一、三管MOS DRAM基本单元电路原理
- 如果需要读出数据,首先需要给T4加上一个预充电信号,然后VDD给读数据线充电,代表需要读出的数据是“1”,进行读出时,读选择线是高电平。此时,如果原来存储在电容里面的数据是“0”,则电容为低电平,不带电,那么T1并不会接通。因此此时存的数据是“0”,读出的数据却是“1”。//相反,如果存的数据是“1”,那么T1管就会接通,T1、T2导通接地,所以此时读数据线为低电平,读出的数据就是“0”,。这就是“读出与原存信息相反”,因此需要在读数据线输出端加一个与门。
- 如果需要写入数据,写选择线为高电平,T3管接通,写数据线若是高电平,就会给Cg充电,写入数据“1”,如果写数据线是低电平,则Cg会通过T3管放电,存入的数据是“0”。这就是“写入与输入信息相同”。
二、单管MOS动态RAM基本单元电路
当行被选中时,字线就会通电。
读出数据时:如果Cs存储的是数据“1”,那么就会通过T给数据线放电,使数据线产生电流,如果存的是数据“0”,则数据线会给CS充电,那么此时数据线内部就不会有电流。
写入数据时:数据线要传输的数据如果是“1”,则数据线里面会有电流,就会通过T给Cs充电,存入数据“1”,数据线如果要传输的数据是“0”,则数据线不带电,Cs会立马向外放电,放电后代表存储的数据是“0”。