WNM2030单N沟道20V0.95A功率MOSFET场效应晶体管WNM2030-3/TR

最新推荐文章于 2021-02-03 17:11:33 发布
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版权

单N沟道，20V，0.95A，功率MOSFET
WNM2030

说明

WNM2030是N通道增强型MOS场效应晶体管。 使用先进的沟槽技术和设计，提供卓越的RDS（ON）
低栅极电荷。 该设备适合使用在DC-DC转换，电源开关和充电电路。 标准产品WNM2030是无铅的无卤
电气特性

特征

FAE:13723714318
海沟技术
超高密度电池设计
出色的导通电阻，可提供更高的直流
极低的阈值电压
小包装SOT-723
曲线图1

应用

继电器，电磁铁，电机，LED等驱动器
DC-DC转换器电路
电源开关
负载开关
充电
典型特性封装

szriley123
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