【电源设计】01电源参数及LDO

1.电源关注要点

• 输入：
  Vin最大值
  Vin典型值
  Vin最小值

• 输出：
  Vout输出典型电压
  Imax输出最大电流

2.电源参数

2.1 重要参数

• 输出纹波：
  △V纹波（纹波峰峰值）
  Vrms（纹波有效值）
  1/F噪声

• 转换效率：
  轻载效率
  满载效率

• 瞬态响应

• 功率耗散及温升

• 工作温度范围

• 电路占板面积

2.2其它参数

• ShutDown关机
• PowerGood指示
• 线性调整率（输入变化时输出变化程度）
• 负载调整率（负载变化时输出变化程度）
• 输入反接保护
• 输出反灌保护
• 短路保护
• 电流限制
• EMC/EMI
• 数字电源
• 电压电流回读
• 上下电跟踪及时序

3.电源变换器选择

4.LDO基本原理

5.LDO的关键性能参数

5.1最小压降

• 不同芯片设计工艺及结构压降不同
• 压降和工作电流有较大关系
• 通常电流越大，温度越高，压降越大
• 压降越小，在某些时候可以优化效率

5.2输入电压

• 器件耐压要考虑输入电压的瞬态电压值（刚接电有振铃）
• 长导线输入电压电缆要考虑浪涌电压
• 耐压越高，价格越贵
• 通常两倍以上取耐压值比较安全

5.3输出电流

• 芯片的输出电流能力，表征的是理想情况
• 实际输出能力与输入输出压差及电流相关
• 需要的输出电流越大，散热问题越严重
• 通常大电流应用，用开关电源替代LDO

5.4热阻参数

• TJMAX：芯片内核正常工作的最高温度
• θJC：芯片内核到芯片外壳的每W温升
• θJA：芯片内核到外部环境的每W温升
• 无辅助散热温升计算：
  5V转3.3V，电流0.5A，环境温度25℃
  芯片温度＝25+（5-3.3）0.440＝59℃ //θJA＝40℃/W
• TJMAX越高，内核耐热度越好
• θJA、θJC越小，芯片散热能力越强
• 相同器件的不同封装，热阻大不相同
• 辅助散热能极大缓解散热压力（铺铜过孔、贴散热片等）

5.5纹波/噪声

• PSRR电源抑制比（一般10Hz-3MHz范围抑制效果好）
• LDO的纹波噪声通常小于0.1mV
• DCDC的电源纹波通常大于10mV
• PSRR是非常重要的噪声抑制指标
• 越是低频的噪声越难抑制

5.6瞬态响应

• 电源稳定性的重要参数
• 系统偶发现复位，可能是电源瞬态响应差
• 瞬态响应和负载电流突变幅度有关
• 瞬态响应和负载电流突变斜率有关（100ns通常是数字电路关注的速度，1us是模拟电路关注的速度，Iout＝tRISE/tFALL＝1us或100ns
• 电容太小，瞬态波动幅度大；电容太大，瞬态响应时间长。
• 

6.优秀LDO赏析

LT3045、MCP1792、TPS7A20

7.补充总结

• LDO静态电流往往非常之大
• LDO的输入输出电容不要乱用，否则可能振荡