BIOS开发笔记 - DDR中的时序参数

本文介绍了DDR内存的外部信号,如A[0:16]、BA[0:1]、RAS#等,以及通信命令,包括Mode Register Set、预充电、Bank Activate、Read/Write等操作。详细讲解了读写流程中的时序参数,如tRP、tRCD、BL等,阐述了自刷新和自刷新模式的重要性。

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通过前一篇文章学习,我们可以大致知道内存条(Module)的组成及SDRAM内部的结构,这一篇再介绍下SDRAM中常见的时序参数以及整个读写操作的流程。

一、外部信号

图片

图1 DDR4的外部线路图

DDR是一种高带宽的传输接口,其外部信号较多,图1是一个DDR4的外部线路图,以下对图中跟通讯相关信号作简单的说明。

A[0:16]:地址线,为 ACTIVATE 命令提供行地址,为 READ/WRITE 命令提供列地址,以从相应存储区的存储器阵列(Bank)中选择一个位置 (A10/AP、A12/BC_n、WE_n/A14、CAS_n/A15、RAS_n/A16 这几个信号有复用功能)。它还可以为模式寄存器提供

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