LED(Light-emitting diodes)作为一种电光转换器件,不仅要求其具有较高的外量子效率,优良的电学(I-V)特性也是决定其电光转化效率的关键因素之一。因此对I-V特性的深入研究有助于设计制备高性能的LED器件。
在正常工作状态下,LED本质上属于一种正偏PN结,所以理想I-V特性曲线如图 1实线所示,然而,在实际的仿真设计、实验器件制备中,我们经常会遇到实际输出的I-V特性曲线严重地偏离理想工作状态,那么影响LED器件的I-V特性的因素有哪些呢?
图 1 串联电阻和并联电阻改变对LED器件I-V特性影响对比图
我们知道,导致器件I-V特性变化的直接因素就是器件内部的电阻分布,具体可以细分为串联电阻和并联电阻,其简化电路模型如下图所示。
图 2 LED器件等效电路图
首先,串联电阻(Rs)的增加会使器件消耗更多的电压,即需要更高的驱动电压实现同样的电流输出,直接表现为器件正向工作电压的增加、曲线斜率的减小,具体如图 1(Effect of series resistance)所示,而引起串联电阻变化的因素一般包括器件内部的掺杂浓度、载流子迁移率和金半接触电阻的变化等。
其次,并联电阻(Rp)导致载流