6_高速电路电源完整性

原文见《高速电路PCB设计与EMC技术分析》

电源完整性问题：在高速系统中，电源分配网络在不同频率时，存在不同输入阻抗，导致PCB电源/地平面上出现由ΔI噪声电流和瞬态负载电流引起的ΔV噪声电压，造成供电不连续，产生电磁干扰，严重影响高速系统的正常工作。

6.1 电源完整性问题概述

同步开关噪声：高速电路中，内部门电路输出0和1之间的转换，门电路中的晶体管不停地导通和截至，这时会有电流从电源流入门电路，或从门电路流入地线，使电源线或地线上的电流不平衡，产生瞬间变化的ΔI，流经电感形成交流电压降，进而引起噪声。

如果同时发生状态转换的输出缓冲器较多时，这个压降足够大，从而导致电源完整性问题，将这种噪声称为同步开关噪声，或者ΔI噪声。

同步开关噪声对驱动端输入信号影响：在驱动端本来要发送的低电平会出现相应的噪声波形，而对于开关信号波形来说，会因为地噪声的干扰导致信号的下降沿变缓，并且出现纹波。

对接收端信号的影响

更为严重的是，在一些存储性器件里，还有可能因为本身电源/地噪声的影响造成数据意外翻转

同步开关ΔI噪声分为芯片级ΔI噪声和电路板级ΔI噪声。

6.1.1 芯片内部开关噪声

在开关的瞬间，加在芯片上的电源电压会下降，随后围绕Vs呈阻尼振荡。

6.1.2 芯片外部开关噪声

地弹：芯片地和系统地并不是保持同样的零电位，而是存在Vgb的电压波动。

电源反弹：低电平到高电平转换时，由于感应电压的影响，芯片内电源电压将低于系统电源电压。

减小地弹措施：
①降低驱动器的边沿速率，满足时序要求的最慢边沿速率将产生最小的噪声；
②减小封装回路电感，即减小自感或者增大互感；
③在芯片封装内部使用去耦旁路电容

6.1.3 减小同步开关噪声的其他措施

①增大信号的翻转时间。

②合理布局电源/地引脚。
同一类型的电源或地（如同是数字地或同是模拟地）引脚往往不止一个，尽管这些引脚在内部逻辑上都是连通的，但安排芯片的电源时，应当将同一类型的电源和地等价对待。

③使用差分信号线传输信号可以抑制流过寄生参数器件的电流。

④20H原则就是相对地平面，电源平面需要缩进PCB20倍厚度的距离进行布线；

⑤在信号速率很低时，回流沿电阻最小的通路；当速率较高时回流则沿电感最小的通路。

6.1.4 同步开关噪声总结

芯片外同步开关在工作的时候，1到0的变化与0到1的变化同时存在，并且跳变不一致，因而导致某些回流方向相反，会因耦合而降低等效电感。在实际中，都把所有的同步开关状态按一致变化情况当最坏的可能。

一般Leff（信号回路等效电感）越大，意味着同步开关噪声也越大。

实际中，为了权衡电源稳定性和信号干扰之间的重要性，Leff大也并不代表封装质量很差

6.2 电源分配网络系统设计

电源分配网络系统的作用就是给系统内所有器件或芯片提供足够的电源，并满足系统对电源稳定性的要求。

问：为什么电源会波动？

其原因是电源分配系统总是存在着阻抗，因此在瞬间电流通过的时候，就会产生一定的电压降和电压波动

电源之所以要波动，是因为电源分配系统存在阻抗，在ΔI噪声电流和瞬态负载电流通过的时候，就会产生ΔI噪声电压，造成电源电压波动。

6.2.1 去耦电容的模型

电容按功能分类：有旁路电容、去耦电容和滤波电容。

旁路电容起的主要作用是给交流信号提供低阻抗的通路；

去耦电容的主要功能是提供一个局部的直流电源给有源器件，以减少开关噪声在板上的传播和将噪声引导到地，减小电压纹波干扰；

滤波电容常用于滤波电路中。小电容才能被应用于高频。

当频率很高时，电容不再被当做集总参数看待，寄生参数的影响不可忽略。
寄生参数包括Rs等效串联电阻（ESR）和Ls等效串联电感（ESL）

谐振频率和等效阻抗为：

电容器在谐振频率以下表现为容性；在谐振频率以上时表现为感性，此时的电容器的去耦作用逐渐减弱。
电容器的等效阻抗随着频率的增大先减小后增大，等效阻抗最小值为发生在串联谐振频率处的ESR。

小电容谐振频率较高，用在高频去耦。大电容谐振频率很低，用在低频去耦。（小电容高频，大电容低频）

N个相同的电容并联后，等效电容C为NC，ESL为L/N，ESR为R/N，但谐振频率固定。

反谐振：因为每个电容的谐振频率不同，当工作频率处于最低谐振频率和最高谐振频率之间时，一些电容表现为容性，另外一些表现为感性，形成了一个LC并联谐振电路。当处于谐振状态时，电容和电感之间进行周期性的能量交换，以至流经电源层的电流非常小，电源层表现为高阻抗状态，称这种现象为反谐振。

电源/地平面也可以等效为一个电容，因此也会在一定频率下和呈感性的电容发生并联谐振。

使用多种电容时，减小不同电容之间谐振频率的相对差值，即可有效地减小反谐振的影响。

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去耦电容对ΔI噪声电流的抑制作用

采用去耦技术阻止能量从一个电路传输到另一个电路。

ΔI噪声电流解决方案一般是选择安装去耦电容来提供一个电流源，以补偿逻辑器件工作时所产生的ΔI噪声电流。

去耦电容可以分为两种：
本地去耦电容可以就近为器件产生的ΔI噪声电流提供一个电流补偿源；
整体去耦电容则为整个系统提供一个电流源，以补偿系统工作时所产生的瞬间ΔI噪声电流。

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本地去耦电容

所有高速逻辑器件都要求安装本地去耦电

往往采用一个值比较大的电容和一个值比较小的电容（比如0.1μF和0.001μF的电容）并联，作为一个去耦旁路电容。

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整体去耦电容

整体去耦电容又称旁路电容，一般为本地去耦电容容量的10倍，通常安放在整个印制电路板外接电源线和地线间。

去耦电容就像一个储备库，一旦电源系统出现电流短缺，通过充电和放电的形式立即补给。

去耦电容破坏作用：高速工作时，电容的引线会带来电感，一般有几个nH，它们与去耦电容在较高频率发生谐振，极大地增大了电路中电源线、地线系统的阻抗，破坏了去耦电容对ΔI噪声电流的抑制补偿作用

6.2.4 电源/地平面对的模型

电源/地平面对可以被当做一个理想的平板电容

工程上一般用简化的分布/集总式等效电路的建模仿真方法来对电源/地平面对进行分析

式中，ε0=8.85pF/m为自由空间介电常数；εr为充满电源平面和地平面之间介质的相对介电常数；A为电源平面与地平面重叠部分的面积；d为电源平面与地平面之间的距离。

原文见《高速电路PCB设计与EMC技术分析》