DDR Study - LPDDR5 Power Down and Deep Sleep

Power Down Entry and Exit

首先简单介绍下LPDDR4中Power Down章节的主要内容，实际上就是介绍了两部分内容：信号要求 + 下电之前的冗余时间要求。
信号上主要是CKE(LPDDR5 Removed)为低，CS为低。
不同场景下切换到Power Down时各自需要预留给DRAM处理的时间详细信息如下：

而在LPDDR5上，因为一些信号的变化以及不同Bank Mode的配置限制，Power Down相关内容有了很多的变化。

• 通过在CLK信号的上升沿执行 CS High && CA[5:0] Low && CA6 High进入Power Down
• Power Down阶段，CS需要持续为Low保持 tCSPDmin
• Power Down阶段，CS如果Toggle会退出Power Down，可以在 tXPmin 时间内重新进入Power Down
• 如果CA/CK/CS ODT使能，则Power Down阶段会Terminate CA/CK Bus，CS ODT会强制Off(CS ODT可以通过MR11 OP[7]修改Power Down时配置)
• Power Down阶段，VDDQ可以Turn Off，但是在结束Power Down阶段之前必须让VDDQ保持在工作电压，并满足下表要求
  

基础的Power Down时序图如下所示：

上述的相关参数信息参考如下：

• tCMDPD - 任意指令发出之后如果下一条指令是Power Down指令需要等待的时间
• tCSPD - Power Down指令发出后，CS下一次抬高之前需要的延时时间
• tCSLCK - Power Down指令发出后，CLK信号需要持续稳定Toggle的时间
• tCKCSH - CS信号重新抬高之前，CLK信号需要持续稳定Toggle的时间
• tCACSH - CS信号重新抬高之前，CA信号需要保持为Low的时间
• tCSH/L - Power Down Exit阶段CS保持为高/低的持续时间
• tXP - Power Down Exit开始，到下一条有效命令发出之前需要的延时时间
• tCSCAL - Power Down Exit阶段CA保持为低的持续时间
• VIH/LPD - Power Down阶段，CS的高/低电平数值

而不同场景下的Power Down执行之前需要等待的要求具体如下：

Scenario	Delay Requirements
Bank Pre-Charge	tCMDPD
CAS(WS_FS)	tCMDPD
Read with NT-ODT disable	wait Read finish
Read with NT-ODT enable	wait ODT re-enable after Read Finish
Write	wait Write finish
ZQ Calibration	tZQPD
ZQ Latch	tZQPD
Start WCK2DQI/O Interval Oscillator	wait Internal timer end + tOSCPD

而在WCK Always-On模式下，WCK在执行Power Down/Self-Refresh/Deep Sleep之后，也有一个stop timing限制参数tCSLCK(Max(5ns, 3nCK))

具体的Power Off SIPI测试里的掉电顺序如下：

SIPI - Controlled Power Off

DRAM收到了下电命令开始Power Off。

SIPI - Uncontrolled Power Off

拔电池这种属于Uncontrolled，类似没有收到下电Command就开始掉电。

Deep Sleep

Deep Sleep Mode是一种附加的自刷新模式，具有更长的进入/退出时间，允许 SDRAM 管理内部电路以实现低电流消耗。
Deep Sleep只允许从IDLE模式，Self-Refresh模式这两个状态进入，相关状态机信息如下：

并且Deep Sleep Mode建议最小维持时间为PDN_DSM(4ms min)，否则低于此时间就没有什么省电效果。
Deep Sleep模式下，DRAM会关闭除了Self-Refresh之外的大部分供电和时钟，CS ODT也需要Turn Off，并提供数据Retain的功能。

Deep Sleep的Entry and Exit Timing如下：

可以看到类似tVIHPD/VILPD/tCSH/tCSL/tCSLCK/tCKCSH/tCACSH/tCSCAL/tXP等信息都是和Power Down部分的要求是一样的，不同部分相关的参数信息如下：