硬件基础（三）

我要坚持这每天学习呜呜呜呜呜我要咸鱼翻身呜呜呜

这一期我们主要是补充万恶的mos管

MOS管

mos管的体二极管

在很多情况下，我们会看见这样的mos管符号：

那个粉红色的就叫做——mos管的体二极管(Body-diode)，他是一个工艺上（设计上）造成的问题：

它（Body-diode）如何出来的呢？

在之前我们了解了：单独的pn结具有单向导电性的特点因而制造了二极管。那么MOS管也是由p、n、p或n、p、n型半导体结合而成的，那么就有这种：（举个例子：这是个耗尽型Nmos） 

由此图我们可以知道：在设计一个mos管的时候中间会引出一条导线来和源极相接，那么底下那个pn结形成的二极管就相当于短接，而上边的漏极的“二极管”就会直接导向源极。也就是开头所讲的体二极管在mos管符号的由来。

那么这个二极管它有什么用呢？在有些电池保护板，锂电池过放后就是利用体二极管来保护：关闭放电mos；当插上充电宝后因为体二极管又会让电路导通。

当然，这个二极管也是很难搞的，有些时候他会让源极和漏极产生漏电。

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接下来有一个奇妙的设想：Mos管电流能否反着流？

能反着流。

我们在教科书上一般看到的是这种：

 

而在实用电路中：

电源正常接入时的情况：（电流是从s—d极，注意，电流没经过体二极管，从导电沟道过去的）

 

 

（下图）mos管在开关作用时存在死区时间：也就是说导电沟道形成所需要的的时间，这时候mos管不导通的，这时候电流从下mos管的体二极管流过

 

 记住：在此时二极管过电流依旧是保持着二极管的特性的：0.7v的压降or0.3v的压降。而此时我们也能看到这开关作用的mos管，他是不需要栅极（g）的，为毛呢，因为它加不加电压都无所谓。

（从器件角度出发了解）：

这是常规的接法对吧：当我们个栅极加正电压之时（Vgs>Vth），p衬底的电子会被吸引到栅极下边形成导电沟道。 而事实上，只要它加了电压，都会产生电流：

 接正向电压时上边的二极管不导通，但会形成导电沟道让nn中间一路导通（因为正向电压在栅极吸引电子（负电荷嘛））

接反偏呢？：

导电沟道没形成但是正电压在下边让上面的二极管导通了。然后就继续让电流经过了呗。

由此：

电流可以双向流动，从s到d或者从d到s。 

我们再小提一下：

 这个玩意是不是也经常看到呢？

由稳压二极管的诞生（往n型半导体高掺杂再高掺杂的时候，让二极管实现不同的反向击穿特性形成），我们可以知道，往mos管的n型半导体高掺杂杂质的时候，就会让这个mos管的体二极管升级成为稳压二极管 啦！

当我们的这个mos管s极接的是正电压的时候，且流通的是小电流的话，那么他是不会经过这个稳压二极管的（反偏嘛，而且没到达反向击穿的时候是这样子的）

这个体稳压二极管它的最大作用体现在：如果电路的电信号是不稳定的，会突变一高一低的话——当尖峰信号通过时（尖峰信号过大很容易把mos管烧坏），因为到达了稳压二极管的反向击穿条件，电流诶，他不走mos管导电沟道了，他走稳压二极管那条支路过去，所以就不会烧坏mos管了。

mos管的米勒效应

米勒效应：是很臭名远扬的玩意。各大厂商都在减小这个东西。

首先我们知道：

MOS管的三极都会存在以下三个电容，分别是：Cgs，Cgd，Cds，米勒电容指的是Cgd。

由MOS管的米勒电容引发的米勒效应：在MOS管开通过程中，GS电压上升到某一电压值后GS电压有一段稳定值（图中t2~t3阶段），过后Vgs电压又开始上升直至完全导通。
米勒效应阻止Vgs电压上升，使得导通时间变长，损耗剧增。

1) T0时刻：Vgs为0时，Vd>Vg，Cgd基本充满电，右正左负；
2) T0~T1时刻：Vgs开始上升，Ig电流主要给Cgs充电，当Vgs达到阈值电压Vth时
（T1时刻），mos开始导通，Vds开始下降；
3) T1~T2时刻：Vgs继续上升，给Cgs充电，Vds继续下降（下降较小），当Vgs达到米
勒平台电压Va，开始进入米勒平台；
4) T2~T3时刻：T2时刻开始，随着Vd下降，Vd＜Vg，驱动电流主要开始反向给Cgd充电，所以这段时间，看起来Vgs没有增加。这段时间就是米勒平台。
5) T2~T3时刻，随着Cgd逐渐充满，mos管完全导通，Vgs继续增加，直到最高的驱动电平Vg。