[致敬未来的攻城狮计划 3] 瑞萨MCU 闪存

本文介绍了瑞萨MCU的内存结构,包括256kb的代码闪存和8kb的数据闪存。代码闪存(Nor Flash)用于存储可执行代码,而数据闪存(NAND Flash)主要用于数据存储。内存被划分为不同大小的块,以块为单位进行擦除操作。详细阐述了Nor Flash和NAND Flash的区别以及它们在瑞萨MCU中的配置。
摘要由CSDN通过智能技术生成

开启攻城狮的成长之旅!这是我参与的由 CSDN博客专家 架构师李肯(http://yyds.recan-li.cn)和 瑞萨MCU (瑞萨电子 (Renesas Electronics Corporation) ) 联合发起的「 致敬未来的攻城狮计划 」,点击查看活动计划详情 (https://bbs.csdn.net/topics/613916237)!

37.1. 概述

MCU提供高达256kb的代码闪存和8kb的数据闪存。Flash控制块(FCB)控制编程命令。

代码闪存和数据闪存的规格如表37.1所示,框图如图37.1所示

的相关模块。图37.2显示了代码闪存的配置,图37.3显示了

数据闪存的配置

 Code Flash 和 Data Falsh说明

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 Code Flash(即Nor Flash) 和 Data Falsh(即NAND Flash) 说明。这里为了大家容易理解, 瑞萨用例 Code Flash 和 Data Flash 的说法, 更正规的说法是 Nor Flash 和 NAND Flash。 Nor Flash 可以存Code,  Code 可以在片内执行,

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