芯片设计中的latch_闩锁效应（Latch-up）详解

在CMOS集成电路中，闩锁效应不容忽视。这篇文章将从0开始给大家介绍闩锁效应（Latch-up），以及有效抑制闩锁效应的方法。

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一、背景知识

（1）双极结型晶体管（Bipolar Junction Transistor—BJT）

图1 NPN型BJT的结构示意图、管芯剖面图和NPN型符号。[Copy from 电子工程世界]

图1展示了典型的NPN型BJT。我们以此为例展开分析。

BJT工作时多子和少子都参与运行，因此成为双极型晶体管，BJT为三端器件，包括：基极（Base）、集电极（Collector）和发射极（Emitter）。其中集电区和基区之间有集电结，发射区和基区之间有发射结。在制造工艺上，发射区掺杂浓度最高，用于发射载流子；基区很薄，而且掺杂浓度最低，一般为几微米到几十微米，用于传送和控制载流子；集电区掺杂浓度低于发射区，且面积大，用于收集载流子。

BJT本质是电流放大器件，用很小的基极电流

，就能控制较大的集电极电流