模拟CMOS集成电路设计入门学习（0）

以N沟道增强型MOSFET为例，分析MOS器件的工作原理：

（1）对的控制作用：

①随着的增加，反型层加宽，导电沟道电阻减小，上升；

②只有当＞后，若加有，才会出现；

备注：

 {反型层：当足够大时，电子便从源流向界面并最终流到漏端。这时，源和漏之间的栅氧下就形成了载流子“沟道”，同时晶体管导通。我们称之为界面反型；}

{：形成沟道所对应的称为“阈值电压”}

（2）对的影响：

 

①较小即时，沟道呈电阻特性，随的增加而增加。（可变电阻区） ；

 ②增加到时（预夹断）；

③  即  后，基本不随 的增加而增加，而是几乎由 决定（恒流区）（饱和区）；

 

备注：

 {过驱动电压：；}

{三极管区：}

{深三极管区：2（）。特别地，有，此时源漏之间的通道可以用一个线性电阻表示：}

 跨导

 

此外，还可证出

值得注意：饱和区的值等于深三极管区的倒数。