模拟集成电路放大器总结（2）

模拟集成电路放大器总结（2）

在上一章中，我们讲述了最基本的带电阻的共源放大电路，这也是很多放大电路的基础，但是，对于带电阻的共源放大电路而言存在不少缺点，主要有：

1. 电阻制作工艺不能制造出一个具有绝对精确阻值的电阻
2. 电阻的阻值并不是稳定的，而是随温度等外界因素的变化而变化的
3. 使用带电阻的放大器功耗高，增益低

随着带电阻共源级的缺点日益增多，为了解决上述不同的问题，我们提出来不同的电路结构，今天就来讲讲针对问题1所提出的结构——二极管连接的共源放大器(Common Source Stage with Dioded-connected device)
在此结构中，电路将使用MOS管构成二极管相连的器件，从而取代电阻，成为一更为精确电阻的阻值，下面就以NMOS管构成的元件进行分析，此器件的结构如下：

在此结构中，我们可以得到其小信号模型，但是，在此之间，我们对结构进行一些观察，得到一个重要的结论：该结构只有饱和和亚阈值两种工作状态，而不存在线性工作状态，证明很简单，注意观察，该结构的栅级和漏极相连接，此时强制使得栅极电压(Gate Voltage)和漏极电压(Drain Voltage)相等，那么，当管子导通后，此时显然有：
Drain Voltage>Gate Voltage - Vth
可以得到上述结论，这是一个很重要的结论，常常引用到不同的设计中，因此应该熟悉记忆。
讲完这个结论后，我们再来看看该元件的小信号模型，以测量其等效阻抗，在测量等效阻抗时，我们将独立源置零，外加电压源，使用加压求流法计算，则小信号模型如下：

此时V1=Vx,则等效阻抗为：R=Vx/Ix=1/gm因此，我们可以得到此结构的等效电阻为1/gm
则此时：我们可以得到二极管相连共源级和其等效电路图：

因此最终得到增益为：Av = gm1×R = gm1×(1/gm2)
在这里我们计算均忽略了沟道长度调制和体效应等二级效应的影响，此时输出阻抗就等于1/gm2，在这里我们可以得到一个有趣的现象，如增益：此时跨导值gmi=√2un×Cox×(W/L)i×Id
则此时增益可以表示为（假设NM1,NM2均为相同的MOS管）：Av=√(w/l)1/√(w/l)2，此时增益完全由管子的尺寸决定
这就是二极管相连的共源放大电路，但是他依然存在着参数随温度改变以及增益较小的缺点，但是，他却克服了电阻阻值存在偏差的问题。