32-硬件设计-DDR4板载内存电路设计

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分类专栏：硬件设计文章标签：硬件工程单片机嵌入式硬件

于 2023-08-29 17:00:08 首次发布

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硬件设计-DDR4内存设计

1.颗粒说明

将存储空降分成两块，分别为 BANK GROUP0 和 BANK GROUP1 ，再用1根地址线表示，也就是 BG ；
将每一个BANK GROUP 分成4个BANK小区域，分别为 BANK0 、BANK1、BANK2、BANK3 ，并使用两根地址线对其编码；
剩余的17根地址线，留下1根表示行地址使能信号；在第一次传输时，行地址使能，剩下16根地址线，在第二次传输时，行地址禁用，剩下16根地址线，留10根作为列地址线，剩下6根用来表示读写状态/刷新状态等复用功能。
DDR的电源又可分为三类：
主电源VDD和VDDQ。
主电源的要求是VDDQ=VDD=1.2V。
VDDQ是给IO buffer供电的电源，VDD则是DDR的core power supply。一般使用中都是吧VDDQ和VDD合成一个电源使用，在SODIMM上则只有VDD引脚，内存条上可能有一些电路，也可能没有。
参考电源Vref。
参考电源Vref要求跟随VDDQ，并且Vref=VDDQ/2，这个电压既可以使用电源芯片，也可以使用电阻分压的方式得到。
Vref电流较小，在几个mA_{几十mA之间。一般采用电阻分压的方式，分压电阻在100}10K之间均可，需要1%精度的电阻。Vref的每个管教上需要加10nF的电容滤波，并且每个分压电阻上也并联一个电容较好。
匹配电压VTT（Tracking Termination Voltage)
VTT为匹配电阻上拉到的电源，VTT=VDDQ/2。
DDR的设计中，有些用不到VTT；但如果使用VTT，VTT的电流要求是比较大的，因此需要专门的电源芯片来满足要求，并且会放一些uF级别储能电容。
激活电压VPP（DRAM Activating Power Supply）
VPP一般为2.5V。
VPP激活电压，必须要同时或者早于VDD，电压值也要全时间段都高于VDD。
DDR时钟CK_N/P为差分走线，一般使用终端并联100欧姆的匹配方式，差分走线差分对控制阻抗为差分100欧姆，单端50欧姆。
DDR4的工作时钟依赖于DDR controller的input，一般也即CPU或者交换芯片。
DQS（data strobe)信号相当于数据信号的参考时钟，它在走线时需要保持和CLK信号保持等长，每8bit数据信号对应一组DQS信号。
DQS信号在走线时需要与同组的DQS信号保持等长，控制单端50欧姆的阻抗。

JEDEC组织发布的DDR4内存白皮书里的Command Table，详细记载了DDR4内存会用到的命令以及各引脚的电平信号、地址信息。其中有几个命令是内存时序会用到的基础命令。
Refresh=REF，刷新命令，内存为易失性储存器，每隔一段时间就需要对内存里的电容器进行充电，以维持电平信号的电势，这个步骤就叫刷新。
Precharge=PRE，预充电命令，当内存即将要对内存的某行进行读写时，就会对该行的cell单元进行激活和预充电，这个步骤就叫预充电。
Activate=ACT，激活命令，内存cell在未进行读写时多数处于休眠状态，当要进行读写时，就会先激活再预充电，这个步骤就叫激活。
Write=WR，写入命令，对内存的某行、某列地址进行数据写入，BLx、BCx是写入队列的长度，具体取决于处理器PHY接口对内存控制器的命令要求。
Read=RD，读取命令，对内存的某行、某列地址进行数据读取，BLx、BCx是写入队列的长度，具体取决于处理器PHY接口对内存控制器的命令要求。