【模拟IC】高级CMOS器件模型

一、 MOS管的结构和工作原理

从图一可以看出，哪个是NMOS,哪个是PMOS吗？

CMOS电路中既包含NMOS晶体管也包含PMOS晶体管，NMOS晶体管是做在P型硅衬底上的，而PMOS晶体管是做在N型硅衬底上的，要将两种晶体管都做在同一个硅衬底上，就需要在硅衬底上制作一块反型区域，该区域被称为“阱”。根据阱的不同，CMOS工艺分为P阱CMOS工艺、N阱CMOS工艺以及双阱CMOS工艺。其中N阱CMOS工艺由于工艺简单、电路性能较P阱CMOS工艺更优，从而获得广泛的应用。所以图一做在P衬底上的是NMOS，做在N阱上的是PMOS。

在图二中可以看到表示NMOS和PMOS的各种符号。

1.1 线性区

从公式中可以的得出，在线性区中，MOS管可以看成一个压控电阻，如下图所示

1.2 饱和区

在饱和区中，从公式中，MOS管可以看成一个压控电流源。

下图是Vds vs Ids

例题一:

例题二(同上图)：

例题3：

1.3 亚阈值区

如上图所示亚阈值区为虚线方框部分。
（1）即使VGS为零，依然存在IDS，称为漏电流；
（2）在亚阈值区域，IDS以指数发生变化：

1.4 速度饱和区

载流子迁移过程中存在碰撞问题,其迁移存在最高速度vsat，10⁷cm/s。

此时，跨导gm将与沟道长度L无关，并只取决于W、Cox和vsat。

Tip:1.此跨导gm为该器件任何情况下能够取得的最大跨导；
2. 载流子速度饱和之下，电流的增加无法再提升增益；
3. 模拟电路基本上不工作于该区间，它属于数字电路范畴！

1.5 沟道调制效应

通俗的讲，ID不仅受VGS的影响，还受VDS的影响。

这意味着当VD变化时，有效沟长LE也会跟随变化，造成ID的变化！

λ称为沟长调制系数。

由下列图可以看出，沟道调制系数的大小以及影响因素。

沟道调制系数，是VDS与IDS的变化率。

λ与工艺和MOS管沟道长度有关：

VE是工艺参数。

相对而言，沟道长度越大，沟道调制效应便越不明显。

1.6 衬底效应

通俗的讲就是，当VS和VB的电位不一致时，就会发生衬底效应。

1.7 小信号模型

MOS管的理想模型为：

MOS管等效为压控源：

掌握和牢记gm的三个公式：

例题4：

（1）沟道调制效应的影响
因为沟道调制因素的影响，理想的压控源并联上一个电阻，如图所示。


从下图推出增益与沟道长度、过驱动电压的关系

1. MOS管饱和状态下最大增益与沟道长度成比；
2. MOS管饱和状态下最大增益与过驱动电压成反比；
3. MOS管饱和状态下最大增益与电流无关！

例题五：


（2）亚阈值区的影响

相同电流情况下，亚阈值区将能够提供比饱和区更大的跨导，因此适合进行低功耗设计。
由下图分析可知，


相同漏电流下，为使跨导最大化，MOS管工作在亚阈值区。

1. 从功耗角度出发，MOS管应当工作于亚阈值区；
2. 从增益角度出发，MOS管应当选取长沟道器件。

（3）衬底效应的影响

VB的作用与VG相反！则小信号模型最终为：

1.8 寄生电容

(1)寄生电容生成

如图所示，MOS管的寄生电容为：


f(ꞏ)为结电容函数，表明节点容会随结偏置电容的变化而变化，又由下图可以得知CGS与CGD：


（2）MOS电容
将三端短接形成MOS电容。



（3）MOS管的频率特性


由图可知：


W_T表示的是了器件可实现增益放大的最高速度。相同情况下，沟道长度缩短为1/2,最高速度能够提升4倍！


设计过程中，首要参数选择，应当优先考虑L、VDSAT，再根据要求计算其他参数！

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二、总结