MOSFET原理学习

1、基本结构

小信号采用平面导电型，大功率采用垂直导电型。
对于平面型MOSFET,当栅极无电压时，两个PN结反偏，当S和D极无论接正还是负，总有一个PN结反偏，无法到SD无法导通。当s极和衬底B相连时，会导致BD之间的PN结效应，从而导致寄生的二极管效应出现。
当栅极电压大于Vt（开启电压）时，在栅极和P型硅片产生很强的电场（由于绝缘层很薄，很小的电压也可以产生很强的电场）。在该电场的作用下，电子靠近栅极，空穴（多子）远离栅极，形成带负离子的N型沟道。当正电压达到一定数值时，电子在栅极附近形成了一个反型层。

当uds增大时，由于电位梯度，沟道的厚度存在区别。靠近源区厚，靠近漏端薄。拐点称为预夹断点。

2、关键特性

1. 由于栅极-源极之间的等效电容，使得MOSFET的开通和关断需要一个脉冲电流来触发。该器件具有非对称电压阻断能力，自带一个反并联二极管。该二极管具有慢恢复特性，在高频应用中通常被一个外部的快速恢复二极管旁路；

2. 对于MOSFET而言，VI特性存在恒流区和恒定电阻区，Rdson是一个关键的参数，决定了器件的导通压降，对于高压MOSFET，较长的导电沟道会使该压降变大，该电阻为正温度系数，使得器件并联更加容易；

3. 米勒电容的定义：Cgd?

4. SiC基和Si基MOSFET的动静态特性对比。SiC和Si指衬底的区别。衬底不同对导通特性有较大的影响。

3、器件手册解读

4、个人理解

1. Si基器件和SiC器件的区别
2. 基础是半导体物理学

5、背景知识—二极管

1. 共价键结构：电子材料如Si，Ge原子最外层的电子数为价电子，半导体的导电性与价电子数量有关。半导体具有晶体结构，原子间有序排列，临近原子之间由共价键链接。

2. 本征半导体：一种完全纯净，结构完整的半导体晶体。半导体的电导率和单位体积内中所含的电荷载流子的数目有关。电荷载流子浓度越高，电导率越高。由于半导体共价键不像绝缘体中束缚得那么紧，被束缚的价电子获得足够的随机热振动而挣脱共价键的束缚，成为自由电子。自由电子在晶体内运动称为：本征激发。

3. 空穴：当电子挣脱共价键束缚后，电子原来的空位称为空穴。在外电场的作用下，自由电子在空穴之间移动，形成电荷迁移。常用空穴的移动代表电子移动产生的电流。

4. 载流子的产生和复合：空穴和自由电子相结合形成一个新的填充的共价键。符合作用是经常性的。本征半导体的导电率随温度的增加而增加。

5. 半导体的掺杂：分为P型半导体和N型半导体。
   P型（空穴型）半导体：在Si晶体中掺杂少量3价元素杂质，因与Si复合时缺少一个电子，因此在晶体中产生一个空位，当相邻共价键上的电子收到热振动时获得能量，就会填补这个空位，使硼原子成了不能移动的负离子，而原来的Si原子则因为缺少一个电子，形成了空穴。但是整个半导体保持电中性。
   N型（电子型）半导体：多子为电子。掺杂的原子最外层电子数为5，如磷，砷。
   按照导电的载流子是空穴还是电子来区分。

6. 漂移：漂移速度矢量：${\vec{V}}_n=-{\mu }_n\vec{E}$, ${\mu }_n$为迁移率，电子和空穴的迁移率不同，Si材料中电子迁移率为1500cm3/Vs,空穴的迁移率为475cm3/Vs。导电主要由空穴和电子导电构成，而且电子导电器件性能空穴导电器件。

7. 二极管的组成：在半导体两个不同区域分别掺杂三价和五价杂质元素，便形成P型区和N型区。在交界处，出现电子和空穴的浓度差，N型区内电子浓度高，P型区内空穴浓度很高。由于扩散作用，P区和N区的电中性被破坏，P区失去空穴，留下带负电的杂质离子，n区失去电子，留下带正电的杂质离子，无法移动的带电粒子集中在交界面附近，形成一个空间电荷区。电场方向为N—>P区。（也称为内电场。）由于交界面处的多数载流子的复合，导致该区间的电阻率很高。内电场的建立阻止了多子的扩散作用。

8. PN结的单向导电性：外加电场与内电场相反，在外加电场作用下，P区多子空穴向空间电荷区运动，中和了部分负离子，N区的多子电子向空间电荷区运动，中和了部分正离子。导致空间电荷区变窄，载流子增多，因此电阻的阻值减小。反向电压下：P接负，N接正。PN结电场强度增加，阻碍了多数载流子的扩散作用。P区的空穴在外部电场作用下向N极移动，N区的电子在外部电场作用下向P极移动。导致内电场增强。进一步抑制了多子的移动。

9. PN结的扩散电容和势垒电容。

10. 跨导（Transconductance）是电子元件的一项属性。电导（G）是电阻（R）的倒数；而跨导则指输出端电流的变化值与输入端电压的变化值之间的比值。