《涨知识啦31》-电流拥挤效应对深紫外发光二极管光电性能的影响

本周《涨知识啦》主要给大家介绍的是深紫外发光二极管中的电流拥挤效应。目前深紫外发光二极管（DUV LED）主要采用倒装结构来降低紫外光自吸收的问题，所以芯片的p-型电极焊盘和n-型电极焊盘只能制备在外延片表面的同一侧，常见器件结构及等效电路如图1所示。由于电流扩展层（CL）的厚度远小于n型AlGaN层的厚度，所以CL层的横向电阻RCL大于n型AlGaN层的横向电阻Rn，也就是说电流J1通过p-型电极焊盘下方的路径时受到的阻力远小于电流Jn受到的阻力，导致器件内部产生电流拥挤效应, 即p型电极焊盘下方的电流密度大于靠近n型电极焊盘所在台面边缘的地方。此外，高Al组分的p型AlGaN材料的Mg杂质电离能较高，导致p-AlGaN区域的空穴浓度过低，降低了器件p型区域的电导率，进一步加剧DUV LED内部的电流拥挤效应。电流拥挤效应会使器件局部区域的载流子浓度降低，这就意味着注入到有源区中的电子-空穴对产生的辐射复合率降低，最终影响器件的发光性能。同时，电流拥挤效应还会增加DUV LED的正向工作电压，致使器件结温升高，造成效率衰减，影响器件寿命。

图1. AlGaN基DUV LED剖面结构示意图，其中电流J1至Jn代表从p型电极焊盘到n型电极焊盘的电流传输路径。
为改善电流拥挤效应，需要使电流在整个器件中均匀扩展，这主要有两种解决方法：
一是通过优化电极几何形状（例如采用X型电极、H型电极和叉指电极等图形化的电极），改变电流传输路径，参考图2；