DRAM基本MOS管电路原理

最新推荐文章于 2023-11-05 20:25:24 发布
最新推荐文章于 2023-11-05 20:25:24 发布
阅读量1.8k 收藏 15
点赞数 1
文章标签： 硬件架构
版权声明：本文为博主原创文章，遵循 CC 4.0 BY-SA 版权协议，转载请附上原文出处链接和本声明。
本文链接：https://blog.csdn.net/qq_64866201/article/details/126914801
版权

一、三管MOS DRAM基本单元电路原理

  1. 如果需要读出数据，首先需要给T4加上一个预充电信号，然后VDD给读数据线充电，代表需要读出的数据是“1”，进行读出时，读选择线是高电平。此时，如果原来存储在电容里面的数据是“0”，则电容为低电平，不带电，那么T1并不会接通。因此此时存的数据是“0”，读出的数据却是“1”。//相反，如果存的数据是“1”，那么T1管就会接通，T1、T2导通接地，所以此时读数据线为低电平，读出的数据就是“0”，。这就是“读出与原存信息相反”，因此需要在读数据线输出端加一个与门。
  2. 如果需要写入数据，写选择线为高电平，T3管接通，写数据线若是高电平，就会给Cg充电，写入数据“1”，如果写数据线是低电平，则Cg会通过T3管放电，存入的数据是“0”。这就是“写入与输入信息相同”。

二、单管MOS动态RAM基本单元电路

当行被选中时，字线就会通电。

读出数据时：如果Cs存储的是数据“1”，那么就会通过T给数据线放电，使数据线产生电流，如果存的是数据“0”，则数据线会给CS充电，那么此时数据线内部就不会有电流。

写入数据时：数据线要传输的数据如果是“1”，则数据线里面会有电流，就会通过T给Cs充电，存入数据“1”，数据线如果要传输的数据是“0”，则数据线不带电，Cs会立马向外放电，放电后代表存储的数据是“0”。

 

Peach＇s Drink
关注
  • 1
    点赞
  • 踩
  • 15
    收藏
    觉得还不错? 一键收藏
  • 1
    评论
【DRAM存储器一】基本存储单元、阵列结构、读写原理
highman110的博客
06-14 4674
详述DRAM存储器存储单元、存储阵列结构和读写原理
RAM学习笔记2-DRAM
bawanglong1d2j3的博客
07-07 818
SRAM的基本存储位元由6个mos管组成，所用的管子多，功耗大，使得容量受到限制。DRAM则克服了这些缺点。DRAM的基本存储位元有两种形式：单管存储单元和三管存储单元。
DRAM
SJMP
02-10 1119
DRAM 　　    3管动态RAM基本存储电路 简介 　　DRAM（Dynamic Random Access Memory），即动态随机存取存储器最为常见的系统内存。DRAM 只能将数据保持很短的时间。为了保持数据，DRAM使用电容存储，所以 必须隔一段时间刷新（refresh）一次，如果存储单元没有被刷新，存储的信息就会丢失。 （关机就会丢失数据） 工
MOS管基础知识
Hungryday - 最大的舞台是天空和大地。
07-24 5136
现在的高清、液晶、等离子电视机中开关电源部分除了采用了PFC技术外，在元器件上的开关管均采用性能优异的MOS管取代过去的大功率晶体三极管，使整机的效率、可靠性、故障率均大幅的下降。由于MOS管和大功率晶体三极管在结构、特性有着本质上的区别，在应用上；驱动电路也比晶体三极管复杂，致使维修人员对电路、故障的分析倍感困难，此文即针对这一问题，把MOS管及其应用电路作简单介绍，以满足维修人员需求。 一、
典型电路-----DRAM
xavi_siege的专栏
04-11 1135
DRAM；速度慢，功耗小，容量大 SRAM：速度快，功耗大，容量小   (1) DRAM 基本单元由1个MOS管和1个电容构成 (2) SRAM  基本单元由6个MOS管构成，利用双稳态触发器的两个状态表示1和0，达到存储数据的功能。      SRAM  基本单元由6个MOS管构成，利用双稳态触发器的两个状态表示1和0，达到存储数据的功能。       当写入1时，列地址
内存学习（3）：DRAM的基础存储结构（存储层级、读写过程，刷新与暂存）
最新发布
呆呆象呆呆的博客
11-05 8499
DRAM，全称为 Dynamic Random Access Memory ，中文名是“动态随机存取存储器”。所谓“动态”是和“静态”相对应的，芯片世界里还有一种 SRAM 静态随机存取存储器的存在。笼统地说，DRAM 的结构比 SRAM 更简单，面积占用更小，适合制作大容量的存储芯片；而 SRAM 结构复杂一些，一般使用六个晶体管，面积消耗大，但是读写速度快，而且因为 SRAM 只用到晶体管，所以在工艺上和逻辑芯片相兼容，我们可以在逻辑芯片上直接集成 SRAM。
数字电路基础知识——时序逻辑电路之存储器(SRAM、DRAM、ROM)
热门推荐
用心记录每天的学习，提升自己，虽然有的很基础但真的很重要！
10-10 2万+
数字电路基础知识——时序逻辑电路之存储器 RAM：Random Access Memory，随机存取存储器，手机、计算机的运行内存。 一、静态随机存储器（SRAM） 二、动态随机存储器（DRAM） 三、只读存储器（ROM） 四、存储器容量的扩展
DRAM逻辑结构
m0_73497852的博客
10-17 993
DRAM逻辑结构
晶体管和mos管区别，MOS管是什么？
guimaxiansheng7的博客
03-11 1万+
晶体管和mos管区别 什么是MOS管 MOS晶体管是金属-氧化物-半导体场效应晶体管，或金属-绝缘体-半导体。MOS管的源漏是可互换的，它们是在P型背栅中形成的N形区域。在大多数情况下，这两个区域是相同的，甚至两端的对准也不会影响器件的性能。这种装置被认为是对称的。 什么是晶体管 在严格意义上，晶体管是指基于半导体材料的单个元件、由各种半导体材料制成的二极管、三极管、场效应晶体管、可控硅等...
cmos逻辑门传输延迟时间_MOS管设计知识：传输管TG的原理及组合逻辑延时分析
weixin_39550410的博客
11-22 5899
1、MOS的基本性质MOS，即场效应管，四端器件，S、D、G、B四个端口可以实现开和关的逻辑状态，进而实现基本的逻辑门。NMOS和PMOS具有明显的对偶特性：NMOS高电平打开(默认为增强型，使用的是硅栅自对准工艺，耗尽型器件这里不涉及)，PMOS低电平打开。在忽略方向的情况下，采用共S极接法，有如下特性：第一张图是Vds随Vgs变化的情况，用于描述开关特性。后面的逻辑分析一般基于这个原...
SRAM和DRAM存储原理
weixin_44331900的博客
08-12 8605
SRAM和DRAM存储原理一、静态随机存取存储器（SRAM）1.基本单元结构2.SRAM结构二、动态随机存取存储器（DRAM）1.基本单元结构2.DRAM结构三、SRAM和DRAM区别 一、静态随机存取存储器（SRAM） 1.基本单元结构 静态随机存取存储器（Static Random Access Memory）是随机存取存储器RAM的一种。“静态”是指只要保持通电，里面存储的数据就可以恒常保持。但是断电后数据会发生丢失。SRAM最常见的结构是6管存储单元。如下图所示，由6个MOS管组成，其中4个NMOS
【计算机组成原理】存储器
arctanx
08-10 1021
存储器就是带存储功能的部件，它是冯诺依曼体系里必不可少的组成部分。在冯的模型中我们把存储器抽象成一个了整体，而在现代的计算机中，存储体系是采用的分层的策略。
DRAM刷新电路原理
weixin_34019144的博客
06-03 2551
原文：DRAM的电路模型及工作原理 DRAM（Dynamic Random Access Memory） 即动态随机存取存储器，它和 SRAM(静态随机存取存储器)一样都是常见的系统内存，也就是说我们个人电脑里的内存条通常都是DRAM。但是DRAM和 SRAM 两者之间有着很大的区别。其中最大的区别就是 DRAM 的地址总线接口与 SRAM 的不同。DRAM 使用了dram 地址复用技术...
随机只读存储器(DRAM与SRAM的存储原理)
Cold_Meteor的博客
08-07 595
随机只读存储器简要讲解(DRAM、SRAM的存储原理)
DRAM 原理 1 ：DRAM Storage Cell
子曰小玖的博客
04-03 5804
http://www.wowotech.net/basic_tech/307.html相关文章：DRAM 原理 2 ：DRAM Memory OrganizationDRAM 原理 3 ：DRAM DeviceDRAM 原理 4 ：DRAM TimingDRAM 原理 5 ：DRAM Devices Organization1. Storage CapacitorDRAM Storage Cell...
图解RAM结构与原理，系统内存的Channel、Chip与Bank
学而不思则罔，思而不学则殆
03-30 1万+
文章目录标题挥发性内存分2种，SRAM和DRAM主内存子系统channel 和 DIMMrank 和 chipbank、row、column内存的读写方式越多越好，加速读写能力 bank、rank、channel这些关于内存的名词是否已困绕许久，疑似了解却又说不出个所以然来。 就让我们一步步拆解内存的面纱，从架构到读写方式逐步揭开内存的秘密。 标题挥发性内存分2种，SRAM和DRAM RAM（Ramdom Access Memory）随机存取内存，之所以称作「随机存取」，是因为相较于早期的线性储存媒体（磁带
存储器——SRAM/DRAM
qq_43581718的博客
04-22 6098
一、内部存储器 1、内部存储器是半导体存储器 2、分类 (1)、静态读写存储器SRAM 速度快、成本高、容量小、功耗低、一般用作Cache (2)、动态读写存储器DRAM 容量大、成本低、速度慢、功耗高、用作主存 二、SRAM 1、存储位元 SRAM的存储位元是由两个MOS反相器交叉耦合而成的触发器，一个存储位元存储一位二进制代码 2、三组信号线 (1)、地址线：字数 (2)、数据线：字长 (3...
DRAM基本知识及操作系统内存管理策略
weixin_42749767的博客
10-09 4621
DRAM基本知识及操作系统内存管理策略一、DRAM工作原理概述二、内存分区1.固定分区(Equal-size partitions)2.动态分区三、虚拟内存置换策略 一、DRAM工作原理概述 DRAM(Dynamic Random Access Memory)即动态随机存储器，由许多重复的“单元”——cell组成，每一个cell由一个电容和一个晶体管（一般是N沟道MOSFET）构成，电容可储存1b...
第八章、Tiny4412 U-BOOT移植八 SDRAM工作时序与原理
eshing的专栏
07-08 2162
DDR出身自SDRAM，严格的说应该叫DDR SDRAM，DDR SDRAM是Double Data Rate SDRAM的缩写，是双倍速率同步动态随机存储器的意思，所以，有很大一部分，两者是一样的，理解SDRAM，然后再来理解DDR。在SDRAM上的改进，效果应该更好一些，这里要感谢Chinaunix.net的大神--Tekkaman Ninja，我的内存的学习资料都是Tekkaman Ni
DRAM动态存储原理与集成电路发展概述
数字集成电路的基础单元如开关管、反相器和组合逻辑门被详细解释，而MOS开关和CMOS反相器的工作原理和等效电路也进行了深入讨论。这些内容表明，DRAM作为微电子学的一部分，是理解现代计算机系统存储技术不可或缺的...
评论 1
添加红包

请填写红包祝福语或标题

个

红包个数最小为10个

元

红包金额最低5元

当前余额3.43元 前往充值 >
需支付：10.00元
成就一亿技术人!
领取后你会自动成为博主和红包主的粉丝 规则
hope_wisdom
发出的红包
实付元
使用余额支付
点击重新获取
扫码支付
钱包余额 0

抵扣说明：

1.余额是钱包充值的虚拟货币，按照1:1的比例进行支付金额的抵扣。
2.余额无法直接购买下载，可以购买VIP、付费专栏及课程。

余额充值