由耗尽层的遨想

耗尽层能否导电？
误解：耗尽层中既不存在多数载流子，也不存在少数载流子，因此它像绝缘体一样是不导电的。
正解：耗尽层中因为存在较强的内建电场，则载流子都被驱赶出去了，其中剩余的空间电荷即都是不能移动的电离杂质中心，从而耗尽层本身的确像绝缘体一样，并不导电，并且也呈现出相同的电容效应和绝缘击穿效应等。但是耗尽层又不完全与绝缘体相同，因为当有载流子到达它的边缘时，就将很快地被其中的电场扫过而产生电流，因此这时耗尽层又能够导电了。
耗尽层导电的典型例子：①BJT的集电结势垒区，在反偏时可近似为耗尽层，但是很大的集电极电流都是从发射极进入、通过基区、再通过集电结耗尽层而输出的。②场效应晶体管的沟道夹断区，可看成是耗尽层，但是很大的源漏电流也都是通过夹断区而输出的。

对于MOS管，我们要有的基本思考方向是：

1. PN结
2. 耗尽区、反型层
3. 源、栅、漏（载流子从源端到漏端，可推导出如果电子是载流子，那么漏极电势高于源极；如果空穴是载流子，那么源极电势高于漏极）
4. 衬底（指的是什么？怎么接？）

对于PN结有进一步研究的必要
https://www.zhihu.com/question/453167365/answer/1820726080?
https://zhuanlan.zhihu.com/p/348923810（知乎上还不错的回答）

对于载流子运动的深刻理解：
能够运载电荷的粒子称为载流子。自由电子和空穴均为载流子。
载流子浓度（杂质浓度）是影响电阻率（电导率）的原因之一，半导体掺杂后，多子浓度上升，电阻率减小到可忽略的地步，掺杂过的半导体，特别是重掺杂过的，常当导体看，就是这个缘故（具体细节要参考半导体物理，半导体器件原理）。

将俩种杂质半导体制作在同一个硅片上时，在它们的交界处，载流子有俩种有序的运动，因浓度差而产生的运动称为扩散运动，因电位差而产生的运动称为漂移运动。

N型半导体：在本征半导体掺入五价元素。掺入一个P原子，自由电子就多一个。所以自由电子为多数载流子。
少数载流子空穴比未加杂质时的数目更少了，因为自由电子远远大于空穴的浓度，在自由电子运动的过程中，它碰到空穴就会复合，由于自由电子数目多，它复合的机会就多。所以在这里，少数载流子就会比本征半导体时更少了。

杂质半导体主要靠多数载流子导电。掺入的杂质越多，多子浓度越高，导电性越强，实现导电性可控。

P型半导体：在本征半导体掺入三价元素。B原子周围有空位，不是空穴，只有四价元素的电子价电子补充了这个空位以后，这时候产生的才是空穴。所以说空穴是带电的。

在杂质半导体中，温度变化时，载流子的数目变化吗？
变化

少子与多子的数目变化相同吗？
相同，有一个价电子变成自由的就多出一个空穴

少子与多子浓度的变化相同吗？
不同。比如原来多数载流子有100个，少数载流子有2个，这时候有俩个价电子挣脱共价键为自由的，于是多数载流子变成102个，而少数载流子变成4个，那么多数载流子的变化是2%，而少数载流子的变化为100%。由此可见，少数载流子的数目，它的浓度，它的变化，在温度变化的时候是远远超过多数载流子的变化的。

二极管如何正向导通的，又如何做到反向截止的？
外加正电压，则外加电场与内建电场反向，削弱PN结内建电场。
如何削弱：
在外电场作用（电池电势作用）下，电池负极向外强势输出电子，正极向内强势吸入电子。
即在外电场推动下，电子注入到N区，空穴注入到P区。电子与空穴在外电场的推动下，向中心移动，挤压中间的耗尽层；
耗尽层，左右都受到挤压，宽度变小，内建电势相应变小，漂移运动变弱；平衡被打破，扩散强于漂移；

简而言之，多子由电源提供，多子从两侧注入，多子向中间移动，多子在中间耗尽层内扩散并复合，过程是可持续的。而且，多子扩散呈现出的电流方向，与电源的电流方向，是一致的，所以导通；

外加反向电压，则外加电场与内建电场反同，增强PN结内建电场。
反向偏压时，在外部电势能作用下，从电子区抽走电子，从空穴区抽走空穴；电子区的电子向外侧移动，空穴区的空穴也向外侧移动，耗尽层的宽度变大。

耗尽层内没有新的多子产生，由中间向两侧的多子移动，像无源之水，是不能持续的，多子电流无法形成。

这有别于通常的书上解释：“反偏下，内建电势增大，漂移强于扩散，净的效果是，多子无法扩散通过耗尽层 ，所以不能导通”
但是，即使多子可以扩散通过耗尽层，又如何？多子扩散呈现的电流方向，与外部电源的电流方向是相反的，导通电流还是无法形成；单个环路的电路，电流方向必定处处相同，某一段相反是不可能的。
所以，多子电流无法形成。那少子呢？

内建电势增大后，少子漂移增强，即在内建电场推动下，少子顺利通过耗尽层；而且，少子漂移呈现的电流方向，且外部电源是一致的；所以，少子电流是可持续的，是存在的。但是，这个电流太小了，小到不足以称之为导通。因为仅靠少子导电，电子区与空穴区半导体都是绝缘体，一个环路中有两段是绝缘的，导通是奢望。但是三极管的情况就不是这样了，三极管集电极的电流就是通过基区的非平衡少子的漂移运动来完成的。单纯的PN结，少子太少了，这就是少子的无奈。而三极管就是精巧的构造来解决这个问题的。

PN结导通后，载流子越过PN结，不会使内电场变大吗？
准确的因果关系是，外加正偏电压，然后内建电场被削弱，再然后正向导通。原因是，外部电源电压的作用下，向P区强势注入空穴，向N区强势注入电子，从两侧同时强势挤压中间的耗尽层，内建电场被迫变小；平衡即被打破，由内建电场推动的漂移弱于扩散，形成扩散电流，且是可持续的，所以正向导通。

“导通后，耗尽层两侧的载流子扩散进入对方，复合掉了，所以两侧的载流子变少了，耗尽层变宽，内建电场变大”。这个理解很有逻辑性，只是忽略了一个点，那就是：外部电源会源源不断的，从PN结两侧补充载流子，扩散掉多少就补偿多少。所以，导通后，耗尽层宽度不变，内建电场也不变。

为什么二极管反向截止，三极管集电极反偏却导通？

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对耗尽层的一些关注，只是为了对管子工作的原理打基础，毕竟数电都是从这些结构开始。
下面是模电上对场效应管的工作原理的描述图片，来自童诗白的模电。