WNM3013增强型MOS场效应晶体管WNM3013-3/TR

WNM3013增强型MOS场效应晶体管WNM3013-3/TR
小信号N沟道，50V，0.25A，MOSFET

说明

WNM3013是N通道增强型MOS场效应晶体管。使用先进的沟槽
技术和设计，提供卓越的RDS（ON）低栅极电荷。该设备适合使用
在小信号开关。标准产品WNM3013 不含铅，不含卤素。

绝对最大额定值

WILLSEM FAE:13723714318
热阻额定值
a表面安装在FR-4板上，使用1平方英寸焊盘尺寸，1盎司铜
b表面安装在FR-4板上，使用最小焊盘尺寸，1oz铜
c脉冲宽度<380μs，占空比<2％
d最高结温TJ = 150°C。
参数符号10 S稳态单元
漏源电压VDS 50V
栅源电压VGS±20

连续漏极电流a d TA = 25°C ID 0.27 0.25A
TA = 70℃0.21 0.20
最大功耗a d TA = 25°C PD
0.44 0.38W
TA = 70℃0.28±0.24
连续漏极电流b d TA = 25°C ID
0.23 0.21A
TA = 70℃0.18±0.17