芯片回片后功耗测试

关于回片后的功耗测试的一些思考和记录，如有思虑不全、错误的地方欢迎各位大神不吝指出。

1 回片后功耗测试目的

芯片回片是指芯片已经实际制造出来，可以将芯片放到了电路板上进行运行，通过实验室的测试测量仪器获得测试数据。芯片回片后功耗测试这一步是必不可少的，其目的可以有以下几点：（1）获得芯片的实际测试功耗；（2）和功耗目标进行比对，判断是否符号功耗目标、功耗要求；（3）寻找功耗的最优点；（4）和PR后的仿真功耗做对比，对该工艺下的实测功耗数据和仿真功耗数据的差异有个大概的摸底；（5）对芯片的实际功耗性能进行摸底。

2 测试方法

可以把一个芯片看成一个复杂的电路，一般测一个电路的功耗，就是测其电压和电流。所以这次选用的方法也是这样，如下图所示。方框1表示串联在电路的中改变功能时不在其两端并联叠加电阻的等效电路，方框2为我们测试时需要在其两端并联叠加等效电路的电路，而方框1和方框2为一个完整芯片的两部分。在这个测试方案中，电源电压为固定值V0。测得电路的电流，再用另一个万用表测的方框2两边的电压，即可求得方框2的功耗，但在实际过程中测试是直接测量电源对地的电压。

测量芯片或者板级功耗的介绍网上有部分介绍，可参考如下链接。

【硬件篇之功耗测试】_单板功耗测试-CSDN博客

3 测试情况介绍及反思

（1）PR后的功耗仿真case要和测试时使用的case一致，两者出来的功耗数据才具有可比较性；在仿真时的case设计时就需要考虑到后期回片后的测试，应从芯片整体功耗出发去设计包含使用场景的case。

（2）测试时使用的温度、电压尽量和PR后的功耗仿真（后面简称“仿真”）使用的电压、温度保持一致，这里对功耗影响最大的可能是电压，如仿真时使用25°C，而实测时在20°C，可能这对功耗结果影响不大；但是如果仿真使用的是1.2V的电压，而测试时芯片电路的实际电压为1.1V，这个不一致对功耗的影响会很大。

仿真时对功耗的计算方式在各自的库文件中有相应的说明，比如在某个库文件说明中，对一个cell平均功耗的计算方式如下：

x表示该cell的输入引脚数量，Ein可以通过查表（lib有相应的表）获得对应输入引脚的energy，fin表示对应输入引脚上的信号switch频率；y代表的是输出引脚的数量，Con代表该输出引脚对应的负载电容，Vdd是cell上的供电电压，fon是输出引脚上的信号switch频率；Eos是时序cell输出引脚上的energy。而总的功耗则是cell功耗的累积。

通过上式可以看出，电压对功耗的影响是很大的。

所以即使在测量时电源输出的是1.2V，到达实际测量电路方框2两端的电压会低于1.2V。如上图所示，方框1表示等效电阻不会改变的电路，方框2为实际测量电路，则方框1会分压，因此方框2的电压会小于1.2V。因此会导致实测功耗小于仿真功耗（前提是在相同温度、电压和工艺条件下，实测值和仿真值接近。但如果在相同条件下，实测值大于仿真值很多，则电压的减小不一定会导致实测功耗小于仿真功耗。）

（3）相同的条件下，同一个case中与所测功能无关的功能开启的越多，实测功耗与仿真功耗的比值越不接近与1；反之，无关功能开启的越少，实测功耗与仿真功耗的比值越接近于1。原因如下：

增加无关功能就相当于在方框2处并联更多的电阻，则总的功耗为各个电阻的功耗之和，由于实测电压和仿真功耗的电压不同，且是2次幂的变化关系，故并联电阻越多，则功耗的变化按2次幂的基础变化，则测试值与仿真值比值越不接近于1.。如下表所示：

（4）不管是实测还是仿真，芯片整体的leakage power很重要，这也是决定一款芯片性能的一个方面。就比如笔记本电脑在你使用时突然有事将其合上了，此时电脑刚充好电。然后1天多之后你再次打开电脑发现，发现剩余电量的多少就对应了电脑整体的leakage power消耗。（这个例子可能不太准确，主要是想直观感受leakage power的重要性。）

当然，一款芯片的leakage power的实测值和仿真值之间的比较结果可以用于判断仿真和实际之间的差距。

（5）在进行功耗测试时，最好是将测试的case再次进行功耗仿真，确保仿真值和实测值来自于同一个case，否则仿真值和实测值没有比较的意义。当然，如果不做比较，则可不用再次进行功耗仿真。

（6）在测试测量过程中，需要记录下当前测试时使用的设备，包括用哪个设备测的电流，哪个设备测的电压，如果存在多个电流\电压需要测量的，均需要标明各自所用的设备型号及编号；还需记录当时测量的温度和测试板。这些记录是为了方便测量结果的复现，以及若复现不了方便排查原因。

（7）测试一定要保持真实，不能为了数据好看而偏离实际使用情况测量。

（8）在大型芯片中，不要试图尝试回片后测试某个具体功能模块的功耗，除非对某个功能模块实行了power_gate，但现实不可能对每一个模块都进行power_gate；正常情况下，回片后测的是整个芯片或者数字部分或者模拟部分的整体功耗（这里注意：如果要想获得单独的数字部分整体功耗，则在架构设计初始就要需要考虑到把整个数字部分的电源vddc单独拉出来，并具有可测试性），即使在使用过程中把某些某块的时钟或者使能关掉，也不可能测试出具体功能模块的功耗，这样通过关掉时钟或者使能信号得出的电压电流差值，也并不能代表功能模块的动态功耗，因为可能存在输入数据变化，输入功能模块时需要先经过组合逻辑。

此篇笔记记录的是粗略的功耗测试，若要精准的测量芯片的功耗，则需要借助相应的工具，可参考如下链接：

求助，如何测试芯片的功耗？ - 数字IC设计资料(IC前端|FPGA|ASIC) - EETOP 创芯网论坛 (原名：电子顶级开发网) -

芯片回片后关于功耗的测试可能不止这些，就暂且记录到这里吧，后面若有更新在继续补充吧。仅限于个人有限的认知，如果有错或欠妥的地方，欢迎大家指出，有理一定积极改正。