电磁学基础概念

麦克斯韦方程组是经典电磁学的基础公式,包括描述电场-电荷关系及电场性质的高斯定律,描述磁场的高斯磁定律,描述磁场激发电场规律的法拉第定律,描述电场激发磁场规律的麦克斯韦-安培定律。每一个方程都有积分和微分两种形式。
在这里插入图片描述

1. 高斯电场定律

通过封闭曲面的电通量等于曲面内的电荷量除以真空介电常数ε0

∯ S E ⋅ d s = Q ϵ 0 \oiint_SE\cdot ds=\frac{Q}{\epsilon_0} SEds=ϵ0Q
E ⋅ d s E\cdot ds Eds是E在面法向量上的投影,对此积分得出封闭曲面上的电通量
E乘 ϵ 0 \epsilon_0 ϵ0是D(电通密度)

1.1 高斯散度定律

∇ ⋅ D = ρ ∇·D = ρ D=ρ
ρ \rho ρ是体电荷密度

1.2 微分形式

∇ ⋅ E = ρ ϵ 0 ∇·E=\frac{ρ}{ϵ_0} E=ϵ0ρ
电场从正电荷发出向负电荷收敛

2. 高斯磁场定律

通过封闭曲面的磁通量为零,意味着磁场是无源场
∮ S B ⋅ d s = 0 \oint_SB\cdot ds=0 SBds=0

2.1洛伦兹力

F = q ( V × B ) F = q(V × B) F=q(V×B)

2.2 安培力

F = I ( l × B ) F = I(l × B) F=I(l×B)
如果导线是任意形状的闭合环路,安培力为0,四分之三圆可视为两个端点相连的导线

3. 法拉第电磁感应定律

ε = n Δ ϕ Δ t \varepsilon=n\frac{\Delta\phi}{\Delta t} ε=nΔtΔϕ
ε ε ε是感应电动势,等于 ∫ E ⋅ d l ∫E·dl Edl,n是线圈匝数(如果是solenoid的话)

3.1 微分形式

∇ × E = − ∂ B ∂ t ∇×E=\frac{-∂B}{∂t} ×E=tB

4. 电场环路定理(来自法拉第电磁感应定律)

电荷绕闭环电路运动一圈所做的功为0
∫ E ⋅ d l = 0 ∫E·dl = 0 Edl=0

4.1 做功

电荷在一个点拥有的能量为 q V , W A B = q V B − q V A qV,W_{AB}=qV_B-qV_A qVWAB=qVBqVA
E = U / d E = U/d E=U/d

4.2 微分形式

∇ × E = 0 ∇×E=0 ×E=0
表示电场不循环

5. 安培环路定理

磁感应强度B在稳恒磁场内沿闭合线路积分,等于线路内电流的代数和乘磁导率μ

∮ C B ⋅ d l = μ o I \oint_CB\cdot dl=\mu_oI CBdl=μoI

5.1 磁场强度H

H与电场强度E有许多相似的地方,可以将D对应为B
D = ε E D = εE D=εE
B = μ H B = μH B=μH

5.2 微分形式

∇ × B = μ 0 J \nabla\times B=\mu_0J ×B=μ0J
J是总电流

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