【基础复习】MOSFET

上学的时候没好好学，花点时间整理了一下，以免忘记。

【结论】关于MOS图示的解释

• G级的箭头方向判断：箭头代表衬底电子移动方向 （NMOS电子从衬底向栅极移动）
  （可以先记住0“Nmos Vgs > 0”，因此Nmos G级正压"吸电子” —— NMOS箭头往里，PMOS箭头往外）
• 电流方向判断：S代表载流子的源头，D代表载流子的目的地
  NMOS电子是载流子，电子从S->D，电流从D->S
  PMOS空穴是载流子，空穴从S->D，电流从S->D
• 体二极管方向判断1：MOS关闭时，体二极管不能让SD导通，因此NMOS的体二极管S->D能通，D（+）->S(GND)不能通
• 体二极管方向判断2：记住S和衬底固定接一起！ NMOS衬底是P型，所以PN从S（=衬底）->D（N型）
• 原级延申的一小段竖线，代表S和B的链接 （NMOS/PMOS相同）
• 栅极虚线是增强型，栅极两条直线是耗尽型

1. MOS导通的原理——反型层

• S级、B级、D级处于相同点位
• Vgs > 0
• 电子被“吸引“到表面，反型层通道打通
• 耗尽层的（电子和空穴形成平衡）位置降低

2. N沟道增强型MOS管的工作方式

• 实际应用中，S级、B级相连，处于最低电位
• Vgs > 0
• Vds施加正向电压，反型层变“斜”，电流从D->S
• 当电子到达夹断区边缘时，受夹断区强电场的作用，会很快的漂移到漏极。

3. P沟道增强型MOS管的工作方式

• 实际应用中，S级、B级相连，处于最高电位
• Vgs < 0 (负电压吸引空穴，形成反型层)
• Vds施加正向电压，反型层变“斜”，电流从S->D
• S和B通常接在一起，S和衬底之间PN节无效 —— 如NMOS，衬底为P，D是N

4. 耗尽型MOS管的特点

• 耗尽型在栅极未施加电压时，沟道已经存在
• 以NMOS为例，在G级施加反向电压，才会导致截止

5. S和D能否对调？ —— 体二级管的原理

• 从MOS本身来看，D和S是没区别的，衬底悬空情况下，S和D可以对调
• 从实际应用来看，不能对调
• 因为往往衬底不会单独给电压，并且也人为区分出了D和S级，也就是规定了电流方向 （不清楚是蛋生鸡还是鸡生蛋）
• NMOS S和衬底（P型）短接，S（=衬底P） -> D (N型) 产生PN结
• D接+, S接GND，电流只能在MOS导通时D（+）->S(GND)

6.衬底（substrate）sub和Backgate/Bulk B的关系

网上资料归纳，不一定准确——

• 大多数MOS以P为材料进行制造，P是最“外围“衬底，实际的衬底都是P材料 （P-sub工艺）
• 对于非隔离NMOS而言，B和衬底就是一个东西。
• 对于PMOS而言，B是N-WELL引出端，衬底还是外围的P材料（有些文章认为衬底就是N，此处引发歧义）

——
“B和Sub不是一个东西，特别是对PMOS。B的全称是Bulk，也叫Backgate，PMOS的B是N-Well的引出端，而衬底通常是P型的。实际应用的时候，PMOS的S/B通常接Vcc，而Sub通常接GND。
对于非隔离的NMOS，其P-Well的引出端和Sub连在一起，所以把B端叫Sub没问题。但对隔离型NMOS，其B端与Sub之间有N型隔离阱，存在寄生结构，此时B与Sub不能混为一谈。
B端也不总是与S短接，有些应用中会利用B与S的电压差来获得可调节的Vth，这也是B端也被叫做Backgate的原因。”
https://blog.csdn.net/Carol0630/article/details/124245377

参考

https://www.zhihu.com/question/61731588
https://zhuanlan.zhihu.com/p/368263926 学海无涯的回答
https://m.elecfans.com/article/1976653.html
http://www.kiaic.com/article/detail/2644.htm
https://blog.csdn.net/BaoTTing/article/details/112917921 PN节、BJT、MOSFET工作原理总结