集成电路设计学习笔记(五)基于IC617的以二极管连接的mos作负载的共源极放大器

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本文记录以二极管连接的MOS作为负载的共源极放大器。


1. 原理分析


二极管连接的MOS管如下图所示。

无论PMOS还是NMOS,当导通时,均工作在饱和区。

等效电阻为

R x = V x I x = 1 g m / / R o ≈ 1 g m R_x=\frac{V_x}{I_x}=\frac{1}{g_m}//R_o\approx\frac{1}{g_m} Rx=IxVx=gm1//Rogm1

以二极管连接的mos作负载的共源极放大器电路连接如下图所示

以二极管连接的MOS管作负载时,交流小信号等效电路与以电阻为负载的共源极放大器相似,只是将 R D R_D RD换为 1 g m \frac{1}{g_m} gm1

所以, V o u t = − g m 1 V 1 1 g m 2 V_{out}=-g_{m1}V_{1}\frac{1}{g_{m2}} Vout=gm1V1gm21

A V = V o u t V I N = − g m 1 g m 2 = − μ p ( W / L ) 1 μ n ( W / L ) 2 A_V=\frac{V_{out}}{V_{IN}}=-\frac{g_{m1}}{g_{m2}}=-\frac{\sqrt{\mu_p(W/L)}_1}{\sqrt{\mu_n(W/L)}_2} AV=VINVout=gm2gm1=μn(W/L) 2μp(W/L) 1

R i = ∞ R_i=\infty Ri=

R o = 1 g m 2 R_o=\frac{1}{g_{m2}} Ro=gm21

当考虑体效应时,

A V = − μ p ( W / L ) 1 μ n ( W / L ) 2 1 1 + η A_V=-\frac{\sqrt{\mu_p(W/L)}_1}{\sqrt{\mu_n(W/L)}_2}\frac{1}{1+\eta} AV=μn(W/L) 2μp(W/L) 11+η1

η = 1 g m b 2 \eta=\frac{1}{g_{mb2}} η=gmb21

当不考虑体效应时,增益为两个MOS的宽长比。


2.仿真验证


画电路图,填加电源,信号源,并正确设置MOS的宽长比,如下图所示。

打开ADE,设置仿真变量,仿真类型,和输出信号。

先DC仿真,找电路的静态工作点。

ADE设置如下图所示

开始仿真,得到如下结果。

放大位数10左右,输入范围大区120mV,输出范围大约1.25V。可设置AC的静态工作点。

进行瞬态仿真,查看波形是否正常放大。

vdc修改为vsin,参数设置如下图。

保存电路,ADE填加瞬态仿真类型。如下图所示

并观察输入与输出信号的波形。如下图所示

点击上方红框中的按钮可将两曲线分离,由图可知电路正常放大信号,且无失真。

最后进行交流小信号分析。设置AC仿真如下图所示

开始仿真,完成后选择AC Gain & Phase,并依次选择输出信号与输入信号 。

幅频与相频特性如下图所示

大概记录了一下以二极管连接的MOS作负载的共源极放大器原理与验证过程。

如有不对之处,大家多多指正。


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### 回答1: CMOS模拟集成电路设计学习笔记 CMOS模拟集成电路设计学习是电子工程领域中的重要一环。CMOS(互补金属氧化物半导体)技术在现代集成电路设计中起着至关重要的用。在学习CMOS模拟集成电路设计过程中,我对以下几个方面有所收获。 首先,电路的基本理论知识是学习CMOS模拟集成电路设计的基础。了解电路设计中的电压、电流、电阻、电容等基本概念,掌握基本的电路分析方法和技巧,对于有效地进行CMOS模拟集成电路设计非常重要。 其次,掌握CMOS技术的原理和特点。CMOS技术是使用N型和P型MOS管并排组成的电路结构,相比于其他技术,CMOS技术具有功耗低、抗干扰能力强等优势。了解CMOS技术的工原理和特点,能够更好地应用于模拟集成电路的设计和优化过程中。 再次,学习耦合放大器(CAS)的设计和优化方法。CAS是模拟电路设计中常用的基本模块,具有放大增益高、抗干扰能力强等特点。通过学习CAS的设计和优化方法,能够更好地理解和应用于CMOS模拟集成电路设计中。 此外,了解电流镜、共源共排模式放大器、差分放大器、反馈电路等常见的CMOS模拟集成电路结构和设计技巧,对于深入理解CMOS模拟集成电路设计原理和方法非常有帮助。 最后,实践是学习CMOS模拟集成电路设计的重要环节。通过自己动手设计具体的电路实例,理解并解决实际问题,能够增加对理论知识的应用和理解。 总之,学习CMOS模拟集成电路设计需要掌握电路基本知识、了解CMOS技术原理和特点、学习常见的电路结构和设计技巧,并进行实践应用。通过不断学习和实践,我相信在CMOS模拟集成电路设计领域中会有更大的进步。 ### 回答2: cmos模拟集成电路设计是现代电子领域的重要研究方向之一。在学习过程中,我了解到cmos模拟集成电路设计的基本原理和方法,以及在实际应用中的一些注意事项。 首先,cmos模拟集成电路是一种使用cmos(互补金属氧化物半导体)技术制造的集成电路,其中的晶体管由n型和p型金属氧化物半导体场效应晶体管(NMOS和PMOS)组成。cmos模拟集成电路设计主要涉及到电流源、放大器、运算放大器、滤波器等模块的设计。 在设计过程中,要考虑电路的性能指标,如增益、带宽、噪声等。同时,为了提高电路的稳定性和可靠性,需要注意电路中的电源抑制、温度补偿、布线规划等方面的问题。 另外,cmos模拟集成电路设计还需要掌握一些基本的设计工具和方法。如Spice仿真工具的使用,可以通过仿真验证设计的正确性和性能指标。还有一些常用的设计技巧,如工在互补模式、差分放大器、共模反馈电路等,可以有效提高电路的性能。 在实际应用中,cmos模拟集成电路设计广泛应用于各个领域。例如,用于通信系统中的放大器、滤波器等电路设计,用于传感器中的信号处理电路设计等。因此,掌握cmos模拟集成电路设计的知识和技能对于从事电子工程的相关人员来说是非常重要的。 总之,cmos模拟集成电路设计学习笔记包括了基本原理和方法,设计工具和技巧,以及实际应用等方面的内容。通过学习和掌握这些知识和技能,可以提高我们在cmos模拟集成电路设计方面的能力和水平。 ### 回答3: CMOS模拟集成电路设计学习笔记是我在学习过程中记录的一本笔记,总结了我对CMOS模拟集成电路设计的理解和经验。 首先,CMOS模拟集成电路是一种重要的集成电路设计技术,它利用CMOS工艺制造出的器件来实现各种模拟电路功能。学习CMOS模拟集成电路设计,首先需要了解CMOS工艺的基本原理和特点。CMOS工艺是一种使用N型细长沟道和P型细长沟道场效应管组成的半导体工艺,它具有电压驱动强、功耗低、噪声小等优点。此外,还需要学习CMOS工艺的制造工艺流程和工艺参数的选择。 在设计CMOS模拟集成电路时,首先需要进行电路的建模与分析。我学习了基本的电路理论与分析方法,如放大电路、逻辑电路、反馈电路等,并学会了使用理想运放进行电路近似分析。此外,还学习了CMOS器件的模型和特性,如MOSFET的输出特性曲线、小信号模型等。通过电路建模与分析,可以更好地理解电路的工原理和设计要素。 然后,学习了CMOS模拟电路的常见设计技术和方法。其中,包括源随器的设计与优化、偏置电路设计、放大电路设计、运算放大器设计等。在设计过程中,我学会了使用EDA工具进行电路仿真和验证,以及对电路进行性能指标的评估。通过反复实践和调试,我逐渐掌握了设计方法和技巧。 最后,我还学习了一些高级的CMOS模拟集成电路设计技术,如电压参考电路设计、数据转换电路设计、低功耗设计等。这些技术使得我能够设计更加复杂和高性能的CMOS模拟集成电路,提高了我的设计能力和水平。 通过CMOS模拟集成电路设计学习笔记的记录和总结,我不仅巩固了自己的知识和理解,还积累了更多的设计经验。这本笔记对于我今后的工学习都具有重要的参考价值。

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