为什么掺杂浓度高的空间电荷区反而窄?

耗尽区是半导体中重要的概念,由n型和p型半导体的电离杂质形成,区域内无自由载流子。电离产生内建电场,导致电子与空穴迁移,达到电中性状态。耗尽区宽度与杂质浓度有关,浓度高的一侧宽度窄,低的一侧宽度宽。计算通常关注低浓度一侧的宽度。
摘要由CSDN通过智能技术生成

耗尽区是由n型区和p型区的杂志电离以后,带正电的施主离子和带负电的受主离子形成的区域。耗尽区内没有载流子,但是由于杂志电离产生一个内建电场,使得n区电子和p区空穴向另一边迁移,最终达到平衡,可认为是电中性。为了达到电中性,n区电离产生的电子和p区电离产生的空穴数量要相等,即施主受主原子电离的数目相同,所以浓度高的一边仅很窄范围的杂志电离产生的载流子数目就可以与另一边相等。所以杂志浓度高的一侧耗尽区宽度窄,浓度低的一侧耗尽区宽度宽。一般情况下,计算耗尽区宽度只考虑浓度低的一侧的宽度就好了,杂志浓度高的一侧可以忽略不计。

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