Buck原理与设计(一)

Buck原理与设计

工程师最熟悉的,使用最多的就是Buck,因为电路板上大多是降压需求。

所谓Buck,就是通过开关管将直流电源“斩波”,变成方波;然后对这个方波进行低通滤波,得到直流电压输出。

因此,输入电流是脉动的,输出电流是连续的

这里补充一个概念,同步与非同步:

左图中的二极管D1在右图中被Q2替代,这个**Q2的开和关需要与Q1的开和关保持一定的相位关系,大家习惯把这样的关系叫作同步模式,所以把这种有两个 MOSFET 的开关电源称作同步开关电源**。

在同步Buck电路中,有两个MOSFET作为开关管,分别处于拓扑结构的上端和下端,所以我们一般把Q1位置的MOSFET称为“上管”,把Q2位置的MOSFET称为“下管”。

在实际设计过程中,非同步的越来越少被使用。非同步Buck电路,二极管续流(二极管与电感形成一个通路,二极管为电感保持电流持续,电流从二极管通过)期间,二极管两端的电压相对恒定,表现为二极管的“正向导通压降”Vr。对于非同步开关电源来说,二极管的两端电压为二极管正向导通电压,大约为0.7V,功耗为电流与电压的乘积这个特性导致非同步压降电路在二极管上消耗的能量比较大,所以非同步 Buck 的效率比较低。因为其电路特点,不需要复杂的控制,控制器成本也比较低

同步Buck电路,采用MOSFET,下管续流(上管关闭,下管打开,下管为电感保持电流持续,电流从下管通过)期间,MOS完全导通,其特性表现为D极和S极之间的导通等效阻抗RpS(on)由于下管的导通阻抗RpS(on)比较小,根据欧姆定律,其两端的电压为电阻和电流的乘积,电压值也比较小。在相同输出电流的情况下,同步 Buck 电路在下管上的损耗会比非同步 Buck 电路在二极管上的损耗小很多。虽然同步 Buck电路的效率比较高,但需要额外的控制电路,所以成本也相对高一些。但是随着芯片的技术发展,同步Buck电路的优势越来越大,所以一般都选择同步 Buck规模效应带来的成本优势也逐步明显

先说一下,非同步Buck的基本原理,这是入门,最基础的。先看图,再讲解:

当开关管Q1驱动为高电平时,开关管导通,储能电感L 被充磁,流经电感的电流线性增加,同时给电容C1充电,给负载提供能量。非同步Buck电路的开关管导通等效为短路,二极管反向截止等效于断路,这个状态的等效电路如图所示。

当开关管Q1驱动为低电平时,开关管关断,储能电感L 通过续流二极管放电,电感电流线性减少,输出电压靠输出滤波电容C放电及减小的电感电流维持,等效电路如图所示。

以下是同步BUCK:

当上管导通,即开关管Q1驱动为高电平时,此时下管关断,即开关管Q2驱动为低电平,储能电感L1,被充磁,流经电感的电流线性增加,同时给电容C1充电,给负载提供能量。同步Buck电路的上管导通等效为短路,下管关断等效于断路。

当上管Q1驱动为低电平时,上管关断,在下管Q2还没完全导通的时候,储能电感L1 通过 MOSFET 的体二极管进行续流放电,在Q2完全导通之后,通过Q2导通后的等效电阻进行通流放电。电感电流线性减少,输出电压靠输出滤波电容C1放电及减小的电感电流维持。

Buck电路的输出电感

<选电感,重点看三点> 等效直流电阻DCR(影响效率)、电感值(影响纹波电流)和**额定电流**

(1)电感值的选择

计算出正确的电感值,对选用合适的电感和输出电容以获得最小的输出电压纹波而言非常重要。

流过开关电源电感器的电流由交流和直流两种分量组成,因为交流分量具有较高的频率,所以它会通过输出电容流入地,产生相应的输出纹波电压,该电压是纹波电流与电容上等效串联电阻(ESR)的阻值的乘积。这个纹波电压应尽可能低,避免影响电源系统的正常工作,一般要求峰峰值为输出电压的**2%~5%,或者是某一个绝对值(10mV到500mV)**。

纹波电流的大小决定了电感值的选择,以及输出电容的选择,这样会影响电感器和输出电容的尺寸。输出纹波电流的指标是根据用电器件和电源控制器的指标要求决定的。一般来说,纹波电流设定为最大输出电流的10%~30%。对于 Buck 电源来说,流过电感的电流峰值比电源输出电流大5%~15%,所以在功率路径中需要按照输出电流的115%评估电流的瞬态值

伏秒数也称为伏秒积,即电感两端的电压和开关动作时间的乘积。伏秒原则,又称伏秒平衡,是指在开关电源稳定工作状态下,加在电感两端的电压乘以导通时间等于关断时刻电感两端的电压乘以关断时间,或指在稳态工作的开关电源中,电感两端的正伏秒值等于负伏秒值。在一个周期内,电感电压对时间的积分为0,称为伏秒平衡原理。任何稳定拓扑中的电感都是传递能量而不消耗能量,都会满足伏秒平衡原理

当开关电源电路处于稳态工作时,一个开关周期内电感的电流变化量最终为0,即开关导通时通过电感的电流增加量和开关断开时电感的电流减少量是相等的。换句话说,处于稳定工作状态的开关电路中,一个周期因开关作用被分为两段,其中开关导通时间内电感电流在增加,开关关断时间内电感电流在减少,那么在一个周期内,电流的增加量与电流的减少量是相等的要满足伏秒平衡原理,需要保证电感不会出现偏磁、漏磁现象,不会出现饱和(或可以忽略)

分析开关电源中电容和电感的几条原则:

电容两端的电压不能突变(当电容足够大时,可认为其电压不变);

电感中的电流不能突变(当电感足够大时,可认为其电流恒定不变);

流经电感的电流平均值在一个开关周期内为0

电感两端的伏秒积在一个开关周期内必须平衡

在开关管开关的过程中,一个开关周期中,在输入输出电压确定的前提下,电感上电流的变化的幅度大小,是由电感值决定的,如图所示:

电感的欧姆定律应用:电流的变化量,是电感两端的电压差除以电感值在时间上的积分。在开关管开关的过程中,0~t 时间段电流的变化量为:

式中:△iL1是电流增量(A),Vs是输入电源电压(V),Vo是输出电压(V),L是电感(H),Ts是开关周期(s),fSW是开关频率,即开关周期的倒数,D是开关导通时间占空比。

当开关关断时,同样用电感的欧姆定律,如图所示,t1 到 t2的过程中,电感电流增量为

根据伏秒平衡原理,稳态时这两个电流变化量相等,即△iL1=|△iL2|= △I,被称为Buck电路的输出纹波电流。输出的电流纹波△I,与电感值L成反比,与开关频率fw成反比。根据前面两个公式可以推导得到:

由上面公式可知,电感值越大,输出纹波电流就越小,带来的问题是**动态响应变慢**。在电感值较小时,如果想输出电压的纹波也小,就需要提高开关频率,这样 MOSFET管上的开关损耗就增加,电路效率下降

(2)电感等效直流电阻的选择

电感的等效直流电阻(DCR)自身会消耗一部分功率,使开关电源的效率下降。

这种消耗会通过**电感升温的方式进行,这会降低电感值、增大纹波电流和纹波电压**,所以对开关电源来讲,应在芯片数据手册提供的DCR典型值或最大值的基础上,尽可能选择DCR小的电感。

在输入电压、负载电流、输出电压给定的情况下,DCR越大,电感上的损耗越大,电源的效率越低。对于一般的电感器件来讲,有以下几个特点。

(1)电感直流电阻对于效率的影响,重载时比轻载时明显

(2)在电感值给定的情况下,电感器件的外形越小,DCR越大

(3)在电感外形大小给定的情况下,电感值越大,DCR越大

(4)在电感值一定的情况下,有磁屏蔽的电感器件的DCR小于没有磁屏蔽的电感器件的DCR

(3)电感额定电流的选择

功率电感的额定电流有“基于自我温度上升的额定电流”和“基于电感值的变化率的额定电流”两种决定方法,分别具有重要的意义。

“基于自我温度上升的额定电流”是以元件的发热量为指标的额定电流规定,超出该范围使用时可能会导致元件破损及组件故障,我们把这个额定电流称为热额定电流,记为Irms

“基于电感值的变化率的额定电流”是以电感值的下降程度为指标的额定电流规定,称为磁饱和电流,记为Isat。在超出Isat值使用时,可能会由于纹波电流的增加而导致集成电路控制不稳定。

此外,根据电感器的磁路构造的不同,磁饱和的倾向(电感值的下降倾向)有所不同。不同磁路构造电感器的电感值随电流值的变化如下图所示。对于开磁路类型,随着直流电流的增加,到规定电流值为止,呈现出的是比较平坦的电感值,但是超过饱和电流之后,电感值急剧下降。对于闭磁路类型,随着直流电流的增加,透磁率的数值逐渐减少,因此电感值缓慢下降。

功率电感规格书中对额定电流参数仅注明介质的饱和电流值。

Isat与Irms是工程人员常常会碰到的技术术语,但时常将两者混淆,造成工程技术上的错误

Isat与Irms两者分别表示什么? Isat与Irms两者如何定义,它们与哪些因素有关?

Irms是指电感产品的应用热额定电流,也称为温升电流,即产品应用时表面达到一定温度时所对应的DC电流

Isat是指磁介质的饱和电流。磁饱和是磁性材料的一种物理特性,指的是导磁材料由于物理结构的限制,所通过的磁通量无法无限增大,从而保持在一定数量的状态。

假定有一个电感,通上一个单位电流的时候,产生的磁场感应强度是1T,电流增加到2A的时候磁感应强度会增加到2.3T,电流是5A的时候磁感应强度是7T,但是电流到6A的时候磁感应强度还是7T,如果进一步增加电流,磁感应强度还是7T,不再增加了,这时就说明电磁铁产生了磁饱和。电感作为一个绕在磁性上的线圈,其特性一定会受到磁饱和的限制,表现为电流增大到一定程度之后,电感值就会急剧下降,就像上图展示的那样。电感因为磁饱和而导致电感值下降,我们把电感量下降到一定值对应的电流,如标称值的20%时的电流,标记为磁饱和电流Isat。

Buck电路的输入电容

在设计电路的时候,需要对Buck变换电路的输入电容的容值进行选择。这个电容的容值如果选大了或者用多了,是浪费;电容选小了或者用少了,将会导致两种后果:

(1)电容值不够,导致输入电源的电压跌落;

(2)输入电容能够承载的有效电流不能够满足额定要求,导致电容过热引起失效。

因为对于DC/DC电源来说,下一级的输入电容不够,可以依赖别的同源的输入电容,或者依赖上一级的输出电容来避免电源跌落,所以这个问题容易被我们忽视。

在开关电源电路中,MOSFET作为开关管是不停开关的,流过MOSFET的电流也是不连续的。也就是说,流经MOSFET的电流是一会儿很大,一会儿很小。这样高速变化的电流对于上一级供电电路来说是不友好的,对于整个电路板来说,也是一个对外辐射的辐射源。开关电源输入电流突变的情况是由开关管不停开关的状态变化造成的。所以我们希望这个电流突变的电流环路尽量小。我们可以在开关电源的输入端加一个电容,来减小上一级电源供电的电流突变的负担,同时也是将这个电流突变的电流环路面积降到最小。

对于开关电源电路来说,如果输出电流不变,忽略输出电流纹波,则流入的电流是在Iout和0之间反复跳变的。先假设在上管打开的过程中,输出电流保持不变,大小为Iout。D表示开关电源的占空比,即在一个周期里,上管打开时间占周期时间的比例。因此,在TD这个时间段上管打开,在T(1-D)这个时间段上管关断。由于电流从输入端流入,按照基尔霍夫定律,输入电流与流经MOSFET和电感的电流保持一致,所以此时Iin=Iout。,当上管关断的时候,电感仍然保持输出电流Io,而输入电流因为上管关断,则为0,输入电流波形如下图所示。

根据能量守恒定律,在不考虑损耗时,输入的能量等于输出的能量,所以在开关电源稳定之后,一个周期内输入的能量等于输出的能量。

Ein=Vin×Iout×TD(输入功率,只在上管打开时提供能量,时间为TD)

Eout=Vout×Iout×T(输出功率保持稳定,整个周期都几乎保持Vout×Iout

根据能量守恒定律Ein=Eout,可以计算出D与输入电压、输出电压之间的关系:D = Vout / Vin

输入电容的作用相当于提供一个低阻抗的电流源,用来提供MOSFET电流,这样输入电流的部分电流就由电容提供。开关电源的输入电流反复流经输入的电容,这个电容上的等效串联电阻反复经过电流,此时会有电流转化为热量。为了计算在电容上产生的热量,以保障电容的工作稳定性和寿命,我们需要计算这里的有效电流满足电容的“能够承载最大有效电流”这一额定指标。对于理想电容来说,充放电并不会产生热量,但是每个电容都有一个寄生的电阻,即等效串联电阻,简称ESR,如下图所示。在对电容反复充放电的过程中,电流流经 ESR 就会产生热量。这是我们要充分讨论电源输入电流的有效值的原因。

输入电流的平均电流为电流在时间上的平均值,如上图所示。对于产生热量的ESR来说,是一个正负电源,为了计算ESR上产生的热量,我们需要将流经ESR的电流视为一个交流信号,计算其有效值Iin。

有效值定义:在相同的电阻上分别通以直流电流和交流电流,经过一个交流周期的时间,如果它们在电阻上所消耗的电能相等,则把该直流电流(电压)的大小作为交流电流的有效值。我们可以认为,对于流经ESR的电流,在TD这个时间段,电流大小为Iout×(1-D),在T(1-D)这个时间段,电流大小为-Iout×D。(PS:感觉这个电流的理解感觉不太对。是不是这样好一些:在TD这个时间段,电流大小为Iout×D,在T(1-D)这个时间段,电流大小为-Iout×(1-D)

在交流电流中,根据热等效原理,定义电流的有效值为其瞬时值在一个周期内的方均根值。分成两个时间段分别计算,输入电容的电流的有效值Icin_rms 为:

font color=‘green’>在TD这个时间段,电流大小为Iout×D,在T(1-D)这个时间段,电流大小为-Iout×(1-D))

在交流电流中,根据热等效原理,定义电流的有效值为其瞬时值在一个周期内的方均根值。分成两个时间段分别计算,输入电容的电流的有效值Icin_rms 为:

今天的理论学习先到这里吧,谢谢。

### 如何在LTspice中设计和模拟同步buck转换器电路 #### 设计原理 同步buck转换器是种高效的直流-直流电源转换拓扑结构,其特点是利用两个开关管来替代传统二极管整流方式中的肖特基二极管。这种方式可以减少导通损耗并提高效率。 #### 组件选择 为了构建个完整的同步buck转换器模型,在LTspice环境中需要准备如下组件: - 输入电容 \( C_{in} \)[^1] - 输出电感 L - 输出电容 \( C_{out} \) - 高侧MOSFET QH - 低侧MOSFET QL - 控制芯片 U1(可选) 这些元件的选择取决于具体的应用需求以及期望的工作频率范围等因素。 #### 创建仿真电路图 打开LTspice软件后新建张空白图纸,并按照以下步骤操作: 1. 放置上述提到的所有必要元器件; 2. 连接输入端VIN至高边MOSFET源极S控制IC供电引脚VCC之间; 3. 将负载RL连接到输出节点OUT处并GND形成回路; 注意:对于某些复杂的控制系统来说可能还需要加入额外的反馈网络用于稳定输出电压水平[^2]。 #### 设置参数 针对每个选定好的电子零件都需要合理配置它们各自的属性值,比如设定合适的栅极阈值电压、开启/关闭时间延迟等特性指标以确保整个系统的正常运作。特别是对于功率型场效应晶体管而言更是如此,因为这直接影响着最终成品能否达到预期性能标准的要求。 #### 编写SPICE指令 为了让程序能够自动运行起来完成指定的任务目标,则可以在命令行窗口内键入相应的语句来进行指导说明。例如设置波形显示模式为瞬态分析(.tran),定义脉宽调制(PWM)信号作为门控驱动源等等[^3]。 ```ltspice .tran 0.1ms 5ms .model NMOS NDMOS(Vto=4 Ron=.01m Qg=8n) .model PMOS PDMOS(Vto=-4 Ron=.01m Qg=8n) ``` 以上代码片段展示了如何启动暂态响应测试过程以及自定义两种不同类型的金属氧化物半导体(MOS)模型实例化方法。
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