目录
1. 什么是天线效应(Antenna Effect)
2. 天线效应形成的机理
3. 天线效应的量化
4. 天线效应解决的几种方法
5. 问题与讨论
1. 什么是天线效应(Antenna Effect)
在芯片生产过程中,暴露的金属线或者多晶硅(polysilicon)等导体,就像是一根根天线,会收集电荷(如等离子刻蚀产生的带电粒子)导致电位升高。天线越长,收集的电荷也就越多,电压就越高。若这片导体碰巧只接了MOS 的栅,那么高电压就可能把薄栅氧化层击穿,使电路失效,这种现象我们称之为“天线效应”。随着工艺技术的发展,栅的尺寸越来越小,金属的层数越来越多,发生天线效应的可能性就越大。
2. 天线效应形成的机理
在深亚微米集成电路加工工艺中,经常使用了一种基于等离子技术的离子刻蚀工艺(plasma etching)。此种技术适应随着尺寸不断缩小,掩模刻蚀分辨率不断提高的要求。但在蚀刻过程中,会产生游离电荷,当刻蚀导体(金属或多晶硅)的时候,裸露的导体表面就会收集游离电荷。所积累的电荷多少与其暴露在等离子束下的导体面积成正比。如果积累了电荷的导体直接连接到器件的栅极上,就会在多晶硅栅下的薄氧化层形成F-N 隧穿电流泄放电荷,当积累的电荷超过一定数量时,这种F-N 电流会损伤栅氧化层,从而使器件甚至整个芯片的可靠性和寿命严重的降低。在F-N 泄放电流作用下,面积比较大的栅得到的损伤较小。因此,天线效应,又称之为“等离子导致栅氧损伤(plasma induced gate oxide damage)
3. 天线效应的量化
通常情况下,我们用“天