WNM6001单N沟道 60V 0.50A 功率MOSFET晶体管WILLSEM

最新推荐文章于 2020-12-29 17:48:53 发布
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版权

WNM6001
单N沟道，60V，0.50A，功率MOSFET, WILLSEM

说明

WNM6001是N通道增强功能MOS场效应晶体管。使用先进的沟槽技术和设计，提供卓越的RDS（ON）
低栅极电荷。该设备适合使用在DC-DC转换，电源开关和充电电路。标准产品WNM6001不含铅，不含卤素。
SOT-23

特征

FAE:13723714318
出色的导通电阻，可提供更高的直流
极低的阈值电压
小包装SOT-23

应用

继电器，电磁铁，电机，LED等驱动器
DC-DC转换器电路
电源开关
负载开关
充电
最大额定值

绝对最大额定值

热阻额定值<

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szriley123
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