直流电机正反转驱动电路板

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分类专栏：电路应用文章标签：嵌入式硬件

于 2020-03-27 18:30:55 首次发布

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标题用专的芯片组成H桥进行可让直流电机执行正反转状态

在这里插入图片描述
自举栅极驱动电路
高端和低端的栅极驱动器电源是不同的。低端栅极驱动电压以地为参考，因此该驱动由直流电源直接供电。然而，高端是悬空的，因此需要使用自举驱动电路，其工作原理：
上电后，PWM不会立即发生，所有MOSFET都处于高阻态，直到所有直流电压完成建立，在此期间，电容C1由直流电源通过路径R1、D1、C1和R3充电。充电后的电容C1提供高端栅极驱动电压。C1充电的时间常数为τ = (R1 + R3) C1。

当MOSFET在PWM信号的控制下切换时，低端开关Q3接通，高端开关Q1断开。高端的GNDA下拉至地，电容C1充电。当Q1接通时，Q3开，GNDA上拉至直流电源电压。二极管D1反向偏置，C1电压将ADuM7234的VDDA电压驱动到约24 V。因此，电容C1在ADuM7234的VDDA和GNDA引脚之间保持约12 V的电压。这样，高端MOSFET Q1的栅极驱动电压始终参考Q1的悬空源极电压。

每次低端驱动器接通时，自举电容就会充电，但它仅在高端开关接通时才放电。因此，选择自举电容值时需要考虑的第一个参数，就是高端开关接通并且电容用作栅极驱动器ADuM7234的高端直流电源时的最大容许压降。当高端开关接通时，ADuM7234的直流电源电流典型值为22 mA。假设高端开关的导通时间为10 ms（50 Hz、50%占空比），使用公式C=I×ΔT/ΔV，如果容许的压降ΔV=1V，I=22mA，ΔT = 10 ms，则电容应大于220 μF。本设计选择330 μF的容值。电路断电后，电阻R5将自举电容放电；当电路切换时，R5不起作用。

自举启动电阻（R3、R4）
电阻R3启动自举电路。上电之后，直流电压不会立即建立起来，MOSFET处于断开状态。在这些条件下，C1通过路径R1、R3、D1、VS充电，其过程如下式所述：
vC (t) = (VS - VD)(1 - e-t/τ)
(1)其中，vC(t)为电容电压，VS为电源电压，VD为二极管压降，τ为时间常数，τ = (R1 + R3) C1。电路值如下：R1 = 10 Ω，C1 = 330 μF，VD = 0.5 V，VS = 12 V。由以上方程式可知，当R3 = 470 Ω时，电容充电到最终值的67%需要一个时间常数的时间(158 ms)。电阻值越大，则电容的充电时间越长。然而，当高端MOSFET Q1接通时，电阻R1上将有12 V电压，因此，如果电阻值过低，它可能会消耗相当大的功率。对于R3 = 470 Ω，12 V时该电阻的功耗为306 mW。

自举电容的过压保护（Z1、Z2）
如上所述，对于感性负载，当高端MOSFET断开时，电流会流经续流二极管。由于电感和寄生电容之间的谐振，自举电容的充电能量可能高于ADuM7234消耗的能量，电容上的电压可能上升到过压状态。13 V齐纳二极管对电容上的电压进行箝位，从而避免过压状况。

高端MOSFET源极上的电压尖峰
当Q1和Q4接通时，负载电流从Q1经过负载流到Q4和地。当Q1和Q4断开时，电流仍然沿同一方向流动，经过续流二极管D6和D7，在Q1的源极上产生负电压尖峰。这可能会损害某些采用其它拓扑结构的栅极驱动器

目前所用到的芯片有IR2104半桥芯片，L6384ED半桥芯片所用的感受：
优点：
1.自带死区时间无需担心MOS同时导通导致短路问题
2.集成芯片外围器件少
缺点有：
1.如长期运动一定时间速度有所减慢，问题原因是靠自举电容充放电时间自举电压

标题通过特定的电压让上桥臂驱动MOS管导通闭合与下桥臂驱动MOS管导通闭合在与

先简单说下原理图，本板子用到两个逻辑芯片每块芯片分别控制上桥臂和下桥臂的逻辑部分，上桥臂有点特殊如果用万用表测量以GND为参考平面逻辑芯片电源电压的电平到达24V，有点惊讶吧！通常的逻辑芯片最大只能支持8V左右啊，怎么可能输入24V电压不会烧掉呢。
是的，你没听错这里就是让逻辑芯片输出24V，通过二个相同的器件就能得到你想要的结果，器件就是稳压二极管了，嘻嘻。连接方式也是比较特殊的供给的24V电压与之自己连接。先不多说附上原理图：
在这里插入图片描述
可以看到万用表1号测量的门极芯片的电压在5.7V左右，通过这样的电路无需其他复杂的部分保证了逻辑芯片输出高电平信号为24V，低电平为18V。这样的电平恰好满足MOS管导通与闭合特性。