前言
本人为一名普通的大二学生,在学习模电的过程中感觉有不少有意思、值得总结的知识点,故记录如下。
PN结
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多子:掺杂形成,浓度与杂质浓度相等。起主要导电作用。
少子:本征激发形成,浓度低。对温度敏感,影响器件性能。 -
可通过二次掺杂改变半导体类型
如:在P型半导体中掺入足够量的五价元素,可将其改型为N型半导体
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存在少子比多子多的情况
如:BJT中基区非平衡少子数量远多于多子
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空间电荷区内,正、负电荷的电量相等。
故当P区和N区杂志浓度相等时,负离子区和正离子区的电荷区内,正、负电荷的电量相等。(对称结)
而当两边杂质浓度不同时,浓度高的一侧的离子区宽度低于浓度低的一侧。(不对称PN结) -
PN结平衡后掺杂浓度越高耗尽层越窄的原因?
E ∝ N D W E{\propto}N_DW E∝NDW(电场强度正比于掺杂浓度宽度)
φ ∝ E W \varphi{\propto}EW φ∝EW(电势差正比于电场强度宽度)
可得: φ ∝ N D W 2 \varphi{\propto}N_DW^2 φ∝NDW2
即电势差一样时,高掺杂的掺杂浓度大,所以耗尽层宽度窄。 -
PN结的结电容
势垒电容 C b C_b Cb:由反向电压使PN结宽窄发生变化作可变电容
扩散电容 C d C_d Cd:加正向电压时,由非平衡少子与电压之间的关系决定
二极管
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温度越高
雪崩击穿所需电压越高(晶格振动使电子的自由程减小) λ = p T \lambda=\dfrac{p}{T} λ=Tp ( α > 0 ) (\alpha>0) (α>0)
齐纳击穿所需电压越低(温度越高价电子运动更剧烈越容易被拉出) ( α < 0 ) (\alpha<0) (α<0) -
电击穿:可逆
热击穿(二次击穿):烧毁、不可逆 -
两只稳压管稳定电压为 U 1 U_1 U1、 U 2 U_2 U2,导通电压均为 U o n U_{on} Uon
问能够组合形成几种稳压值的复合管?
1)串联: 2 U o n 2U_{on} 2Uon、 U 1 + U o n U_1+U_{on} U1+Uon、 U 2 + U o n U_2+U_{on} U2+Uon、 U 1 + U 2 U_1+U_2 U1+U2
2)并联: U o n U_{on} Uon、 m i n ( U 1 , U 2 ) min{(U_1,U_2)} min(U1,U2)(二极管的电压钳制作用)
一共6种
三极管及其放大电路
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为什么三极管的输出特性曲线的水平部分略向上倾斜?
基区宽度调制效应(Base-width modulation effects)
实际上,在输出特性曲线的水平部分,仍随着集电极-发射极间电压的增加而略向上倾斜,这是由于集电极-发射极间电压增加时,集电结空间电荷区变宽,基区变窄,使载流子在基区的复合机会减少,即电流放大系数(共发射极直流电流放大系数)增大,故在基极电流不变的情况下,集电极输出电流随集电极-发射极间电压增加而略有增加,特性曲线略向上倾斜。这种现象又称为厄尔利(Early)效应。
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晶体管发射结反偏,集电结正偏所处的状态?
倒置状态
在放大电路中将发射结与集电结接反了。由于晶体管在 P N PN PN结拓扑上,集电极与发射极没有本质区别,因此这样接一般不会烧毁晶体管,只是此时晶体管 β \beta β下降非常严重。(反向放大区) -
直接耦合直流交流负载线重合而阻容耦合不重合的原因?
因为静态分析时,阻容的负载电容会把 R L R_L RL屏蔽,而动态分析时电阻算的时候又是 R L R_L RL与 R C R_C RC并联而直接耦联不会有这个问题,静态动态分析下的斜率一致。 -
共用哪一极?
看哪一极没有用到(即既不是信号输入极也不是信号取出极) -
阻容耦合如何放大低频信号?
调制+解调
场效应管及其放大电路
- 为什么三极管的放大倍数比场效应管放大倍数高?
一个理解角度:场效应管的转移特性方程和三极管的输入特性方程相比,一个是幂方程,另外一个是指数方程。 - “增强型”的含义?
U G S = 0 U_{GS}=0 UGS=0时,源极与漏级之间失去导电能力,因此为了实现导电能力必须增强沟道。( U G S > U G S t h U_{GS}>U_{GS_{th}} UGS>UGSth形成反型层——“反型”现象——栅极电压继续增加不会再引起耗尽层宽度的变化,但会导致下方出现一层薄的电子层,进而形成一个连续的N型区域(包括源区与漏区),“反型”——“P—>N”)
三极管与场效应管的总结表格
集成电路
- 优化过程
1)阻容耦合不能集成——直接耦合(不存在大的电解电容)
2)直接耦合射极电阻严重影响电压放大倍数且存在零点漂移——差分放大电路(动态时差模信号下射极电阻为0、共模等效为2倍)
3)差分放大电路单端输出时共模抑制比 K C M R K_{CMR} KCMR不够大——采用电流源电路提供稳定的集电极电流、发射极电流(电流源的动态电阻很大、静态电阻很小)
4)电流源输出电流与基准电流的近似条件 β ≫ 2 \beta\gg2 β≫2难以满足——威尔逊电流源/加射极输出器
5)共集放大电路带载后最大不失真电压 U o m U_{om} Uom降低且甲类功放效率低下——直接耦合互补输出(乙类功放、上下轮流导通)
6)克服死区电压造成交越失真—— U B E U_{BE} UBE倍增电路(微微导通——偏乙类的甲乙类功放且 T T T与 T 1 T_1 T1、 T 2 T_2 T2具有相同的温度特性较两个LED串联更灵活)
7)NPN管与PNP管难以做到理想对称——达林顿结构复合管形成准互补输出