Power/Ground平面转移阻抗特性

理解电源分配网络（PDN）的阻抗特性对电源完整性设计至关重要，这一篇文章我们来看看PDN阻抗的一个隐藏的参数，转移阻抗。根据端口的数量，阻抗矩阵包含自阻抗（对角元素）和转移阻抗（非对角元素）。自阻抗定义为端口电流与其自身电压的比值（其他端口开路）：

移阻抗则定义为端口j注入电流时，端口i的电压响应（其他端口开路）：

典型的PDN由去耦电容、缝合过孔和平面对腔体组成。通过分析自阻抗或转移阻抗的频域特性，可深入理解信号与腔体元件的相互作用。    

当信号返回电流在腔体内扩散时，其覆盖面积逐渐增大，导致电感值持续上升，直至覆盖整个电路板。对于上图所示的径向传播电流环路，扩散电感可通过下式计算：

腔体的自阻抗和转移阻抗可分解为三项（下图为对数坐标系下的仿真示例）：

    

公式与仿真结果表明：低频段阻抗呈容性，高频段呈感性。M(ω)项代表腔体模态共振，在共振频率处叠加于电感项。接下来重点讨论高频段扩散电感因信号衰减导致的转移阻抗变化，并解释自阻抗与转移阻抗的差异化行为。

选择一个边长为38in（96.52cm）、介质厚度3mil（0.076mm）的方形腔体进行仿真。选择大尺寸腔体旨在观察信号衰减与模态共振的受控变化。介质相对介电常数设为εr=4.3。探针U1位于板中心（端口1），U2距U1 6in（152.4mm）（端口2）。端口一端连接电源平面，另一端接地平面。探针周围的隔离孔直径为44mil（1.12mm），模拟信号过孔的反焊盘结构。    

分别设置三种不同的介质损耗因子（tanδ=0.0、0.01、0.035）进行仿真。导体设为理想导体（PEC，电导率σ=1e10S/m），以抑制高频段导体损耗的影响。

仿真的频率范围为100MHz至10GHz（大尺寸腔体的模态共振频段）。由于损耗具有频率依赖性，高频模态的衰减效应更显著。下图展示了三种仿真的转移阻抗∣Z21∣幅值曲线。如预期，随着损耗因子增大，高频共振峰值的衰减更明显。但另一现象是：当tanδ=0时（蓝色曲线），阻抗基线随频率持续上升（源于扩散电感）；而tanδ=0.01时（绿色曲线），阻抗约在6 GHz处趋于平坦； tanδ=0.035时（红色曲线），阻抗在2 GHz后开始下降。若电感阻抗随频率增加，为何∣Z21∣会下降？     

电源/地平面对的衰减由传播常数的实部决定：

其中

为趋肤深度，σ为导体电导率。对于低损耗介质且平面间距远大于趋肤深度的情况，衰减α可近似为：

该公式包含导体损耗与介质损耗，但未计入表面粗糙度或辐射损耗。若仅改变介质损耗因子，则相同位置的电压比为：

    

前文图已表明，高频段转移阻抗的下降源于信号衰减导致的扩散面积缩小。理论上，扩散电感随电流覆盖面积增大而上升，但高频衰减会限制电流扩展范围。当衰减效应主导时，有效扩散半径RA减小，电感值下降。

此时存在两种竞争效应：电感阻抗随频率上升，而电感值因衰减下降。当二者平衡时，转移阻抗趋于平坦；超过临界频率后，电感值下降主导，阻抗开始降低（前文图中红色曲线更早出现下降）。

自阻抗（上图）在高频段仍持续上升，因其主要受探针附近区域的扩散电感影响。而转移阻抗对板边缘附近的电感变化更敏感。下图对比了公式与仿真的电感-径向距离曲线，验证了上式的准确性。    

自阻抗的扩散电感由隔离孔半径r到RA的环形区域决定；而转移电感的计算涉及板边缘半径RB。由于RB/RA≫RA/r，且RA与RB量级相近，因此转移电感对板边缘变化更敏感。

     下图又对比了tanδ=0.035时自阻抗与转移阻抗的电感提取值。自阻抗电感从1 GHz的0.08 nH降至10 GHz的0.04 nH（斜率减缓）；转移电感则从5 pH降至0.5 pH（急剧下降），与前文图的阻抗跌落一致。

    

从上面的仿真结果可以看到，低损耗或高损耗材料的电源/地平面腔体转移阻抗均会在高频段出现下降。这是由于信号衰减导致返回电流覆盖面积缩小，扩散电感值降低。当电感下降速率超过频率上升导致的阻抗增长时，转移阻抗开始跌落。