电纳中的等效电容为
$$C_d=\left(\frac{1}{2V_t}\right)\left[I_{p0}{\tau }_{p0}+I_{n0}{\tau }_{n0}\right]$$
​ 被称为扩散电容，也就是扩散电容的定义式，表示交流小信号下，耗尽层外侧过剩少子随交流电压变化产生的电荷充放电现象及能力，与正向电流成正比。

​ 交流频率较大时，上式要修正，Cd随频率增加而快速降低。

​ 电流越大，扩散电容越大；二极管正向，低频工作下Cd起到重要作用。

​ 还可改写为
$$C_d=\frac{e^2}{2kT}\left(L_n{n}_{p0}+L_p{p}_{n0}\right)\exp \left(\frac{qV}{kT}\right)$$
​ p±n单边结
$$C_{d0}=\frac{e{L}_p^2}{2kT{D}_p}{J}_F$$

• PN结二极管小信号等效电路

​ 理想情况下

​ 实际情况下

​ •势垒电容和扩散电容及扩散电阻并联。

​ •P区和n区中性区和接触电阻形成串联电阻，对实际偏压实现分压。

PN结存储电荷

• 二极管开关

​ PN结二极管可用来做电路开关；正偏时， 超过一定电压（VA），电流急剧增大，为开态；反偏时只有极小电流，为闭态。

• PN结存储电荷

​ PN结从反向偏置到正向偏置，速度很快；而从正向到反向，原来形成扩散电流的过剩载流子不能很快消失，存在电荷存储效应，需要一定时间形成反向耗尽状态，该时间称为反向恢复时间。

​ 针对p+n结，对n区中性区少子空穴积分
$$\begin{gathered} Q=qA{L}_p^{\infty }\left(p_n-p_{n0}\right)dx=qA{L}_p^{\infty }\left[p_{n0}\left(e^{\frac{q{V}_F}{kT}}-1\right)\right]e^{-\frac{x}{L_p}}dx=qA{L}_p{p}_{n0}\left(e^{\frac{q{V}_F}{kT}}-1\right) \\ {I}_F=\frac{qA{D}_p}{L_p}{p}_{n0}\left(e^{\frac{q{V}_F}{kT}}-1\right) \\ {L}_p=\sqrt{D_p{\tau }_p} \\ Q={\tau }_p{I}_F \end{gathered}$$

瞬态开关特性与求解

​ 形成如图所示的开关电路

​ 正向工作时，PN结正向电流IF；t=0时，偏压突然从正向到反向，此时PN结电流不是直接到IS，而是首先出现一个较大恒定反向电流IR阶段，然后逐步衰减到IS。

​ $I_R$工作阶段时间为$t_s$，称为存储时间；反向电流衰减时间（IR到0.1IR）称为下降时间； 两者之和为反向恢复时间$t_{off}$:
$$t_{off}=t_s+t_f$$
​ 比正向瞬变长很多。

​ 采用电荷控制模型计算：刚开始0<t<ts之内，反向电流恒定，所以(R-偏置电阻)
$$I_R\approx \frac{V_R}{R}$$
​ 此时PN结中载流子变化率等于反向抽取（通过外电路流走）和内部复合之和

$$\begin{gathered} -\frac{dQ}{dt}=I_R+\frac{Q}{{\tau }_p} \\ Q(t)={\tau }_p(I_F+I_R)e^{-\frac{t}{{\tau }_p}}-{\tau }_p{I}_R \\ t=0\text{时, }Q={\tau }_p{I}_F \\ t=t_s\text{时, }Q(t_s)=0 \\ {t}_s={\tau }_p\ln \left(1+\frac{I_F}{I_R}\right) \end{gathered}$$
​ 根据连续性方程精确求解p+n结得
$$\begin{gathered} \text{erf}\left(\sqrt{\frac{t_s}{{\tau }_p}}\right)={\left(1+\frac{I_R}{I_F}\right)}^{-1} \\ \text{erf}\left(\sqrt{\frac{t_s}{{\tau }_p}}\right)\exp \left(-\frac{t_f}{{\tau }_p}\right)=\frac{1}{\sqrt{\pi }}\left(1+O\left(\frac{I_R}{I_F}\right)\right) \\ \text{erf}\text{fx}=\frac{2}{\sqrt{\pi }}{\int }_0^{\kappa }{e}^{-u^2}du \\ \text{其中,} \\ \text{当 }\frac{I_R}{I_F}\text{ 很小时, }{W}_n\gg L_p\text{ 为长 PN 结时,} \\ {t}_s+t_f\approx \frac{{\tau }_p}{2}{\left(\frac{I_R}{I_F}\right)}^{-1} \\ \text{当 }\frac{I_R}{I_F}\text{ 很大时, }{W}_n\le L_p\text{ 为短 PN 结时,} \\ {t}_s+t_f\approx \frac{W_n^2}{2D_p}{\left(\frac{I_R}{I_F}\right)}^{-1} \end{gathered}$$
​ ➢为了使得二极管快速关断，需要有较大的反偏电流IR和较小的少子寿命。在进行二极管设计时， 设计者要给瞬态反偏电流脉冲一个泄放路径以使得pn结二极管的开关速度变得较快。

➢开启过程的第一阶段一般进行的非常快，它是用来使得空间电荷区的宽度从反偏达到Va=0时的 热平衡宽度所用的时间，在此期间电离施主和受 主会呈电中性，此过程对二极管设计影响较小。

➢开启过程的第二阶段即是建立少子分布所用的时间，此时，pn结的压降逐渐增加到稳定值 （ts+tf），需要花费一定的时间，占主导部分。 因此，需要设计少子寿命很小而且正偏电流较小 的二极管来提升瞬态开关速度。常见方法是禁带宽度中引入Au等深能级掺杂元素，减少少子寿命与降低正向电流。

• 特性

​ T＜0，V_on为（V_a）为PN结的外加偏置，即pn结上的压降或pn结两端电压差，I_F为正偏下的pn结电流

​ T＞0，开关变成反偏，由于电容效应（扩散电容），$$V_{on}$$不会马上变化

​ 电荷储存效应：PN结正向导通时少子在扩散区积累的现象。电荷存储效应是开关延迟的根本原因。

​$t_s$：储存时间

​$t_f$：下降时间

​$t_{rr}=t_s+t_f$（反向恢复时间） $t_s$主要品质因素来表征瞬态关断过程

$t_{rr}$反向恢复时间
减小t_rr的方法:

噪声特性

​ 噪声指半导体器件工作时通过他们的电流 或电压所产生的自发涨落现象；它决定了器件工作时信号量的下限。

​ 主要有热噪声、闪变噪声、散粒噪声等：

​ 热噪声和温度相关，为载流子无规则运动造成，也称为白噪声，广泛存在与频率无关。
$$⟨V_n^2⟩=4kTBR$$
​ 闪变噪声和频率倒数成比例，也称为1/f噪 声，主要由表面效应产生。

​ 散粒噪声和形成电流的载流子离散性造成， 是噪声主要来源，中低频下与频率无关。
$$⟨i_n^2⟩=2qB|I|$$
​ 小注入下总均方噪声电流（忽略1/f噪声）：
$$⟨i_n^2⟩=\frac{4kTB}{R}+2qB|I|$$
​ PN结二极管中利用理想肖克莱公式求1/R：
$$-\frac{1}{R}=\frac{dI}{dV}=\frac{d}{dV}\left\{I_s\left[\exp \left(\frac{e{V}_a}{kT}\right)-1\right]\right\}=\frac{q{I}_s}{kT}\exp \left(\frac{e{V}_a}{kT}\right)$$
​ PN结二极管中总均方噪声电流为：
$$⟨i_n^2⟩\approx 6qB{I}_s\exp \left(\frac{e{V}_a}{kT}\right)$$
​ 与反向饱和电流成正比。