麦克斯韦方程组学习记录
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麦克斯韦方程组现状:
f ( x ) = { ∇ ⃗ ⋅ D ⃗ = ρ ∇ ⃗ ⋅ B ⃗ = 0 ∇ ⃗ × H ⃗ = j + ∂ D ⃗ ∂ t ∇ ⃗ × E ⃗ = − ∂ B ⃗ ∂ t (0.1) f(x)= \begin{cases} \vec \nabla \cdot \vec D=\rho \tag{0.1} \\ \vec \nabla \cdot \vec B=0 \\ \vec \nabla \times \vec H=j+\frac{\partial \vec D}{\partial t} \\ \vec \nabla \times \vec E=- \frac{\partial \vec B}{\partial t} \end{cases} f(x)=⎩⎪⎪⎪⎨⎪⎪⎪⎧∇⋅D=ρ∇⋅B=0∇×H=j+∂t∂D∇×E=−∂t∂B(0.1)
不是在下没有好好听课,我们高数真没教 ∇ \nabla ∇,我们只学过梯度使用这个符号,但是显然公式里不是梯度的意思,等将来有必要在深入了解吧!
本文就是要给你一个看不懂以上所谓美丽实则装逼的公式一个更加实在的形式,更好理解。
高斯定律
库伦定律
F
12
=
k
q
1
q
2
e
⃗
r
12
r
12
2
=
q
1
q
2
e
r
12
⃗
4
π
ε
0
r
12
2
(1)
F_{12}=\frac{kq_1q_2 \vec e_{r12}}{r_{12}^2} =\frac{q_1q_2 \vec{e_{r12}}}{4 \pi \varepsilon_{0} r_{12}^2 } \tag{1}
F12=r122kq1q2er12=4πε0r122q1q2er12(1)
q
1
q
2
:
q_1 q_2:
q1q2: 两个电荷的电量,单位库伦
F
12
:
F_{12}:
F12:两点电荷之间的静电力。
k
:
k:
k:真空中的比例系数
r
12
:
r_{12}:
r12:两个点电荷之间的距离
e
r
12
⃗
:
\vec{e_{r12}}:
er12:从一个电荷指向另一个电荷的向量,根据电荷判断正反向
ε
0
:
\varepsilon_0:
ε0:真空电容率/真空介电常量
电场强度的定义:
在电场中某一点,试探点电荷(正电荷)在该点所受电场力与其所带电荷的比值是一个与试探点电荷无关的量,这个量就是电场强度。
根据库仑定律及电场强度的定义,空间内某一点出电场强度为:
E
⃗
=
K
q
e
r
⃗
r
2
(1.1)
\vec E=\frac{Kq \vec{e_r}}{r^2} \tag{1.1}
E=r2Kqer(1.1)
Gauss Law 高斯定理
在静电学中,表明在闭合曲面内的电荷之和与产生的电场在该闭合曲面上的电通量积分之间的关系。 高斯定律(Gauss’ law)表明在闭合曲面内的电荷分布与产生的电场之间的关系。高斯定律在静电场情况下类比于应用在磁场学的安培定律,而二者都被集中在麦克斯韦方程组中。
ψ
e
=
∯
s
E
⃗
d
S
⃗
=
∑
i
n
q
i
ε
0
(2)
\psi_e=\oiint_s \vec{E}d \vec{S}=\frac{\sum_i^n qi}{\varepsilon_0} \tag{2}
ψe=∬sEdS=ε0∑inqi(2)
ψ
e
:
\psi_e:
ψe:电场通量
E
⃗
:
\vec E:
E:电场强度
S
⃗
:
\vec S:
S:面积向量
q
i
:
q_i:
qi:面积包围的第i个电荷的电荷量
当空间中存在电介质时,上式亦可以记作:
ψ
e
=
∯
s
D
⃗
d
S
⃗
=
q
0
(3)
\psi_e=\oiint_s \vec{D}d \vec{S}=q_0 \tag{3}
ψe=∬sDdS=q0(3)
D
⃗
=
E
⃗
ε
0
ε
r
(4)
\vec{D}=\vec{E} \varepsilon_0 \varepsilon_r \tag{4}
D=Eε0εr(4)
D
⃗
:
\vec D:
D:电位移
q
0
:
q_0:
q0:曲面内自由电荷总量
ε
r
:
\varepsilon_r:
εr:介质的相对介电常数
Ampere Law 安培定理
安培定则与库仑定律相当,是磁作用的基本实验定律 ,它决定了磁场的性质,提供了计算电流相互作用的途径。
高斯磁定律
毕奥-萨伐尔定律:
电流元Idl 在空间某点P处产生的磁感应强度dB 的大小与电流元Idl 的大小成正比,与电流元Idl 所在处到 P点的位置矢量和电流元Idl 之间的夹角的正弦成正比, 而与电流元Idl 到P点的距离的平方成反比。
数学表达:
d
B
⃗
=
μ
0
d
I
l
⃗
×
r
⃗
4
π
r
3
(4.1)
d \vec{B}=\frac{\mu_0 dI \vec{l} \times \vec r}{4 \pi r^3 \tag{4.1}}
dB=4πr3μ0dIl×r(4.1)
μ
0
:
\mu_0:
μ0:真空磁导率
I
:
I:
I:电流
d
l
⃗
:
d \vec l:
dl:一小段电流(带方向)
r
⃗
:
\vec r:
r:电流微元到该店磁场的向量
理论上所有静电流产生的磁场都可以由以上公式求出。
高斯磁定律表示任意曲面的磁通量之和为零,证明了磁场是无源场.
磁场的高斯定理,个人感觉就是磁感线有始有终的数学表达:
高斯磁定律的积分形式为:
ψ
B
=
∯
s
B
⃗
d
S
⃗
=
0
(5)
\psi_B=\oiint_s \vec B d \vec S=0 \tag{5}
ψB=∬sBdS=0(5)
B
⃗
:
\vec{B}:
B:磁场强度
ψ
B
:
\psi_B:
ψB:磁场通量
高斯磁定律的微分形式为:
学习微分形式之前需要先了解一下梯度“ ∇ \nabla ∇”的概念:
梯度“ ∇ \nabla ∇”的概念:
梯度是一个向量,它的方向指向f的值在某点增长最快(即方向导数最大)的那个方向 ,它的模就等于这个最大方向导数的值 。
例如:
梯度 ∇f (x1, …, xn) 偏导数组成的向量 (df / dx1, …, df / dxn).
若 f (x,y,z) = 3xy + z² 则 ∇f = (3y, 3x, 2z)
高斯磁定律的微分形式:
∇ ⋅ B = 0 (6) \nabla \cdot B=0 \tag{6} ∇⋅B=0(6)
微分形式暂时不知道是啥意思,理解积分形式也够用了。
法拉第电磁感应定律(磁生电)
法拉第电磁感应定律是由实验现象归纳得到的,表明了变化的磁场产生电场。
电磁感应定律中电动势的方向可以通过楞次定律或右手定则来确定。右手定则内容:伸平右手使拇指与四指垂直,手心向着磁场的N极,拇指的方向与导体运动的方向一致,四指所指的方向即为导体中感应电流的方向(感应电动势的方向与感应电流的方向相同)。楞次定律指出:感应电流的磁场要阻碍原磁通的变化。简而言之,就是磁通量变大,产生的电流有让其变小的趋势;而磁通量变小,产生的电流有让其变大的趋势。
数学公式:
e
=
Δ
Φ
Δ
t
(7)
e=\frac{\Delta \Phi}{\Delta t} \tag{7}
e=ΔtΔΦ(7)
Φ
=
B
S
(8)
\Phi=BS \tag{8}
Φ=BS(8)
或者也可以这样描述:
∮
C
E
⃗
⋅
d
l
⃗
=
−
d
d
t
∫
S
B
⃗
⋅
d
S
⃗
(8.1)
\oint_C \vec E \cdot d \vec l=- \frac{d}{dt} \int_S \vec B \cdot d \vec S \tag{8.1}
∮CE⋅dl=−dtd∫SB⋅dS(8.1)
全电流定律(电生磁)
安培环路定理
在稳恒磁场中,磁感应强度B沿任何闭合路径的线积分,等于这闭合路径所包围的各个电流的代数和乘以磁导率。这个结论称为安培环路定理(Ampere circuital theorem)。
数学表达:
∮ l B ⃗ ⋅ d l ⃗ = μ 0 ∑ i = 1 n I i (9) \oint_l \vec B \cdot d \vec l=\mu_0 \sum_{i=1}^n I_i \tag{9} ∮lB⋅dl=μ0i=1∑nIi(9)
全电流定律(安培环路定理的一般形式)
任意一个闭合回线上的总磁压等于被这个闭合回路所包围的面内穿过的全部电流的代数和。
数学表达:
I q = I c + I w = I c + ∫ s ( ∂ D ⃗ ∂ t ) d S ⃗ = ∮ L H ⃗ d l ⃗ (10) I_q=I_c+I_w=I_c+\int_s \left( \frac{\partial \vec D}{\partial t} \right)d \vec S=\oint_L \vec{H} d \vec l \tag{10} Iq=Ic+Iw=Ic+∫s(∂t∂D)dS=∮LHdl(10)
到此为止,大家已经学完了麦克斯韦方程!!!
当然这篇博客还有很大的缺陷,还需要慢慢完善,有时间再来填坑。