为什么掺杂浓度高的空间电荷区反而窄?
最新推荐文章于 2024-08-17 11:26:52 发布
耗尽区是半导体中重要的概念,由n型和p型半导体的电离杂质形成,区域内无自由载流子。电离产生内建电场,导致电子与空穴迁移,达到电中性状态。耗尽区宽度与杂质浓度有关,浓度高的一侧宽度窄,低的一侧宽度宽。计算通常关注低浓度一侧的宽度。
摘要由CSDN通过智能技术生成