PN结（空间电荷区的形成）

      所谓的PN结（junction）是指P型半导体和N型半导体实现冶金学接触（原子级接触）所构成的结构。PN结本身是一种器件，并且是整流器（单向导通电流）。几乎会出现在我们所有的半导体器件的基本单元，除金-半接触外。特别说明一下，任何两种物质（绝缘体除外）的冶金学接触都可以称为结，也可以称为接触（contact）。略略多说一点，同种半导体构成的结称为同质结，不同的称为异质结。下面将描述PN结空间电荷区的形成过程。

 图1

      如图1所示（画的很潦草，手动狗头），在形成结之前，两个材料是相互分离的，且N型材料的费米能级靠近导带底，P型材料的费米能级靠近价带顶。当两者连接在一起时（这是需要一定的条件，后期再展开描述），为了使两者的费米能级达到平衡恒定，两边会进行载流子（半导体就只有两种载流子，空穴和电子，其中空穴只是假设的，方便研究，实际并不存在）的转移交换如图2所示。

 图2

由图2（不接受吐槽画得喜剧，🤐）我们可以看见，最开始在接触的一瞬间，电子和空穴都存在很大的浓度梯度（只要有浓度梯度，就可能会有扩散运动，例如BJT的基区非均匀掺杂），再加上两边载流子浓度不同，因此N区的多子电子就往P区跑（扩散），同理P区的多子空穴就往N区跑（扩散）。这时因为没有形成回路即外接电路，所有这种状态不可能一直延续下去。在形成PN结这过程中，可以移动的就只有载流子，掺杂原子是不会乱跑的（自己脑补动画GIF），另外在N区的掺杂原子原本不带电，随着载流子的扩散，掺杂原子提供电子（换句话说就是失去电子），于是就从不带电变成了带正电的施主离子被留在了N区。同理，P区的掺杂原子原本不带电，随着载流子的扩散 掺杂原子提供空穴（换句话说就是得到了电子），于是就从原来的不带电变成了带负电的受主离子被留在了P区。

     这时，P区与N区的负电荷和正电荷在冶金结附近感生出了内建电场，方向是由N区指向P区，即正电荷区指向负电荷区。在这个区域内，电子和空穴都会被扫出空间电荷区（在后面的学习中我们会发现，空间电荷区是可能存在电子或者空穴的），由于不存在可动的电荷，因此也被称为耗尽层（称呼可以互用，以下都称为耗尽层，因为可以少打字，😜）。

      到此为止，扩散运动并没有停止，在耗尽层边缘处仍存在多子浓度梯度，所以载流子还会受到扩散运动的影响。同时又由于耗尽层内电场对载流子的作用，产生了漂移运动，其运动方向与扩散运动方向相反。因此，在热平衡条件下，漂移运动和扩散运动相互牵制影响，达到动态平衡，形成稳定的PN结。

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      以上是我较为普通业余的描述（若有不合理或者出错的地方，欢迎批评指正），下面我就从能级能带变化的角度描述一下。如图3所示，

 图3

未接触前 P型和N型材料的本征费米能级是相平行的，由于P区和N区之间的导带和价带的相对位置会随费米能级位置的变化而变化（换句话说，P型的费米能级和N型的费米能级会由原来不等高的位置变成在同一水平线上），如图4所示，

 图4

所以在接触出后形成稳定的PN结后，耗尽区所在的位置的导带和价带都发生了弯曲。

      由此，N区导带内的电子需要跨过这个势垒才可以进入P区的导带，这个势垒就是内建电势差（Vbi），这个内建电势差维持着载流子之间的平衡。内建电势差大小如图5所示。

图5

 

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       这一篇关于PN结耗尽区的简单描述（也是我第一次发表）就到这里结束啦！后期不定时有其他部分的学习知识点，如果有错误，不合适或者需要改进的地方，欢迎批评指正指导呀！！！喜欢的话就请一键三连，感谢大家，发文章的初心就是打好半导体物理和器件的基础，能进一步学习模拟集成电路。作为一个模拟集成电路的学习者和工作者，路漫漫其修远兮，可以私信加我chat，一起进入模拟IC讨论群，群里资源皆可共享，各种问题相互讨论共同进步！！！为我国的集成电路事业添砖加瓦。人间很美好，但请相信恶魔在人间👿。