关于PN结耗尽层的思考

为什么写这篇文章

在之前对模电的学习中，我曾经简单的将耗尽层认为是一堵阻止电流流动的静止的墙，这让我对元器件的了解仅限于它的用途，每次看到半导体元器件的问题总是一知半解，产生很多令人烦躁的问题。

根基不稳，上面的事物也会摇晃不定，要啃掉这个硬骨头。

半导体是动态的内部结构

正如上面所说，我一直有一种片面的看法——在PN结正相导通时，阻碍电流流动的“墙”因为加了正向电压而变窄（为什么变窄），所以载流子会源源不断的流动；而反相截止时，“墙”由于加了反向电压变宽，电子很难穿过，于是耗尽层使得元器件静止。（当时觉得自己很懂，其实什么都不懂QAQ）

然而实际上，再厚的耗尽层也并不是难以逾越的、铺满尖刺铁丝网的、静止的高墙，它的内部暗流涌动。（这很哲学）

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扩散运动和漂移运动

   外加反向电压时的情况：

• N区的自由电子被电源正极吸引，载流子消失，产生了失去自由电子的正离子。
• P区同时被电源负极推入大量的自由电子，自由电子与空穴结合，载流子消失，产生了得到电子的负离子。

PN结内，一方面由于扩散运动(物质总是从浓度高的地方向浓度低的地方运动），杂质元素得到了载流子后成为离子，并使载流子消失，而少量的载流子被电源正负极吸附至正负接线端，所以耗尽层出现在PN结中间交界部分并变宽，一方面杂质元素成为正（负）离子后吸引（排斥）自由电子，后者这种现象叫做漂移运动，在PN结中形成内电场，耗尽层中内电场的扩散运动与外电场的漂移运动形成的电流大小相等，方向相反，等效于没有电流（漂移运动一般情况下很小，但是外加反向电压时浓度差低，所以扩散运动也很小，所以它们的作用相互抵消了）。PN结内部载流子此时也很少，也就是无浓度差，于是PN结两端电流被截止。

   外加正向电压时的情况：

• P区的自由电子被电源正极吸引，形成大量空穴。
• N区同时被电源负极推入大量的自由电子。

以上两条同时发生，使得PN两区之间一直保持着载流子的高浓度差，相对的，因为低浓度差而产生的耗尽层被削弱，所产生的压降只有零点几伏，于是电流很轻松的从P区流向N区，PN结正向导通。（耗尽层中的漂移运动本来就很小，在正向导通中耗尽层又很窄，所以漂移运动被忽略不计，扩散运动占主流。）

结论：

扩散运动和漂移运动其实一直在PN结中进行，只是此消彼长，两者属于竞争关系。在不同的内部区域，不同的外部条件下，竞争的结果不相同，从而构成了电流的方向变化。（有点像向量）

解决的问题：

但是若给耗尽层两端加上反相电压，电流居然在耗尽层内部导通了，这是因为这次的外电场增强了上述的漂移运动，场效应管的夹断特性正是应用了这一原理。这也是此前一直令我困惑的一点。

由于我对电子技术的了解还不够，也许我的想法也存在缺点和错误，欢迎大家指正！