目录
一、微观分析
二极管和晶体管是由半导体制成的。
首先,让我们从微观角度去研究半导体。
1、基础知识
半导体:介于导体与绝缘体的一种材料,最常用的便是今天的主角———硅(化学式Si)。
图1.1 硅的原子结构
最中间的是带正电的原子核,内含质子和中子。
从内到外的第三层(即最外层)称为价电子,具有最大的能量。有时,价电子获得了足够的能量就会挣脱原子核的束缚,从而成为自由电子。这种自由电子也称传导电子。
初中化学教过我们,原子是不带电的。这是因为原子核的正电和外围电子的负电相抵消,呈现电中性。若价电子挣脱了原子核的束缚,原子便成了离子。当然,离子分为正离子和负离子,他们都是带电的。上文所说的“失去电子”的情况是正离子,“得到电子”的情况是负离子。
2、本征半导体
纯净的硅就是本征半导体。
在绝对零度下,价电子得不到能量,也就是说它无法挣脱原子核的束缚。硅便成了良好的绝缘体。
原子在基态下,其全部的电子由最低能级依次填充,每个能级的轨道数不同,故每个能级容纳的电子数也不同。这些被填充满的能带称为满带。在所有满带中能量最高的称为价带。价带中的电子无法自由移动,所以这些电子无法导电。
未被电子填充的能级区域称为导带。价带与导带之间的能量间隙称为禁带。
绝缘体的禁带很大,几乎不可能有电子能跃迁到导带,所以它不导电。
金属(导体)没有禁带,它的价带与导带是相互重叠的,所以它导电性能非常好。
半导体的结构特点是:最高的满带(价带)和最低的空带(激发带)之间的间距较窄,所以用较小的能量就可以把价带的价电子激发到空带,形成自由电子。一个萝卜一个坑,价电子走后会留下一个坑位,称为空穴。这个过程称为本征激发。
自由电子与空穴成对出现,他们都是载流子。
图1.2 能级结构示意图
若导带的电子失去能量跌入价带中的空穴,自由电子和空穴成对消失。这个过程称为复合。
温度一定,激发与复合动态平衡(即自由电子浓度和空穴的浓度相等)。
3、掺杂半导体
在纯净半导体中有控制的加入特定的杂质,会增加载流子的数量,从而使半导体的性能有很大的提升,该过程称为掺杂。掺杂形成的半导体称为掺杂半导体。掺杂半导体分为两类:p型和n型。
n型半导体:在纯净的硅(或锗,以后默认为硅)中有控制地掺入5价的原子,这些原子最外围有五个电子,而硅只有四个。掺杂原子的四个价电子与硅原子的四个价电子形成共价键。但杂质原子有五个价电子。所以在掺杂过程中,每加入一个杂质原子都会多出一个额外电子,这个额外的电子不受任何原子的束缚,成为导带的自由电子。在n型半导体中,自由电子是多子(多数载流子),空穴是少子(少数载流子)。
p型半导体:过程与p型掺杂类似,不过n型半导体是在纯净半导体中加入3价的原子。这会导致空穴增多,所以在p型半导体中,自由电子是少子,空穴是多子。
*上文的p与n分别代表 positive 和 negative 。
4、pn结
在一块本征半导体上掺杂,使其一半是p型半导体,一半是n型半导体,那么在p型半导体与n型半导体的交界处会形成pn结。pn结形成了最基本的二极管。
在p区有很多空穴与少量由热激发产生的自由电子;在n区有很多自由电子和少量由热激发产生的空穴。
PN结电压与电流的关系
IV方程:
5、耗尽区
形成pn结之后,在pn结附近的导带电子会漂移到p区与空穴复合,在n区留下了正离子;自由电子同样消耗了p区的空穴,在p区会形成负离子,如图。
图1.3 PN结
在耗尽区会产生势垒电压,势垒电压与温度有关,室温下,硅的势垒电压约为0.7v,锗的势垒电压约为0.3v。
由于两区浓度的差异,电子会发生扩散。
为了扩散到p区,n区的自由电子必须克服耗尽区正离子的引力和负离子的斥力。电荷穿越耗尽区的任何运动都需要克服势垒电压。
*:反向饱和电流
*:热电压,通常取26mV
二、二极管
一只pn结就构成一个二极管。
1、偏置
偏置是指给半导体器件外加固定的直流电压的工作条件。其中,正向偏置是允许电流流过pn结的条件。
①正向偏置
图2.1 正向偏置
工作原理:当外加直流电源后,由于静电力的作用,电源负极推动n区导带电子向pn结移动;电源正极推动p区空穴向pn结移动。若电压足够大,电子就会有足够的能量克服势垒电压穿过pn结到达p区,与p区的空穴复合,这些导带电子就成为了价电子。之后,这些价电子不断地向电源负极方向从一个空穴跳到另一个空穴,这就形成了电流。
②反向偏置
工作原理:电性相反,相互吸引。这样会使耗尽层增大,反向偏压越大耗尽层越大(不能增至无限大,下文会讲到)。
峰值反向电压(PIV):二极管反向偏置时,它有一个最大承受反向电压,称为峰值反向电压。超过峰值反向电压二极管会被击穿,造成损坏。
三、二极管的特性
特性曲线
图2.2 二极管的电路符号
图2.3 二极管的特性曲线
温度对二极管的影响很大,对Is(反向饱和电流)的影响尤其大。
图中坐标原点到“势垒电压”那段区域也叫“死区电压”,想要二极管导通必须外加大于死区电压的直流电压。
四、二极管模型
理想情况(不考虑死区电压)
①若U>0,二极管导通,相当于短路。即将二极管替换为一根导线。
②若U<0,二极管截止,相当于开路。即将二极管两端的导线开路。
实际情况(考虑死区电压)
①若>,二极管导通,但二极管本身也具有压降,故二极管相当于一个直流电源。
②若<,二极管截止,相当于开路,同“理想模型”。
若文章内容出现错误,恳请各位批评指正,感激不尽!