【模拟IC】高级CMOS器件模型

一、 MOS管的结构和工作原理

从图一可以看出,哪个是NMOS,哪个是PMOS吗?
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CMOS电路中既包含NMOS晶体管也包含PMOS晶体管,NMOS晶体管是做在P型硅衬底上的,而PMOS晶体管是做在N型硅衬底上的,要将两种晶体管都做在同一个硅衬底上,就需要在硅衬底上制作一块反型区域,该区域被称为“阱”。根据阱的不同,CMOS工艺分为P阱CMOS工艺、N阱CMOS工艺以及双阱CMOS工艺。其中N阱CMOS工艺由于工艺简单、电路性能较P阱CMOS工艺更优,从而获得广泛的应用。所以图一做在P衬底上的是NMOS,做在N阱上的是PMOS。

在图二中可以看到表示NMOS和PMOS的各种符号。
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1.1 线性区

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从公式中可以的得出,在线性区中,MOS管可以看成一个压控电阻,如下图所示
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1.2 饱和区

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在饱和区中,从公式中,MOS管可以看成一个压控电流源。
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下图是Vds vs Ids
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例题一:
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例题二(同上图):

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