nor flash 、nand flash、serial 区别

最新推荐文章于 2024-07-24 15:46:43 发布
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分类专栏： 电子技术 文章标签： 基础知识
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FLASH存储器又称闪存，主要有两种：NorFlash和NandFlash，下面我们从多个角度来对比介绍一下。在实际开发中，设计者可以根据产品需求来进行闪存的合理选择。

1、接口对比

NorFlash带有通用的SRAM接口，可以轻松地挂接在CPU的地址、数据总线上，对CPU的接口要求低。NorFlash的特点是芯片内执行(XIP,eXecute In Place)，这样应用程序可以直接在flash闪存内运行，不必再把代码读到系统RAM中。如uboot中的ro段可以直接在NorFlash上运行，只需要把rw和zi段拷贝到RAM中运行即可。

NandFlash器件使用复杂的I/O口来串行地存取数据，8个引脚用来传送控制、地址和数据信息。由于时序较为复杂，所以一般CPU好集成NAND控制器。另外由于NandFlash没有挂接在地址总线上，所以如果想用NandFlash作为系统的启动盘，就需要CPU具备特殊的功能，如s3c2410在被选择为NandFlash启动方式时会在上电时自动读取NandFlash的4k数据到地址0的SRAM中。如果CPU不具备这种特殊功能，用户不能直接运行NandFlash上的代码，那可以采取其他方式，比如好多使用NandFlash的开发板除了使用NandFlash以外，还用上了一块小的NorFlash来运行启动代码。

2、容量和成本对比

相比起NandFlash来说，NorFlash的容量要小，一般在1~16MByte左右，一些新工艺采用了芯片叠加技术可以把NorFlash的容量做得大一些。在价格方面，NorFlash相比NandFlash来说较高，如目前市场上一片4Mbyte的AM29lv320 NorFlash零售价在20元左右，而一片128MByte的k9f1g

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唐大大鹏
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NAND Flash和NOR Flash的区别
NETSOL的博客
11-02 1095
1.1接口差别 NOR Flash带有SRAM接口,有足够的地址引脚来寻址,可以直接和CPU相连,CPU可以直接通过地址总线对NOR Flash进行访问，可以很容易地存取其内部的每一个字节。 NAND Flash器件使用复杂的I/O口来串行地存取数据﹐只能通过I/O接口发送命令和地址，对NAND Flash内部数据进行访问。各个产品或厂商的方法可能各不相同。8个引脚用来传送控制、地址和数据信息。NAND Flash读/写操作采用512或2048字节的页。 NOR Flash是并行访问，Nand Flash是
NorFlash与NandFlash对比
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norflash和nandflash的区别
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NAND Flash是一种非易失性存储器，内部采用非线性宏单元模式，为固态大容量内存的实现提供了廉价有效的解决方案。NOR Flash，也称为NOR型闪存，是一种非易失性存储器（NVM），它可以在不需要持续电力供应的情况下保留存储的数据。NOR Flash以其高可靠性和直接执行代码（eXecute In Place, XIP）的能力而著称，这使得它成为嵌入式系统和某些特定应用的理想选择，我们常用的片内flash通常都是norflash，STM32的代码在片内flash中运行，而不是在片内RAM里面。
NorFlash和NandFlash区别
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(1)闪存芯片读写的基本单位不同        应用程序对NorFlash芯片操作以“字”为基本单位.为了方便对大容量NorFlash闪存的管理，通常将NOR闪存分成大小为128KB或64KB的逻辑块，有时块内还分扇区.读写时需要同时指定逻辑块号和块内偏移.应用程序对NandFlash芯片操作是以“块”为基本单位.NAND闪存的块比较小，一般是8KB，然后每块又分成页，页大小一般是512字节.要修改NandFlash芯片中一个字节，必须重写整个数据块. (2)NorFlash闪存是随机存储介质，用于数据量较
NORflash和NANDflash区别
zoudaokou2006的专栏
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转载自http://baike.eepw.com.cn/baike/show/word/NORflash  NAND闪存芯片和NOR闪存芯片的不同主要表现在：     1) 闪存芯片读写的基本单位不同 应用程序对NOR芯片操作以“字”为基本单位。为了方便对大容量NOR闪存的管理，通常将NOR闪存分成大小为128KB或者64KB的逻辑块，有时候块内还分成扇区。读写时需要同时指定逻辑块号和
【转】Nand Flash与Nor Flash区别
Dream Fly的专栏
05-30 2952
<br />Nand Flash与Nor Flash经常在一些地方被提到,一直没认真去理解它们的区别,因此,今天花了一段时间仔细理解了一下,下面把我的笔记放在这里：）<br />1、NOR的特点是芯片内执行(XIP,eXecute In Place),这样应用程序可以直接在flash闪存内运行,不必再把代码读到系统RAM中。优点是可以直接从FLASH中运行程序,但是工艺复杂,价格比较贵,NOR的传输效率很高,在1～4MB的小容量时具有很高的成本效益,但是很低的写入和擦除速度大大影响了它的性能。<br />N
龙芯SPI NOR FLASH驱动
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在驱动开发中，一个非常重要的方面是处理代码与硬件资源之间的兼容性问题，如本文档中的取消NAND的支持以及修改NorFlash的大小。这些修改往往需要根据硬件的具体情况来调整代码。 通过上述知识点的梳理，可以看出...
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4. **SPI NAND Flash**: SPI (Serial Peripheral Interface) 是一种串行通信协议，常用于连接微控制器和其他外围设备。SPI NAND Flash是将NAND Flash与SPI接口相结合的产品，适合于对体积和功耗有严格要求的场合，...
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三星终于从爆炸门中走了出来，受到来自DRAM 与NAND 价格上涨带动，三星把Intel从盘踞了14年的半导体王座上赶了下来，风光可谓一时无两。虽然下半年市况预料将会修正，但今年整体DRAM 仍可较去年成长39%，NAND 则成长25%，而这两项恰恰曾经帮助过Intel走向巅峰，真是成也萧何，败也萧何啊。说起NAND Flash，他和他的哥哥NOR Flash可谓是20世纪最重要的发明之一，他的诞生和发展很是曲折，生于日本，长于美国，如今却在韩国大放异彩。今天的历史故事要从他的发明人桀冈富士雄（Fujio
FPGA上Norflash验证
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2. **FPGA与Norflash接口**：在FPGA中，Norflash通常通过SPI（Serial Peripheral Interface）、QSPI（Quad Serial Peripheral Interface）或并行接口连接。设计者需要配置FPGA的IO端口，实现与Norflash的通信协议，...
NorFlash和NandFlash的区别
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NorFlash和NandFlash都是闪存存储器的类型，它们的主要区别在于它们的内部结构和使用方式。NorFlash：串行存储器、读取速度比较快（比NandFlash快），适合用于存储程序代码和执行代码，但NorFlash写入速度比较慢、容量比较小。NandFlash：并行存储器、读取速度比较慢，但写入速度比较快（比NorFlash快）、容量比较大，适合用于存储大量数据。但NandFlash读取速度比较慢，因此不适合用于存储程序代码和执行代码。
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Nandflash和No人flash最大区别： （1）容量的大小：Norflash容量小，约有64K~2M，Nandflash，约128M~256G。 （2）因此Norflash一个地址对应一个空间，可直接访问，Nandflash无法直接访问 （3）Nandflash容易有坏块，需要通过软件格式化 （4）价格上Norflash>Nandflash Intel总结： 擦除和编程的
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NOR Flash 和 NAND Flash　　是现在市场上两种主要的非易失闪存技术。Intel于1988年首先开发出NOR Flash 技术，彻底改变了原先由EPROM(Electrically Programmable Read-Only-Memory电可编程序只读存储器)和EEPROM(电可擦只读存储器Electrically Erasable Programmable Read - Onl
涨知识！NorFlash与NandFlash有什么区别？
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比较SPI NOR FLASH与SPI NAND FLASH
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SPI NOR Flash和SPI NAND Flash都是基于Serial Peripheral Interface (SPI)标准的闪存存储器，它们之间的区别在于数据结构、读写速度以及用途。 1. **数据结构**: - SPI NOR Flash: 它采用的是断电保持（Non-Volatile）的结构，每个地址块内的数据可以独立擦除和写入。这是因为它采用了单次擦除区（Single-Level Cell, SLC），适合频繁的小块数据更新。 - SPI NAND Flash: 使用的是多级单元（Multi-Level Cell, MLC, 后续发展还有 TLC 和 QLC）技术，每个存储单元可以同时保存多个位，这使得其存储密度更高，但是需要一次擦除整个页甚至块才能写入新的内容，因此不适合频繁的数据修改。 2. **读写速度**: - SPI NOR Flash: 由于每个操作都是针对单个字节或块进行的，所以读取速度较快，而写入速度相对较慢。 - SPI NAND Flash: 写入速度比SPI NOR更慢，尤其是对于随机写入，因为需要先擦除再写入，这个过程耗时较长。 3. **应用场景**: - SPI NOR Flash: 因其快速的读取和相对较小的写入次数，常用于对数据持久性和访问速度有较高要求的应用，如嵌入式系统、微控制器的程序存储等。 - SPI NAND Flash: 主要应用于大规模存储需求，比如固态硬盘(SSD)、U盘等，或者在不需要频繁改动内容的大容量数据存储场景。
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