铜薄膜氧化至CuO,的研究

研究背景

许多关于铜低温氧化机制的研究已经进行。这些研究包括使用衍射技术确定形成的表面氧化物相，以及使用光学、重力、库仑和衍射技术确定氧化速率。从最近的铜氧化综述中可以看出，研究中表面形成的氧化物的组成是根据合理假设推断出来的，但没有直接确定。这是因为形成在铜体上的薄氧化层的化学计量比很难表征。例如，如果氧化温度超过200°，会形成多层氧化层。在低于200°的温度下，形成的薄氧化层很难与铜体分离以进行直接分析。在200°以下完全氧化铜板需要不切实际的时间量。

研究主旨

本文研究了铜薄膜在低温下的氧化过程，发现了一种新的氧化态CuO,，其形成不依赖于铜氧化物的先形成。氧化过程中，缺陷结构似乎并不依赖于Cu2O的先形成，而是在无定形氧化物再结晶时立即形成。CuO,的形成可能是由于它在氧气环境中比铜更稳定，同时具有较低的氧化活化能。CuO,在铜薄膜氧化中的形成只取决于氧化到CuO,和CuO的相对活化能，而不取决于底层CuO,的厚度。这项研究提供了一个温度、压力和厚度区域，在此区域内只形成一种氧化物组成，为进一步理解铜在100至10000埃区域的氧化提供了基础。

研究特点

对铜薄膜在低温下的氧化进行了研究，采用微重力、光学和衍射技术。研究了氧化物表面相的形成以及氧化速率。氧化物的组成是通过合理的假设推断出来的，但没有直接确定。这项研究直接测量了完全氧化的铜薄膜的化学计量比，并与其他物理性质相关联。

文章出处 铜薄膜氧化至CuO,的研究