DRAM的一些电压参数VDD VDDQ VPP剖析

本文详细解释了计算机内存中关键电压的概念,如VDD、VDDQ、VPP等,阐述了它们各自的功能及在不同内存类型(如DDR3、DDR4)中的作用。同时,文章还涉及了CPU和GPU的核心供电电压VCore、VGPU,以及跟踪终止电压VTT等概念。

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VDD:北桥芯片供电电压或者存储芯片的输入缓冲和核心逻辑的供电电压。

VDDQ:存储芯片的输出缓冲供电电压。

VPP:DDR4中VPP电压的作用是为字位线提供电压,需要外供,DDR4 SDRAM 不用内建 电荷泵Charge pump,为了省功耗;
DDR3本身也需要的,在DDR3 SDRAM内部有电压泵,不需要外供。

 

 

VCore: The core supply voltage of an 'important' chip like your CPU or GPU, usually not the Northbridge. Most frequently used to indicate CPU voltage.

VDD: The supply voltage to your Northbridge chip or the supply voltage for the input buffers and core logic of your memory chips (mostly on graphic cards).

VDDQ: The supply voltage to the output buffers of a memory chip.

VTTTracking Termination Voltage. Compared to VREF to determine Hi/Lo

VMem: Supply voltage to a memory chip.

VDDR, VDimm: Supply voltage to the memory on your motherboard.

VRef: Reference voltage for the input lines of a chip that determines the voltage level at which the threshold between a logical 1 and a logical 0 occurs. Usually 1/2 VDDQ.

VGPU: The supply voltage to your graphic card's processor.

在设计高性能系统的内存部分时,对于DDR4 SDRAM中的VDDVPP和VREFDQ参数的理解和配置至关重要。首先,VDD是DDR4 SDRAM的核心供电电压,对于MT40A1G4等型号,其规范值为1.2V±60mV。这一参数直接关系到内存的功耗和性能表现。通过精确控制VDD,可以在保证内存稳定运行的同时,实现低功耗设计,这对于需要大量内存容量且对能耗敏感的高性能系统来说尤为重要。 参考资源链接:[Micron DDR4 MT40A系列规格详解](https://wenku.csdn.net/doc/6dknm4bi9y?spm=1055.2569.3001.10343) VPP则是为特定的内部电路提供的电压,对于不同的系统可能有不同的要求,其范围通常为2.5V。VPP的调节可以为内存芯片的内部操作提供更稳定的电源环境,有助于提高系统的整体稳定性。 VREFDQ则是内存芯片内部数据线的参考电压,它确保了数据线上传输的信号能被准确识别,这对于提高信号完整性和数据传输速度有直接影响。通过调整VREFDQ,可以在系统层面对信号的接收阈值进行微调,从而优化内存的性能。 在实际操作中,需要参考《Micron DDR4 MT40A系列规格详解》等权威资料,详细解读每个参数的具体含义和范围。同时,利用设备的电源管理单元(PMU)或电源管理IC(PMIC)进行精确控制,确保在不同的温度和工作负载下,这些参数能够根据系统的需求进行动态调整,以实现性能的最优和功耗的最低。最终,通过结合硬件平台的具体情况和DDR4 SDRAM的特性,实现系统性能的最大化和功耗的最小化。 参考资源链接:[Micron DDR4 MT40A系列规格详解](https://wenku.csdn.net/doc/6dknm4bi9y?spm=1055.2569.3001.10343)
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