【小田解析Common Source】第二集 二极管负载的共源放大器

• 关于一个MOS做二极管的理解

对于一个NMOS，栅接一个高电压可以让管子导通；反过来，对于一个PMOS，栅接低电压可以让其导通。
在一般情况下，NMOS的D接的是高电压，PMOS的D接的是低电压，此时我让NMOS或者PMOS的GD相接，管子就永远处在导通状态
再来进一步分析管子的导通状态，以PMOS为例，此时VGS=VDS，那么VGS-VTH的绝对值一定就小于VDS的绝对值，那么它处在饱和状态，同理，NOMS的GD相连后也会出现同样的情况

反过来，我们如果把GS相连，那么，VGS=0，一定截止。BD之间相当于一个二极管，用来做保护电路。

GD相连后，电路图就长成这样了

此时我们需要考虑一下衬底的接法：如果是一个NMOS，她的衬底是不可以接地的，而是被接到了$V_{out}$;但是对于一个PMOS，他的衬底是可以接到VDD的。因此NOMS要考虑背栅效应！（体效应）

• 二极管负载情况

对多个晶体管电路，首先要问哪一个晶体管 处在支配地位：比如这种情况下,M1处于主导作用。M2是一个非常被动的晶体管，Vout由它的源极产生。
理解：电流流过M2，产生了$V_{GS}$
经过求解可以看出二极管负载的电路输入输出符合线性关系，在饱和区域内部，输入输出电压近乎为线性.但这个表达式忽略了$V_{DS}$沟道长度调制效应

• 大信号

将M1 看作一个理想电流源来研究：这一类放大器，乍一看她的最高输出是$V_{DD}-V_{th}$,但其实他会慢慢上升到$V_{DD}$（由于亚阈值电流），实际上是因为寄生电容的问题
但一般认为，它的最大输出就是$V_{DD}-V_{th}$
另外考虑：初始点的V为$V_{DD}-V_{GS2}$

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下面就来考虑输入输出电压关系
在输入电压不能满足M1导通的时候，输出电压为$V_{DD}-V_{GS2}$，一旦M1开始导通，就开始满足近似线性的输入输出。这里输出是随着输入降低的可以做如下理解：随着输入电压增大，整个电路的电流变大，M2需要撑起这么大的电流势必会降低自己的D点电压；A点开始，M1由于栅电压过高，进入了线性区，所以曲线变缓慢了。
另外思考，M2晶体管的状态：只有截止和饱和两种状态。（饱和很好理解）M1截止的时候，M2的$V_{GS}$刚好是截止的

• 小信号

下面求解小信号增益，方法一是对公式的直接变形，最终更可以得出放大倍数不但和两个管子的工艺参数有关，还需要乘上一个体跨导系数η。
注意后面这个系数不是一个定值

注意在集成电路的制造中，制造一定尺寸的时候误差会非常大，但制作比值类误差很小

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一个是几十千欧，一个是小于1k欧姆
注意v1就是Vx，可以得出二极管的等效电阻：$r_0$和$\frac{1}{g_m}$的并联，这两者其实这两者的大小反映了漏极和栅级对电流的控制能力。理想情况下$r_o$为无穷
接着我们考虑一下体效应
考虑物理意义：一个源电压上去，看一下等效电阻，变成了这俩的并联

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接着利用小信号模型也可以求出放大倍数的表达式；与电阻负载晶体管的思路类似，需要将二极管的等效小信号模型绘制出来

右侧是那个M2负载，左侧电路则和电阻负载的左侧一样，她的增益表达式已经定下来了$g_m{R}_D$，同理这时候只要把等效电阻带入即可。带入的结果如下

当然跨导的表达式早就已经证明过了，可以对这个增益表达式进行进一步化简

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上述内容是对NMOS的分析结果，事实上PMOS二极管负载时候，S级直接接到了$V_{DD}$.因此体效应在里面就不用考虑了，她的增益表达式更加简洁
可以发现，体效应的因子没啦！

• 小信号输入输出电阻
  

输出电阻就是$r_{01}$和$r_{02}$以及$\frac{1}{g_{m2}(1+\eta )}$,这里涉及了一个电阻比大小的问题，前两者都是沟道长度调制效应引发的电阻，其阻值非常大 ，因此在并联中可以忽略

如果增益很大的时候，M2需要工作在一个非常小的尺寸上，但她的过驱动电压非常大。然后我们发现信号范围和增益之间有一个很强的trade off，是一个矛盾。

• 改进
  让电流源分走一部分M1的电流，电流源小信号电阻无穷大，他们并联时候内阻还取决于M2，这样计算增益的话，$g_{m2}$变化了，他对电流的掌控能力缩小到了原来的四分之一。这时候我们发现增益变大了，但功耗是保持不变的！
  
  这样就可以要想获得十倍的增益，M2上面的过驱动电压秩序是2.5倍

用一个PMOS去代替这个电流源（必须是PMOS，不然不是电流源）