麦克斯韦方程组是经典电磁学的基础公式,包括描述电场-电荷关系及电场性质的高斯定律,描述磁场的高斯磁定律,描述磁场激发电场规律的法拉第定律,描述电场激发磁场规律的麦克斯韦-安培定律。每一个方程都有积分和微分两种形式。
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1. 高斯电场定律
通过封闭曲面的电通量等于曲面内的电荷量除以真空介电常数ε0
∯
S
E
⋅
d
s
=
Q
ϵ
0
\oiint_SE\cdot ds=\frac{Q}{\epsilon_0}
∬SE⋅ds=ϵ0Q
E
⋅
d
s
E\cdot ds
E⋅ds是E在面法向量上的投影,对此积分得出封闭曲面上的电通量
E乘
ϵ
0
\epsilon_0
ϵ0是D(电通密度)
1.1 高斯散度定律
∇
⋅
D
=
ρ
∇·D = ρ
∇⋅D=ρ
ρ
\rho
ρ是体电荷密度
1.2 微分形式
∇
⋅
E
=
ρ
ϵ
0
∇·E=\frac{ρ}{ϵ_0}
∇⋅E=ϵ0ρ
电场从正电荷发出向负电荷收敛
2. 高斯磁场定律
通过封闭曲面的磁通量为零,意味着磁场是无源场
∮
S
B
⋅
d
s
=
0
\oint_SB\cdot ds=0
∮SB⋅ds=0
2.1洛伦兹力
F = q ( V × B ) F = q(V × B) F=q(V×B)
2.2 安培力
F
=
I
(
l
×
B
)
F = I(l × B)
F=I(l×B)
如果导线是任意形状的闭合环路,安培力为0,四分之三圆可视为两个端点相连的导线
3. 法拉第电磁感应定律
ε
=
n
Δ
ϕ
Δ
t
\varepsilon=n\frac{\Delta\phi}{\Delta t}
ε=nΔtΔϕ
ε
ε
ε是感应电动势,等于
∫
E
⋅
d
l
∫E·dl
∫E⋅dl,n是线圈匝数(如果是solenoid的话)
3.1 微分形式
∇ × E = − ∂ B ∂ t ∇×E=\frac{-∂B}{∂t} ∇×E=∂t−∂B
4. 电场环路定理(来自法拉第电磁感应定律)
电荷绕闭环电路运动一圈所做的功为0
∫
E
⋅
d
l
=
0
∫E·dl = 0
∫E⋅dl=0
4.1 做功
电荷在一个点拥有的能量为
q
V
,
W
A
B
=
q
V
B
−
q
V
A
qV,W_{AB}=qV_B-qV_A
qV,WAB=qVB−qVA
E
=
U
/
d
E = U/d
E=U/d
4.2 微分形式
∇
×
E
=
0
∇×E=0
∇×E=0
表示电场不循环
5. 安培环路定理
磁感应强度B在稳恒磁场内沿闭合线路积分,等于线路内电流的代数和乘磁导率μ
∮ C B ⋅ d l = μ o I \oint_CB\cdot dl=\mu_oI ∮CB⋅dl=μoI
5.1 磁场强度H
H与电场强度E有许多相似的地方,可以将D对应为B
D
=
ε
E
D = εE
D=εE
B
=
μ
H
B = μH
B=μH
5.2 微分形式
∇
×
B
=
μ
0
J
\nabla\times B=\mu_0J
∇×B=μ0J
J是总电流