硬件：原理篇【持续更新】

LTspice

独立电压源（independent Voltage Source）

可参考Voltage Source 参数配置

help(F1)中有详细解释

Functions

PULSE(V1 V2 Tdelay Trise Tfall Ton Period Ncycles)

Voff:关断电压
Von:脉冲电压
Tr:上升沿
Tf:下降沿
Ton高电平持续时间
Tperiod:周期

SINE(Voffset Vamp Freq Td Theta Phi Ncycles)

Damping factor:阻尼系数

EXP(V1 V2 Td1 Tau1 Td2 Tau2)

SFFM(Voff Vamp Fcar MDI Fsig)

PWL(t1 v1 t2 v2…)

PWL(FILE)

FILE.txt
0s,1v,
0.009s,1v,
0.0091s,0v,
0.0135s,0v,
0.01405s,0v,
0.01406s,1v,
0.01574s,1v,
0.01575s,0v,
0.02134s,0v,
0.02135s,1v,
0.02190s,1v,
0.02191s,0v,
0.02246s,0v,
0.02247s,1v,
0.02415s,1v,
0.02416s,0v,
0.02471s,0v,
0.02472s,1v,
0.02527s,1v
0.02528s,0v

Small signal AC Analysis(AC)(交流小信号分析)

Amplitude：振幅
Phase：相位

Parasitic Properties(寄生特性)

Series Resistence :串联电阻
Parallel Cpaacitance：并联电感

二极管

单温度扫描

扫描：.step param res -0.8v 1v 0.004v
不同电压下的不同的电流

用.step param 命令的扫描

用.dc命令的扫描

齐纳二极管扫描曲线

TVS二极管扫描曲线

硅二极管电学特性

肖特基二级管

参数解释

Vbrkdn[V]:二极管的反向击穿电压
Iave[A]:二极管的平均整流电流

type	详情
Zener(齐纳二极管)	稳压二极管（zener diode），也称齐纳二极管。它的特点是利用PN结反向击穿时，其电流可在很大范围内变化而电压基本不变，从而起到稳压作用。稳压二极管是根据击穿电压来分档的，广泛用于稳压电路和限幅电路中。
Schottky（肖特基二极管）	也被称为热载流子二极管，是一种具有低正向压降和非常快速的开关动作的半导体二极管。当电流流过肖特基二极管时，肖特基二级管端子上有一个小的电压降。普通二极管的电压压降在0.6V-1.7V之间，而肖特基二极管的电压降通常在0.15V-0.45V之间。这种较低的电压降提供了更好的系统效率和更高的开关速度。在肖特基二极管中，半导体和金属之间形成了一个半导体-金属结，从而形成了肖特基势垒。N型半导体作为阴极，金属侧作为二极管的阳极。这种肖特基势垒导致低正向电压降和非常快速的开关。
silicon（硅二极管）
varactor（变容二极管）	变容二极管（也称为变容二极管、变容二极管、调谐二极管）是一种 pn 结二极管，在其端子上的反向偏置电压变化时充当可变电容器。
LED（发光二极管Light Emitting Diode）
TVS（瞬变电压抑制二极管Transient Voltage Suppressors）	当TVS管两端经受瞬间的高能量冲击时，它能以10^-12秒量级的速度，将其两极间的高阻抗变为低阻抗，吸收高达数千瓦的浪涌功率，使两极间的电压箝位于一个预定值，有效地保护电子线路中的精密元器件，免受各种浪涌脉冲的损坏。
FastRecovery(快恢复二极管)	快恢复二极管的反向恢复时间一般为几百纳秒，正向压降约为0.6V，正向电流是几安培至几千安培，反向峰值电压可达几百到几千伏。超快恢复二极管的反向恢复电荷进一步减小，使其trr可低至几十纳秒。快恢复二极管，具有反向阻断时高耐压低漏电流，正向低通态电阻大电流的特点。由于作为开关使用，因此一般需要其开关速度较快。另外，适当选择续流二极管的特性，尤其是反向恢复特性，如反向恢复时间和反向恢复软度，能够显著减少开关器件、二极管和其他电路元件的功耗，并减小由续流二极管引起的电压尖峰、电磁干扰，从而尽量减少甚至去掉吸收电路。

参考材料

1.Ltspice波形绘制之横纵坐标的修改与自定义，可用于绘制 滞回曲线，循环扫描曲线等
2.模拟电路&仿真LTspice（1）：二极管特性曲线
3.LTspice基础教程-024.参数扫描；step指令用法
3.深圳市壹芯微科技有限公司

三极管

导通原理

还是基于一个“同性相斥，异性相吸”的原理
由于半导体掺杂原因，n(negative)型半导体对外呈带负电（电子为多子），p(positive)型半导体对外呈带正电（空穴为多子）
电源对发射极和集电极“一推一拉”形成趋势，奈何基极“从中作梗”，若基极有所“滑动”，那么顺理成章，“推拉”便成势，但仍受基极的“滑动”所制衡。

扩展

选择与添加其他型号的三极管

1.右键

2.Pick New Transistor

3.然后三极管的分布参数就在模型中有了
...\LTspice\lib\cmp\standard.bjt 里面是参数

.model 2N2222 NPN(IS=1E-14 VAF=100
+   BF=200 IKF=0.3 XTB=1.5 BR=3
+   CJC=8E-12 CJE=25E-12 TR=100E-9 TF=400E-12
+   ITF=1 VTF=2 XTF=3 RB=10 RC=.3 RE=.2 Vceo=30 Icrating=800m  mfg=NXP)

4.如何添加呢->[Standard.bjt]找到所需要的型号

5.在...\LTspice\lib\cmp\standard.bjt中添加

6.关闭软件重启即可找到新添加的型号

参考：LTspice基础教程-015.导入第三方库

参数解释

.model 2SC1815
NPN(
Is=2.04f Is：反向饱和电流
Xti=3 Xti：本底结温度系数
Eg=1.11Eg：带隙能量
Vaf=6 Vaf：集电极浸润系数
Bf=400 Bf：直流放大因子
Ikf=20m Ikf：反向比例系数
Xtb=1.5 Xtb：基极结温度系数
Br=3.377Br：收集区域宽度调制系数
Rc=1 Rc：集电极电阻
Cjc=1p Cjc：结材电容
Mjc=.3333Mjc：结电容温度系数
Vjc=.75Vjc：结电容电压系数
Fc=.5 Fc：反向输运时间常数
Cje=25p Cje：极间电容
Mje=.3333Mje：极间电容温度系数
Vje=.75 Vje：极间电容电压系数
Tr=450n Tr：转换时间
Tf=20nTf：反向输运时间
Itf=0 Itf：反向输运电流
Vtf=0 Vtf：反向输运电压
Xtf=0 Xtf：反向输运时间温度系数
VCEO=45V VCEO：集电极-发射极最高耐受电压Maximum collector-emitter voltage with the base floating -> V
ICrating=150M 最大电流 Maximum collector current -> A
MFG=Toshiba) MFG：生产厂家

小成果

1.从逻辑分析仪上位机中获取包含沿的文件DSLogic-la-230602-112609.csv
2.通过csvopr.py处理成可以在LTspice中打开的文件data_with_edges.csv
3.在电路中导入PWLfile仿真
花里胡哨。。。

电子管

kicad建模

kicad SPICE