关于PN结宽窄的总结（看完包懂版）

1.为什么掺杂浓度高空间电荷区窄，掺杂浓度低空间电荷区宽？

首先我们要明白空间电荷区是如何形成的，空间电荷区的形成是P区的空穴和N区的电子复合形成的一块区域，这个区域几乎没有可自由移动的载流子，靠近P区的那侧耗尽区为负离子区，靠近N区的那侧耗尽区为正离子区。就是说形成空间电荷区（耗尽层）消耗的空穴和电子是一样多的。

为了方便理解我们假设P区掺杂比N区要高，通俗一点说就是在横向长度相同的情况下，纵向上P区能够提供的空穴要多于N区提供的电子，所以P区和N区要提供相同数量的多子（P区多子为空穴，N区多子为电子），所需要的宽度就是P区要小于N区，所以也就解释了为什么掺杂浓度高空间电荷区窄，掺杂浓度低空间电荷区宽

2.没有外加电压时，扩散运动和漂移运动对空间电荷区的影响

没有外加电压时，扩散运动和漂移运动都是非常微少的运动，并且两者达到平衡状态形成PN结。使P 区剩下一个个负离子，形成负离子区；而 扩散到N区的空穴大部分与电子复合消 失，使N区剩下一个个正离子，形成正离 子区。扩散运动会使更多的多子进行复合（P区多子为空穴，N区多子为电子），因此扩散运动的进行使空间电荷区 变宽，内电场增强。而相反漂移运动的进 行会使空间电荷区变窄，内电场减弱。

3.外加正向电压的时候

外加正向电压的时候对于PN结，扩散运动会增强，漂移运动会减弱，这个时候你可能会认为扩散运动增强了，那是不是空间电荷区会变宽，事实上不是这个样子

看到上面没有外加电场的时候，我说的是扩散运动和漂移运动都非常微弱，但是外加电场之后，扩散电流会逐渐增大，扩散运动不再是微弱的了，这个时候电子流动非常的快，与空穴复合的机会变小了（只有空穴和电子复合才会形成空间电荷区），所以空间电荷区（耗尽区）会变窄

4.外加反向电压

外加反向电压与外加正向电压就不同了，外加反向电压会抑制扩散运动增强漂移运动，你会觉得漂移运动使得空间电荷区变窄，这样的想法也是错误的

事实上这个时候外加反向电压的状态下，P区的空穴基本无法到达N区，同理N区的电子也无法到达P区，加反向电压时，反向电压起主要作用，扩散运动减弱，加剧了漂移运动，使空间电荷区变宽，因为在反向电压作用下，几乎没有电子和空穴越过PN结，而是进行相反运动：N区电子向PN结反方向运动，剩下一个个正离子，形成正离子区；P区的空穴也向PN结反方向运动，剩下一个个负离子， 形成负离子区，因此加反向电压时，空间电荷区变 宽，反向电压越大，空间电荷区越宽

这也解释了PN结的单向导电性