1. MPSOC 4EV MGTRAVCC PS_MGTRAVCC 大坑
- 对于 速度等级是1 ,2 的器件,二者电压不相同
- PS PL 部分对高速串行接口的电压要求不同
- PS_MGTRAVCC= 0.85 ,PL_MGTRAVCC=0.9
2. PS 侧高速差分信号耦合要求
- 高速串行时钟(如GTR_REF_SATA_CLK),耦合电容用10nF
- 高速差分数据信号,包括发送和接收,耦合电容用100nF
- 见图:
3. DDR VTT 电压
- DDR VTT 电压随DDR1,2,3,4不同而不同
- VREF 电压一般与VO相同
- 具体参考电路可参考 TPS51200
- DDR4 VTT=0.6V
- DDR3L VTT=0.675V
- DDR3 VTT=0.75V
- DDR2 VTT=0.9V
- DDR VTT=1.25V
4. PS CLOCK 输入范围和电平要求
- 晶体输入范围是:27M~60M
- 输入电平:LVCMOS
- 具体电压参考BANK 电压,如LVCMOS18 LVCMS33