【学习记录】半导体物理与器件

小马驹Tony

于 2024-10-01 12:59:52 发布

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0 写这篇记录的初衷

最近在学习Donald A. Neamen的《半导体物理与器件（第四版）》的时候，发现贯穿整本书的公式都是由一些原始公式演化而来的，但是书中符号繁多、标注和表述不符合我的阅读习惯，导致学习过一遍后并不能很好地理解，因此通过这篇记录梳理书中的逻辑。

1 薛定谔波动方程

1.1 薛定谔波动方程是什么？

薛定谔波动方程是量子力学的核心方程之一，用来描述微观粒子（如电子、光子等）的量子状态及其随时间的演化。在经典物理中，我们用牛顿定律来描述宏观物体的运动，而在量子力学中，薛定谔方程起到了类似的作用，用以描述粒子的运动和行为。

1.2 薛定谔波动方程能做什么？

描述微观粒子的行为：在量子力学中，粒子被认为具有波动性，波函数 ψ\psiψ 描述了粒子在空间中的概率分布。通过解薛定谔方程，我们可以获得粒子在不同位置和时间上出现的概率。
预测粒子的演化：薛定谔方程提供了一种工具来预测粒子随时间如何变化。通过解含时薛定谔方程，我们可以了解粒子波函数随时间的演化，进而预测未来状态。
确定能量：在定态薛定谔方程中，通过解方程可以得到粒子的可能能量状态（也称为能级），以及相应的波函数。这对于描述如电子在原子中的能级、粒子在势阱中的行为等具有重要意义。

1.3 薛定谔波动方程的形式

一维非相对论的薛定谔波动方程表示为：

其中， $\Psi \left ( x,t \right )$ 为波函数，描述了系统在时间 $t$ 和位置 $x$ 的状态。 $V\left ( x \right )$ 为与时间无关的势场函数， $m$ 是粒子的质量， $j$ 是虚数单位 $\sqrt{-1}$ 。

可以将波函数 $\Psi \left ( x,t \right )$ 写为如下形式，包括与时间有关的部分和与坐标有关（与时间无关）的部分：

其中与时间有关的项 $\phi \left ( t \right )$ 可以解出：

（1.0）

与时间无关的项 $\psi \left ( x \right )$ 可以写为：

$E$ 为粒子的总能量，有 $E=h\nu$ 或者 $E= \frac{h\omega}{2\pi}$ 。

最常用的薛定谔波动方程的形式如下：

修正普朗克常数 $\bar{h}$ 值为 $\frac{h}{2\pi }$ 。需要记住这个式子，它将被应用在很多地方。通过这个式子可以解出 $\psi \left ( x \right )$ 。

最终，将 $\psi \left ( x \right )$ 与 $\phi \left ( t \right )$ 相乘，即得波函数 $\Psi \left ( x,t \right )$ 。

1.4 薛定谔波动方程的应用

1.4.1 自由空间中的粒子

自由空间中，没有外力作用于粒子，那么势函数 $V\left ( x \right )$ 为常数，而且 $E> V\left ( x \right )$ 。简单来说可以认为 $V\left ( x \right )=0$ ，那么根据（1.1）：

这个微分方程的解为：

如果定义波数 $k=\sqrt{\frac{2mE}{\bar{h^{2}}}}=\sqrt{\frac{p^2}{\bar{h}^2}}=\frac{p}{\bar{h}}$ ，那么解也可以写为：

而与时间有关的函数结果为（1.0），由于 $\Psi \left ( x,t \right )$ 为与时间有关的部分和与坐标有关（与时间无关）的部分的乘积，那么上述解与（1.0）的乘积即为整个波动方程的结果：

（1.2）

该结果是一个行波，就是说自由空间中的粒子运动表现为行波。系数为 $A$ 的项表示方向为 $+x$ 的波，系数为 $B$ 的项为方向为 $-x$ 的波，系数由边界条件 $\int_{-\infty }^{+\infty}\left | \psi \left ( x \right ) \right |^{2}dx=1$ 确定。

行波（Traveling Wave）是波动的一种形式，它指的是波形以一定的速度在空间中传播，将能量从一个位置传递到另一个位置，而介质中的质点只是在其平衡位置附近作周期性振动，并不随波一起移动。行波是波动最基本、最常见的形式，广泛存在于各种物理现象中，例如声波、水波、电磁波等。

可以把行波想象成海中的波浪，它们从远方向岸边传播，波峰和波谷不断前进。波浪中每一点的水上下振动，但波形本身向前传播，带动能量的传递。

如果想描述沿 $+x$ 方向运动的粒子，则系数 $B=0$ 。

自由粒子的能量、波长 $\lambda =\frac{h}{p}$ 、动量 $p=\bar{h}k$ 都有明确意义。

1.4.2 无限深势阱中的粒子

与上一节不同，这是束缚态粒子的情况。势函数 $V\left ( x \right )$ 是位置的函数，如下图所示：

因为粒子能量 $E$ 是有限的，那么在区域I和III中波函数必须为零，或者 $\psi \left ( x \right )=0$ ，意为粒子不可能穿越无限深势阱，不可能出现在区域I和III中，在这两个区域里发现粒子的概率为0。

于是只需要考虑区域II，在该区域 $V\left ( x \right )=0$ ，与时间无关的薛定谔波动方程写为：

看以看出其实和上一节的式子一样。可以解出：

应用边界条件在 $x=a$ 处有 $\psi \left ( x=a \right )=0=A_{2}\sin ka$ ，该式当 $ka=n\pi$ 时成立，参数 $n$ 为量子数。通过应用这个边界条件，我们引入了量子数 $n$ ，这导致后面求出的结果会是分立值（能量的量子化）。最终上式表示为：

此表达式为驻波表达式，代表电子处于无限深势阱中。可以说，行波代表自由粒子，而驻波代表束缚态粒子。如果令 $k_n=\frac{n\pi }{a}$ ，上式也可写为 $\psi \left ( x \right )=\sqrt{\frac{2}{a}}\sin k_n x$ 。

粒子的总能量表示为：

是分立的值。束缚态粒子能量的量子化是一个极其重要的结论。

1.4.3 阶跃势垒中的粒子

在阶跃势中，我们让粒子从 $x=-\infty$ 开始沿着 $+x$ 方向流动，入射到阶跃势垒上。粒子总能量小于势垒的高度，即 $E< V_0$ 。阶跃势的函数如下图：

在区域I中势函数 $V=0$ ，则有：

这和上述两节讨论过的任何势函数为0的情况一致，方程通解也一致，只是系数符号稍作改变：

其中常量 $k_1=\sqrt{\frac{2mE}{\bar{h^{2}}}}$ 也与前面的讨论完全一样。在上式中，第一项代表入射波，第二项代表反射波，二者都是行波。

在区域II中，势函数 $V=V_0$ ，则有：

这是那个很重要的关系式（1.1），由于已经知道 $E< V_0$ ，所以式子中写为 $V_0-E$ 。解出波函数为：

其中常数 $k_2=\sqrt{\frac{2m\left ( V_0-E \right )}{\bar{h}^2}}$ ，应用边界条件可知系数 $A_2=A_1+B_1$ 。

在 $E< V_0$ 的情况下， $A_2$ 不为零，那么在区域II中发现粒子的概率密度函数 $\psi_2 \left ( x \right )\cdot \psi_2^{*} \left ( x \right )$ 也不为零，这表示入射粒子有一定的概率会穿过势垒到达区域II中。

在阶跃势函数中，定义反射系数 $R$ ，由于入射速度和反射速度数值相等，则反射系数为：

反射系数为反射流相对于入射流的比率。通过计算可以知道 $R=1$ ，这表示所有 $E< V_0$ 的粒子流入射到势垒上将全部被反射回来，虽然入射粒子有一定的概率会穿过势垒到达区域II中，但最终必定完全返回区域I中。

1.4.4 矩形势垒中的粒子

矩形势垒如下图，仍然关注入射粒子能量 $E< V_0$ 的情况：

三个区域中与时间无关的薛定谔方程的解分别为：

由于推导过程和前述三个小节一致，这里直接给出了结果。常数 $k_1=\sqrt{\frac{2mE}{\bar{h^{2}}}}$ 和 $k_2=\sqrt{\frac{2m\left ( V_0-E \right )}{\bar{h}^2}}$ 也与前面一致。

下面解释三个式子中的系数如何保留。对于第三个式子，系数 $B_3$ 代表负方向的行波，但是在区域III，没有势场可以让粒子反射，于是 $B_3=0$ 。对于第二个式子，由于势垒宽度有限，应当保留两个指数项，或者说每一项都是有界的。在第一个式子中，既存在入射也存在反射粒子，所以保留所有指数项，如果将 $A_1$ 作为已知条件，可以使用四个边界条件： $\psi_2 \left ( x=0 \right )=\psi_2\left ( x=a \right )$ 和 $\psi_1 \left ( x=0 \right )=\psi_1\left ( x=a \right )$ 求得 $B_1$ 、 $A_2$ 、 $B_2$ 、 $A_3$ 这四个系数。

在矩形势垒中，定义透射系数 $T$ ，表示为区域III中的透射粒子流占区域I中入射粒子流的比率，由于 $V=0$ 使入射和透射速度相等，则透射系数为：

通过考虑 $E \ll V_0$ 的特殊情况，计算出 $T\approx 16\frac{E}{V_0}\left ( 1-\frac{E}{V_0} \right )e^{-2k_2 a}$ ，这说明：当粒子撞击到势垒时，存在有限的概率穿过势垒到达区域III。这叫做隧道效应。

1.4.5 克勒尼希-彭尼模型

紧密排列在一维阵列中的很多原子的势函数如下：

克勒尼希-彭尼模型简化了这一势函数，是理想化的：

我们关注的是 $E< V_0$ 的情况，此时粒子被束缚在晶体中，处于势阱中，并且有可能发生隧穿。根据布洛赫数学定理，所有周期性变化的势能函数的单电子势函数必须写为：

（1.4.5.1）

其中 $u\left ( x \right )$ 是以 $\left ( a+b \right )$ 为周期的函数。对于波动方程的全解，其包含两个部分：

或者合并指数项写为：

这就是电子在单晶材料中的运动的行波解。其振幅 $u\left ( x \right )$ 是一个周期函数。

为了确定参数 $k$ 、总能量 $E$ 和势函数 $V_0$ 之间的关系，在此简单阐述思路：在区域I内 $V\left ( x \right )=0$ ，对（1.4.5.1）求二阶导，带入与时间无关的薛定谔波动方程；在区域II内 $V\left ( x \right )=V_0$ ，同样求二阶导应用于与时间无关的薛定谔波动方程。通过这两步，分别定义了两个参数，与能量 $E$ 有关的参数 $\alpha$ ：

和与势函数 $V_0$ 有关的参数 $\beta$ ：

需要注意 $\beta$ 是虚数。通过应用边界条件，可以解得：

这个式子将参数 $k$ 与总能量 $E$ 和势函数 $V_0$ 分别通过参数 $\alpha$ 和 $\beta$ 联系起来。这个式子没有解析解，可以利用图解法观察三者之间的关系。

在用图解法观察三者之间的关系之前，我们先看自由粒子参数 $k$ 与总能量 $E$ 的关系。自由粒子意味着 $V_0=0$ 的特殊情况，可以解得 $E=\frac{k^2\bar{h}^2}{2m}$ ，这是一个抛物线关系的 $E-k$ 关系，如图所示：

前面我们已经得到自由粒子的动量 $p=\bar{h}k$ 有明确意义，所有横轴是 $p$ 或 $k$ 。

而由于能量 $E$ 是不连续的，下图显示了允带和禁带的概念：

进行周期性平移，得到 $E-k$ 关系的简约布里渊区或简约 $k$ 空间曲线：

1.5 小结

最重要的是知道波函数 $\Psi \left ( x,t \right )$ 表示系统在时间 $t$ 和位置 $x$ 的状态。但是在大部分时候我们都是基于（1.1）先写出与时间无关的薛定谔方程的解。

然后在自由空间粒子情况下，我们将（1.1）与（1.0）相乘得到整个波动、的结果 $\Psi \left ( x,t \right )$ ；

在无限深势阱（束缚态）粒子情况下，仅使用（1.1）来分析，并得到能量量子化结论；

在阶跃势垒粒子情况下，仅使用（1.1）来分析，并得到反射系数；

在矩形势垒粒子情况下，仅使用（1.1）来分析，并得到透射系数，隧道效应；

在克勒尼希-彭尼模型中，得到了 $k$ 空间曲线图，简约布里渊区。

2 费米能级

2.1 费米能级是怎么来的？

涉及大量粒子时，我们感兴趣这些粒子作为整体的统计学状态。定义密度数 $N\left ( E \right )$ 代表单位体积单位能量的粒子数，定义状态密度函数 $g\left ( E \right )$ 代表单位体积单位能量的量子状态。函数 $f_F\left ( E \right )$ 定义为二者的比值，表示能量为 $E$ 的量子态被电子占据的可能性，称为费米-狄拉克分布函数：

该分布函数的另一种意义是被电子填充的量子态占总量子态的比率。分布函数中的 $E_F$ 称为费米能级。

此外， $1-f_F\left ( E \right )$ 就是空状态的概率，其与 $f_F\left ( E \right )$ 关于费米能级 $E_F$ 对称。

2.2 用图像理解费米能级

考虑 $T=0K$ ， $E< E_F$ 的情况，这导致 $f_F\left ( E< E_F \right )=1$ ；而 $T=0K$ ， $E> E_F$ 时，导致 $f_F\left ( E> E_F \right )=0$ 。图像如下：

这直观地说明， $T=0K$ 时，电子都处在最低能量状态上，所有 $E< E_F$ 的量子态被完全占据，体现为 $f_F\left ( E< E_F \right )=1$ ；而所有 $E> E_F$ 的量子态被占据的可能性为零，体现为 $f_F\left ( E> E_F \right )=0$ 。这样一来，在 $T=0K$ 时，费米能级可以确定电子的统计学分布，但并不一定对应一个允带能级。

考虑温度逐渐升高的情况，电子就会得到一定的热能，一部分电子就会跃入更高的能级中，也就意味着有效能量状态中的电子分布发生了改变。 $T> 0K$ 时，令 $E= E_F$ 可以得到：

这个式子的意思是，能量为 $E= E_F$ 的量子态被占据的可能性为1/2。

为了更好理解这个1/2的含义，这里做出一些解释：

在绝对零度时，所有能量低于费米能级的态都是被电子占据的，而高于费米能级的态都是空的。因此在 0 K 时，费米能级上的态被占据的概率是 1 或 0，取决于它在费米能级之上还是之下。

当温度大于 0 K 时，电子会因热激发而从低能态跃迁到高能态。此时，即使是处于费米能级的电子，也有可能跃迁到更高的能量态，导致费米能级上的态不再总是被占据，而是有 50% 的概率被电子占据，50% 的概率是空的。

下图显示了随着温度升高，费米-狄拉克分布函数的变化（假设费米能级不随着温度变化）：

从图中也能看出， $T> 0K$ 时，高于费米能级 $E_F$ 的能量状态将被一些跃迁的电子占据从而使概率不为零，而低于费米能级 $E_F$ 的一些能量状态为空。

2.3 简要定义费米能级

费米能级 $E_F$ 是描述费米子（如电子）在绝对零度（0 K）下，系统中电子可以占据的最高能量状态。在绝对零度时，所有能量低于费米能级的状态都被电子完全占据，而高于费米能级的状态完全空闲。

2.4 麦克斯韦-玻尔兹曼近似

我们在讨论费米能级是怎么来的过程中提到了费米-狄拉克分布。考虑 $E-E_F\gg kT$ 的情况，这时费米-狄拉克分布中的分母的指数项远远大于1，于是我们忽略这个1，从而费米-狄拉克分布可以写为：

这个式子就是费米-狄拉克分布的麦克斯韦-玻尔兹曼近似，或叫做简约玻尔兹曼近似。

2.5 在哪里用得到费米能级？

由于费米能级一开始是在费米-狄拉克分布函数中出现的，所以这一节当中包含了用得到费米能级或者费米-狄拉克分布的一些场景。

2.5.1 电子和空穴的平衡分布

导带电子关于能量的分布为导带中允许量子态的密度 $g_c\left ( E \right )$ 与某个量子态被电子占据的概率的乘积：

价带空穴的分布为价带允许量子态的密度 $g_v\left ( E \right )$ 与某个量子态不被电子占据的概率的乘积：

2.5.2 热平衡电子浓度和热平衡空穴浓度

对 $n\left ( E \right )$ 在能量范围上积分，积分下限为 $E_c$ ，上限为正无穷，并使用玻尔兹曼近似，就得到导带电子的热平衡浓度：

其中参数 $N_c$ 称为导带有效状态密度， $N_c=2\left ( \frac{2\pi m_n^{*}kT}{h^2} \right )^{3/2}$ ， $m_n^{*}$ 为电子有效质量。

同理，可以得到价带空穴的热平衡浓度：

其中参数 $N_v$ 称为价带有效状态密度， $N_v=2\left ( \frac{2\pi m_p^{*}kT}{h^2} \right )^{3/2}$ ， $m_p^{*}$ 为空穴有效质量。

在这里，需要知道 $N_c$ 和 $N_v$ 的数量级均为 $10^{19}cm^{-3}$ 。给定温度下的给定半导体， $N_c$ 和 $N_v$ 均为常数。

2.5.3 本征载流子浓度

本征半导体中，导带中的电子浓度值等千价带中的空穴浓度值。本征半导体的费米能级称为本征费米能级 $E_{Fi}$ 。因为本征半导体中电子浓度 $n_i$ 和空穴浓度 $p_i$ 有关系 $n_i=p_i$ ，所以：

其中 $E_g$ 为禁带宽度。对于给定的半导体材料，温度恒定时 $n_i$ 为恒定值，与费米能级无关。本征载流子浓度强烈依赖于温度变化。

2.5.4 本征费米能级位置

我们已经定性地证明了本征半导体的费米能级位于禁带中央附近。更精确地有：

若电子和空穴的有效质量相等，则本征费米能级精确位于禁带中央。空穴有效质量大时，本征费米能级高于禁带中央，电子有效质量大时，本征费米能级低于禁带中央。

2.5.5 杂质半导体热平衡电子浓度和热平衡空穴浓度

热平衡电子浓度：

热平衡空穴浓度：

当 $E_F> E_{Fi}$ 时，电子浓度高于空穴浓度，是n型半导体，也即 $n_0> n_i> p_0$ 。

当 $E_F< E_{Fi}$ 时，空穴浓度高于电子浓度，是p型半导体，也即 $n_0< n_i< p_0$ 。

无论如何，对于热平衡下的半导体，有：

2.5.6 费米能级的位置

在 $T=0K$ 时，n型材料的费米能级处于导带底部边缘能量 $E_c$ 和施主能级 $E_d$ 中间，p型材料的费米能级处于受主能级 $E_a$ 和价带顶部边缘的能量 $E_v$ 中间。

定量地有：

以及本征费米能级和费米能级的关系：

以上式子中的 $N_c$ 和 $N_v$ 在2.5.2中已定义， $n_0$ 和 $p_0$ 的值由下式给出：

容易知道，其中的 $N_a$ 和 $N_d$ 分别表示受主杂质原子密度和施主杂质原子密度，单位为 $cm^{-3}$ 。以 $N$ 表示的符号大都表示密度，以 $n$ 、 $p$ 表示的符号大都表示浓度，但是它们的单位都是 $cm^{-3}$ ，所以它们经常混在一起出现。

此外，应当注意，对于杂质补偿p型半导体，少数载流子电子的浓度由下式确定：

在多数载流子的浓度已经确定的条件下，可用式 $n_0 p_0= n_i^{2}$ 来计算少数载流子的浓度。

2.5.7 准费米能级

若半导体中产生了过剩载流子，则半导体就不再处于热平衡状态，且费米能级会发生改变。为了描述非平衡状态，我们定义电子和空穴的准费米能级为 $E_{Fn}$ 和 $E_{Fp}$ 。总电子浓度和总空穴浓度是准费米能级的函数：

其中 $\delta n$ 和 $\delta p$ 分别是过剩电子的浓度和过剩空穴的浓度。

2.6 小结

本书中，费米能级最初是在费米-狄拉克分布函数中引出的，该分布描述的是电子占据的量子态占总量子态的比例，费米能级在这个分布中的描述的是，能量为费米能级大小的量子态被占据的概率是1/2。如果 $E-E_F\gg kT$ ，那么就可以将上述分布近似为麦克斯韦-玻尔兹曼分布。

接下来一系列的场景中使用到了费米能级。最基础的是电子和空穴的平衡分布，分别记为 $n\left ( E \right )$ 和 $p\left ( E \right )$ 。对分布分别积分并使用麦克斯韦-玻尔兹曼近似，得到热平衡电子浓度和热平衡空穴浓度，分别记为 $n_0$ 和 $p_0$ 。对于杂质半导体来说，热平衡电子浓度和空穴浓度也记为 $n_0$ 和 $p_0$ ，但是计算方法不同，杂质半导体的计算公式用到了本征载流子浓度 $n_i$ 。不要忘了总有关系 $n_0 p_0= n_i^{2}$ 。

然后是本征费米能级的定义方法，我们计算其与禁带中央位置的差，发现差为对数关系。计算热力学零度情况下的费米能级时，我们知道n型半导体中费米能级靠近导带，且处于施主能级和导带能级中间，所以n型半导体中定义方法是导带底能量减去费米能级得到一个对数关系；而在p型半导体中是费米能级减去价带顶能量得到一个对数关系。本征费米能级减去费米能级也是得到一个对数关系。最后是准费米能级，这针对的是非平衡半导体，产生过剩载流子的状态，总电子浓度和总空穴浓度分别是两个对数关系式。