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目录
基础纹理
- 纹理:使用一张图片来控制模型的的外观。使用纹理映射(texture mapping)技术可以把图贴合在模型表面,逐纹素(texel)地控制模型的颜色。
- 纹理映射坐标(texture-mapping coordinates):利用纹理展开技术把纹理映射坐标存储在每个顶点上。通常该坐标用二维变量(u,v)表示,所以纹理映射坐标也被称为uv坐标。Unity中的坐标系符合OpenGL传统,原点坐标位于左下角。
- Blinn-Phong+纹理贴图:
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Gloss=8,specular=(168,83,47)
- 纹理属性:
Textur Type:贴图类型(诸如纹理,法线贴图等),书中有Texture属性,但在新版本编译器中应该是以Default选项作为了代替。
Alpha Source:书中的Alpha from,该部分和透明通道的生成有关。现在有三种类型:None,Input Texture Apha,from Grayscale。
Wrap Mode:决定当前纹理坐标超过[0,1]范围后将会如何被平铺(想要得到该效果就要在代码中处理便宜和缩放的数据)。现在有五种模式。其中Repeat是如果超过1则整数部分会被舍弃,直接使用小数进行采样,这样的结果时纹理会不断重复。第二种Clamp:超过1则只截取1,小于0则截取到0。剩余情况可以自行了解。
Filter Mode:决定当纹理用于变换而产生拉伸时将会采用哪种滤波模式。目前有三种:Point,Bilinear,Trilinear。得到滤波效果一次提升,但消耗性能也一次增大。
- 纹理缩小与纹理放大:纹理放大采用上述滤波模式即可。纹理缩小要将多个像素对应同一个目标,缩小时要考虑抗锯齿问题,一个常用解决方案是使用多级渐远纹理(mipmapping)技术。
- 多级渐远纹理纹理技术:提前采用滤波处理得到更小的图片,形成一个图像金字塔,每一层都是对上一层图像采样的结果。在实时运行时就可以快速得到像素结果。(用时间换区空间的做法)
- point模式:最邻近滤波。在放大缩小时它的采样像素数目通常只有一个,因此看起来会有像素风的效果。
- bilinear模式:使用了线性滤波,找到4个临近像素,对他们进行线性插值混合后得到最终像素,因此图像看起来像是被模糊了。
凹凸映射
- 凹凸映射(bump mapping):使用一张纹理来修改模型表面的法线,以便为模型提供更多的细节。该方法不会真的改变模型顶点位置,只是视觉上的效果。
- 方法:
1、高度映射(height mapping):使用高度纹理(height map)来模拟表面位移,然后得到一个修改后的法线值。该方法缺点是计算复杂,实时计算不能得到表面法线,需要由像素灰度值计算得来,所以需要消耗更多的性能。
2、法线映射(normal mapping):使用一张法线纹理(normal map)来直接存储表面法线。 - 法线纹理:法线纹理存储的是表面的法线方向,法线方向的分量范围在[-1,1],而像素的分量范围在[0,1]所以就要进行映射。
- 模型空间的法线纹理(object-space normal map):法线方向是相对于坐标空间来说的,所以可以将修改后的模型空间中的表面发现存储在一张纹理中。
- 副法线(bitangent):另一种处理方式是在切线空间(tangent space)中存储法线。每一个模型都有一个自己的切线空间,远点是该顶点本身,z 轴是顶点的法线方向,x轴是顶点的切线方向,y轴可以由法线和切线叉积而得,也被称为副法线。
- 使用模型空间存储优点:实现简单,更加直观。可以提供平滑的边界。
使用切线空间存储优点:自由度更高。可以进行UV动画。可以重用法线纹理。可压缩。 - 在切线空间下计算带有凹凸映射的光照模型:
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渐变纹理
- 利用渐变纹理来自由地控制物体的漫反射光照效果
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- 注意:请把贴图的Warp Mode改成Clamp来避免进行采样时候的浮点精度计算问题。
渐变纹理贴图
遮罩纹理
- 遮罩纹理(mask texture):允许利用贴图保护某些区域,使得它免于某些修改。我们可以利用高光遮罩纹理,逐像素地控制模型表面的高光反射强度。
- 流程:通过采样得到遮罩纹理的纹素值,然后使用其中某些通道的值来与这种表面属性相乘,这样,当该通道的值为0时,可以保护表面不收该属性的影响。
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用自带的UIMask代替了一下
- 因为自带的Mask效果不明显,我就做了一下减法,然后把Unity图标放进去了2333
- fixed3 specular = _LightColor0.rgb * _Specular.rgb * pow(max(0,dot(tangentNormal,halfDir)),_Gloss) – specularMask;
- 其他遮罩纹理:可以利用RGBA四个通道存储不同的属性值,例如高光反射强度存储在R,边缘光照强度存储在G,高光反射指数部分存储在B,发光强度存储在A。