掺杂浓度影响PN结的宽度以及雪崩和齐纳击穿

       为什么说浓度高的一侧电场越窄，浓度低的一侧电场越宽。首先我们要知道，由于晶格结构，半导体中的离子位置是固定住的，不会像电子一样移动。

          为了提高P，N半导体的载流子浓度我们就需要相应的掺杂硼，磷。于是半导体里的对应的离子浓度也会提高。

 

 

我们假设阻止N区多子移动需要六个负离子形成电场，阻止P区多子移动需要六个正离子形成电场，于是就形成如上图所示PN结。

    举例感觉不太严谨，但是想表达的是，离子浓度高，只需较窄一部分半导体的离子就能满足形成PN结所需电场，相应的浓度低则需要更宽的半导体才能有足够的离子产生满足PN结的电场。

雪崩击穿和齐纳击穿

    

雪崩击穿是在掺杂浓度少的情况下发生，PN结较宽，在外电场的作用下，P区的少子（仅分析P区，N区分析方法一样）进入内电场并在内电场继续加速，直到达到一个速度就会撞击破坏PN结内的共价键， 一个电子撞出两个电子，两个撞出四个，于是就破坏了PN结，使其被击穿通电。满足击穿就需要外电场达到一个电压使P区少子在内电场能够加速到一定速度来破坏PN结。并且随着温度升高，PN结内部离子会剧烈抖动，这会妨碍电子在内电场加速，达不到破坏PN结的速度，于是就需要加大外电场来提高电子在内电场的加速度，所以温度越高，雪崩击穿所需电压越高。

齐纳击穿是掺杂浓度高的情况下发生的，PN结很窄，于是内电场场强很大，外电场稍加一点电压PN结里的共价键电子就会被吸出来，使PN结破坏。并且随温度升高，PN结内的共价键更容易断裂，PN结也越容易被破坏，于是所需击穿电压就越低。

 

 

 

以上为个人学习的理解，如有错误，请大佬们在评论区指出。