低温启动可能的问题

我现在强的可怕

于 2025-01-01 22:30:52 发布

阅读量413

点赞数

文章标签：元器件

原文链接：https://mp.weixin.qq.com/s/apzq1GtvemrcpDXHEud-nQ

版权

1. 电池或电源问题

原因：

电池在低温环境下放电能力降低，内阻增大，可能导致设备供电不足。
电源管理电路无法正常启动或供电电压偏低。
我们设备采用锂电池，锂电池在低温时候放电能力急剧下降。锂电池的电解液负责锂离子的传导，在低温下，电解液的粘度会增加，甚至可能部分结晶化，导致锂离子的迁移率显著下降。这种传输能力的降低会直接影响电池的内阻增大，使得电池的放电能力减弱。

解决措施：

使用低温性能优异的电池（如锂亚硫酰氯电池或特殊锂离子电池）。
测试供电电路在低温环境下的输出是否稳定，必要时优化电源设计。
增加加热器或电池保温措施。

2. 电容器特性退化

原因：

常规电解电容器在低温下等效串联电阻（ESR）增加，导致滤波效果变差。
陶瓷电容的温度特性可能使电容值下降。

解决措施：

替换为宽温度范围（如 -55°C 至 +125°C）的低温专用电容器。
优化电源滤波电路以适应低温特性。
增强电容滤波特性，增加设计余量，考虑低温情况下，电容容值和ESR变化带来的影响，以及选择更大容值，或者更低ESR电容。

3. 振荡电路启动失败

原因：

晶体振荡器在低温下起振困难或频率漂移。
晶体参数与电路不匹配，导致低温下的振荡裕度不足。

解决措施：

使用宽温晶体振荡器或增加起振电路的裕度。
在低温环境下测量振荡信号，并调整匹配电容值。

4. 二极管的低温特性

特性变化：

正向压降增大：
二极管的正向压降（Vf）随温度降低而增加，每降低 1°C，典型值增大约2−2.5 mV。
在低温下，正向压降过高可能导致电路无法正常导通。
反向漏电流减小：
低温会降低少子浓度，反向漏电流显著减小，有利于减小反向功耗。
在这里插入图片描述

针对这个特性来说，高温容易出问题。
开关速度变化：
开关速度可能受影响，尤其是高速肖特基二极管，因载流子存储效应变慢。

解决措施：

选择正向压降更低的器件（如低温特性更好的肖特基二极管或快速恢复二极管）。
增加电路的驱动裕量，确保二极管在低温下仍能导通。
验证开关频率与二极管的反向恢复时间匹配。

5. 三极管（BJT）的低温特性

特性变化：

增益变化：

三极管的直流增益（hFE）在低温下减小，这是由于少子寿命缩短导致的。
低增益可能导致放大器性能下降，或开关电路驱动不足。
V_BE 电压升高：
基-射极电压（VBE）随温度降低而增加，约2 mV/°C如果驱动电压不足，可能导致器件无法完全导通。
饱和电压降低：
VCE(sat)（饱和压降）通常会降低，有利于开关损耗减小。

解决措施：

调整偏置电阻值或选择宽温增益稳定的器件。
增加驱动电压裕量以应对VB 增高问题。
对开关电路，测试是否在低温下仍能进入完全饱和状态。

6. MOSFET 的低温特性

特性变化：

阈值电压Vth增加：
MOSFET 的开启阈值电压Vth 随温度降低而增加，这可能导致低栅压驱动的电路无法导通。
导通电阻RDS(on)减小：
低温下载流子迁移率增加，使RDS(on)减小，导通损耗降低。
开关特性变化：
栅极电容的特性可能随温度改变，影响开关速度。
雪崩耐量提高：
在低温下，MOSFET 的雪崩电流能力（耐压能力）通常增强。