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前言
本篇只介绍低功率元器件，电源等大功率元器件不做介绍。此外本文重点是电子元器件的作用，至于元器件怎么做出来的不做过多介绍，感兴趣可以自行百度。其他的话，座子和开关也不做介绍了，毕竟这东西也没啥好介绍的
一、电阻器
1.1 电阻简介
- 电阻的认识
电阻本质上就是将电能转化为内能并释放出去的电子元件，其在电路中对电流有阻碍作用，市面上有各种各样类型的电阻，如下图所示：
如果按功能进行分类的话，电阻大概可以分为以下三类：
最后，电阻在原理图可以用下面符号表示：
- 电阻参数
- 阻值的介绍
我们都知道电阻的计算公式为：R=U/I（单位为欧姆Ω）。在PCB板上最常见的是贴片电阻，而阻值是电阻器最重要的参数，下面我们以贴片电阻做简单的阻值计算介绍（具体电阻阻值计算方法可以自行百度）：
如上图所示，103的阻值为10×10^3=10kΩ，5R60的阻值为5.6Ω。一般情况下可以使用万用表测量阻值，需要注意电阻串并联方式。 - 封装：贴片电阻常用封装大小有0603（表示长0.6英寸，宽0.3英寸，封装基板尺寸为1.6mm x 0.8mm）、0805等等
- 精度：表示实际值与标称值的最大误差，有1%、5%等
1.2 电阻的功能
- 分压、限流
以下图为例，很明显V1对VCC进行了分压，并且R1、R2对LED起限流保护作用
- 温湿度或者气压等测量
这边以可变电阻为例，如热敏电阻，当环境温度改变时，阻值会发生变化，根据温度曲线从而可以计算出实际温度
- 防浪涌
如下面电路，添加压敏电阻，当外界电压很大时，压敏电阻阻值比较小，这样就形成短路起到保护电路的作用
1.3 如何选择电阻
我们在进行电阻选型的时候，主要对其功能和参数进行考量。
在功能上，比如我们需要速度调节，此时选择可变电阻。在PCB板上固定电阻，我们可以选择贴片电阻
在参数上，我们主要对阻值、精度（采样电阻精度要求高点）、功率（同阻值一般封装大的电阻功率会大点）和电压（电压过大电阻可能烧毁）进行选择。
二、电容器
2.1 电容简介
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电容的认识
电容器通俗来讲就是可以容纳电荷量的器件，因此与电阻这种耗能元件不同，电容是一个储能元件，电容的种类有很多，如下图所示，不过常用在PCB板上的就是电解电容与贴片电容
电容在PCB原理图常用以下标识来表示：
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基本参数
- 极性：部分电容有极性比如电解电容，如果反向通电电容可能会受热爆开。
- 容值：C=Q/U（即电容为电容器所带电量Q与电容器两极间的电压U的比值），单位为法拉（farad），标记为F。1F=1000mF=10 ^6 uF=10 ^9 nF=1×10 ^12 pF。如果一个一个电容容值标识为472，则其容值为47×10 ^2 pF=4.7 nF，因为电容基本单位是pF
- 耐压值：在最低环境温度和额定环境温度下可连续加在电容器的最高直流电压有效值，一般直接标注在电容器外壳上，如果工作电压超过电容器的耐压，电容器击穿，造成不可修复的永久损坏。
注意：有些万用表是可以测电容的，但是容值很小时误差很大，不过可以用蜂鸣器档来测量电容好坏，当电容击穿时，蜂鸣器会响
2.2 电容的作用
-
耦合：常用在一些阻容耦合电路中，主要利用电容隔直通交的特性，产生交流通路利用h小信号分析
-
滤波
滤波电容将一定频段内的信号从总信号中去除，其他退耦、旁路等特性我觉得也是一种滤波。通常大电容（1000uF）滤低频，小电容（20pF）滤高频。电容两端电压不会突变，频率越高，电流就越大，从而缓冲了电压。典型的低通滤波电路如下：
-
储能
储能型电容通过整流器手机电容，并将存储的能量通过变换器引线传送至电源的输出端（如自举电路）。电容的储能公式 W=(CU^2)/2。
-
定时：电容充电不是瞬间的，而是缓慢上升到给定电压，有其时间常数τ。常在与电阻组成高通或低通滤波电路中，通过调整阻值和容值达到调整延迟时长
2.3 电容选型
一般情况下要考虑的就是容值和耐压值。通常电解电容的容量比较大，贴片电容精度高、体积小、耐压高。贴片电容的封装越大容值和耐压值越大
滤除不同的频率可以选择不同的容值并联。电容量太大可能会导致充电时间过长、增加功耗，太小可能会导致启动电流比较小。
三、电感器
3.1 电感简介
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电感的认识
电感实际上就是线圈围绕铁心或其他骨架形成的，它是一个电磁感应元器件，由右手螺旋定则可知，它可以抵制电流的变化。与电容特性相反，它基本特性是通直阻交，不过同样是储能器件。
电感的种类有很多，有线圈电感、贴片电感、场效应电感、共模电感等等，如下图所示：
在原理图中可以用下面表示：
-
电感参数
- 电感量：感值用L表示，单位是H，1H=1000mH=10 ^6uH=10 ^9nH。以uH为基本单位，如上面470为47uH
- 阻抗频率：理想电感的阻抗随着频率增加而增加，然而实际电感由于寄生电容和寄生电阻的存在，在一定频率下呈现感性，超过一定频率呈容性，阻抗反而随着频率的增加而减小
- 额定电流Isat：线圈中允许通过的最大电流。在选用电感元件时，若电路流过电流大于额定电流值，则电感就会因发热而使性能参数发生改变，甚至还会因过流而烧毁。
- 品质因素Q：Q为感抗XL与其等效的电阻的比值，即：Q=XL/R。线圈的Q值愈高，回路的损耗愈小。
3.2 电感功能
- 滤波
与电容类似，电感由于通直阻交的特性，在电路中也有滤波的作用。电感的阻抗与频率成正比，电容的阻抗与频率成反比，所以通过并联电容和串联电感的组合可以过滤各种频率信号。电容滤波属于电压滤波，适用于小电流；电感滤波属于电流滤波，适用于大电流 - 振荡
最典型的就是LC震荡回路，如下图所示。它是一个可以产生高频正弦信号的电路，利用电容和电感的储能特性，可以进行能量交替转化
- 定时与储能
定时与储能功能与电容类似，电感的储能公式为W=(LI^2)/2，拿上一小节自举电路举例，Vi虽然是直流，但是通过打开和闭合mos管Q1，就可以形成不断变化的电流，此时电感就可以把能量储存起来
电感选型：其实电感的选择很难，大部分都是根据芯片厂家的推荐电路来选型的，在集成电路中多用于电池的充放电模块电路设计，主要目的就是对电池能量的最大化利用
四、二极管
4.1 二极管的认识
二极管有很多种类，常见的有贴片二极管，发光二极管，如下图所示：
其原理图一般有如下图所示几种表示：
4.2 二极管参数与特性
学过模电的都知道二极管是由PN结构成，具有单向导通性（即正向导通反向截止，稳压管导通特性相反），其伏安特性曲线如下图所示（注意死区概念，下面IGBT会涉及）：
- 导通电压（最重要的参数）：即上图A区电压，一般硅管导通电压为07V，锗管导通电压为0.3V，当二极管导通的时候，它会有相应的管压降
- 反向饱和电流Is：即上图C区电流
- 反向击穿电压：达到反向击穿电压之后，二极管就会失去单向导电性的特性
- 反向工作时间：即从正向导通切换到反向击穿的时间
- 额定电流：正常工作中可以承受的最大电流，超出会烧毁二极管
二极管的好坏可以由万用表测量，有些二极管蜂鸣器档可以切换成二极管档，可以直接测量导通电压。或者测量正反向电阻，如果反向电阻远大于正向电阻则没问题，反之说明二极管坏了
注意：温度越高，导通电压越低
4.3 二极管分类与应用
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开关二极管
几乎所有的二极管都具有开关作用，如下图所示当引脚给低电平时LED灯导通。不过在一些高频开关控制领域会选择肖特基二极管即上面4.1小节中的D2，它的导通截止开关时间比一般二极管短，导通电压也更小
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整流二极管
整流二极管(rectifier diode)一种用于将交流电转变为直流电的半导体器件。如下桥式整流电路图所示，本质上就是就是利用二极管单向导通性，当电压工作在正半周期，电流从2-1经过R后从4-3；负半周期时电流从3-1经过R后从4-2运行
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稳压二极管
稳压二极管，英文名称Zener diode，又叫齐纳二极管。利用PN结反向击穿状态，其电流可在很大范围内变化而电压基本不变的现象，制成的起稳压作用的二极管。所以稳压二极管工作在反向击穿区，其工作电压与普通二极管相反，主要功能就是在电阻两端固定一个区间的电压。如下图SMAJ6.5C就是一个5V稳压管
五、三极管
5.1 三极管简介
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三极管的认识
三极管，全称应为半导体三极管，也称双极型晶体管、晶体三极管，是一种控制电流的半导体器件。种类有很多如下图所示，主要是下图6贴片三极管
三极管是在一块半导体基片上制作两个相距很近的PN结，两个PN结把整块半导体分成三部分，中间部分是基区b，两侧部分是发射区e和集电区c，排列方式有PNP和NPN两种。所以原理图大概分为两种，常见的封装有SOT-23、SOT-223等
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三极管的特性
首要要知道三极管是电流控制开关元器件，所以要了解三极管的伏安特性曲线，先看一下输入特性曲线，如下图所示：
三极管输入特性曲线与二极管类似，也存在死区，硅管的死区电压为0.5V（锗管为0.2V），导通后Ube约为0.7V（锗管为0.3V），Ube会随着Uce的增加而增加。
接下来再看一下输出特性曲线，根据三极管的工作状态可以分为三个区域，如图所示（硅管压降为0.7V，锗管为0.3V）：
- 截止区：指Ib=0以下的区域，此时发射结和集电结处于反向偏置，Ic和Ie此时很小
- 放大区：此区域发射结正向偏置，集电结反向偏置，此时Ic=βIb（β为三极管电流放大倍数）。从图中可以看出，当Uce大于1V时，Uce增加Ic不再明显增加，具有恒流特性
- 饱和区：此区域发射结与集电结都处于正向偏置，此时Ic虽然增加但是不大，所以Ib对Ic失去控制能力
- 三极管的参数
- Icm：集电极最大允许电流，当三极管集电极电流超过一定数值时，电流放大倍数β将下降
- Vceo：三极管开路时，集电极-发射极反向击穿电压
- Pcm：集电极最大允许耗散功率，若耗散功率过大，三极管将烧坏
- Ft：特征频率，随着工作频率的升高，三极管的放大能力会下降，对应β=1时的频率叫特征频率
三极管的测量：在电路中，可以给基极一个电压，看发射极电压变化，没有变化就坏了。至于引脚极性直接搜数据手册更方便
5.2 三极管的功能与应用
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控制开关
这是三极管在集成电路中最常用的一个功能，如下图所示，当RELAY拉高时，三极管导通，此时3脚接地电压为0
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电流放大
利用了三极管放大区的特性，这个一般用在模拟电路中，比如共基、共集放大电路，不过一般情况下会用运算放大电路替代 -
稳压
如下图所示，首先稳压管稳压5.7V，达到开启条件导通三极管，硅管导通压降为0.7V，所以可以输出5V电压
六、MOS管
6.1 MOS管简介
场效应晶体管（Field Effect Transistor缩写(FET)）简称场效应管。主要有两种类型：结型场效应管（junction FET—JFET)和金属 - 氧化物半导体场效应管（metal-oxide semiconductor FET，简称MOS-FET）。由多数载流子参与导电，也称为单极型晶体管。它属于电压控制型半导体器件。具有输入电阻高（107～1015Ω）、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点，现已成为双极型晶体管和功率晶体管的强大竞争者。
与双极型晶体管相比，场效应管具有如下特点：
- 场效应管是电压控制器件，它通过VGS(栅源电压)来控制ID（漏极电流）；
- 场效应管的控制输入端电流极小，因此它的输入电阻（107～1012Ω）很大。
- 它是利用多数载流子导电，因此它的温度稳定性较好；
- 它组成的放大电路的电压放大系数要小于三极管组成放大电路的电压放大系数；
- 场效应管的抗辐射能力强；
- 由于它不存在杂乱运动的电子扩散引起的散粒噪声，所以噪声低。
PCB上常用的是SOT-23封装，实物图如下所示，每一个MOS管都提供有三个电极：Gate栅极（表示为"G"）、Source源极（表示为"S"）、Drain漏极（表示为"D"）。
MOSFET可以被制造成P沟道和N沟道两大类，每一类又分为增强型或者耗尽型，所以MOSFET有四种：N沟道增强型MOSFET、N沟道耗尽型MOSFET、P沟道增强型MOSFET、P沟道耗尽型MOSFET。不过由于导通特性，常用的是增强型MOS管
MOS管主要参数
- VGS(th)(开启电压)：当外加栅极控制电压 VGS 超过 VGS(th) 时，漏区和源区的表面反型层形成了连接的沟道。N沟道：导通时 Vg> Vs,Vgs> Vgs(th)时导通
- VGS(最大栅源电压)：栅极能够承受的最大电压
- RDS(on)(漏源电阻)：导通时漏源间的最大阻抗，它决定了MOSFET导通时的消耗功率。这个值要尽可能的小，因为一旦阻值偏大，就会使得功耗变大。
- VDSS(漏源击穿电压)：漏源击穿电压是指栅源电压VGS 为 0 时，场效应管正常工作所能承受的最大漏源电压。
- ID(导通电流)：最大漏源电流。是指场效应管正常工作时，漏源间所允许通过的最大电流。
判断MOS管好坏：将万用表调至二极管档，将红表笔接在MOS的S极，黑表笔接在D极， 如果这时候万用表显示0.4V~0.9V（二极管特性，不同MOS管有一定差异）电压值，说明这很可能是一个 NMOS；如果没有读数，说明这很可能是一个PMOS。或者将万用表调至蜂鸣器档或者电阻档，将红表笔接在MOS的G极，黑表笔接在S极，蜂鸣器不会响，GS阻抗比较大，代表GS没有击穿损坏。
6.2 MOS管应用
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作开关管用（最常用的功能）
可以I/O控制或者PWM控制开关，如下图所示
-
防反接用
MOS管防反接电路相比二极管防反接电路最大的优势是几乎零压降，二极管的压降一般都0.5V~1V左右，但是MOS管就不一样了，MOS管的内阻很小，小的只有几mΩ。其缺点是成本高、电路略复杂。
-
作电平转换用
如下图所示，3V3 I/O为0时5V I/O输出0，3V3 I/O为3.3V时5V I/O输出5V
MOS管选型：主要考虑的就是导通方式（NMOS或者PMOS）、封装类型（散热性能）、额定电流和开关性能
七、其他元器件
7.1 运放
运算放大器（简称“运放”）是具有很高放大倍数的电路单元。在实际电路中，通常结合反馈网络共同组成某种功能模块。它是一种带有特殊耦合电路及反馈的放大器。其输出信号可以是输入信号加、减或微分、积分等数学运算的结果。运算放大器符号如下图所示：
运算放大器通过不同的反馈回路搭建，可以形成很多用途的电路，如电压比较器、电压跟随器、加减运算电路、差分比例运算电路、积分微分电路等等，不过无论什么电路都会用到“虚短”和“虚断”两个基本概念
- 虚短：输入端电压相等，即Up=Un
- 虚断：输入端电流几乎为0，即In=Ip=0
在实际电路应用里，一般会使用如LM324这种集成运放
7.2 电源器件
7.2.1 电源转换器件
用于转换电压值，通常是将高电压转换成低电压。它具有以下功能：
- 稳压，其输出的电压值很稳定
- 隔离，其输出可以用于多个电路
- 正负电压转换
示例图如下所示，输入5V电压，可以稳定输出3.3V电压
7.2.2 基准电压源
数控基准电压源是当代模拟集成电路极为重要的组成部分，它为串联型稳压电路、A/D和D/A转化器提供基准电压，也是大多数传感器的稳压供电电源或激励源。另外，基准电压源也可作为标准电池、仪器表头的刻度标准和精密电流源。
他的实现方式有很多种，比如电阻分压、齐纳二极管、带隙基准源（采用CMOS，TTL等技术实现）等。
下面以三端并联稳压器TL431举例，其由一个 2.5V 精密基准电压源、一个电压比较器和一个输出开关管组成，基准端的输出电压与精密基准电压源比较，当参考端电压超过2.5V时，TL431立即开启。
7.3 晶振
晶振全名晶体振荡器，顾名思义就是上电时给电路提供时钟频率的。有些芯片自带内部晶振，不过外部晶振可以提供一个更稳定的时钟频率和更高的工作频率。首先看一下贴片晶振与原理图模型，如下图所示：
对于晶振选型而言最重要的就是频率，这个可以根据芯片厂家推荐来选型。一般20MHz以下的晶振属于基频器件，稳定度好；20MHz以上大多数是谐振的，稳定度差
7.4 继电器
继电器（英文名称：relay）是一种电控制器件，是当输入量（激励量）的变化达到规定要求时，在电气输出电路中使被控量发生预定的阶跃变化的一种电器。它具有控制系统（又称输入回路）和被控制系统（又称输出回路）之间的互动关系。通常应用于自动化的控制电路中，它实际上是用小电流去控制大电流运作的一种“自动开关”。其实物图和原理图如下所示：
继电器总类有很多，不过按按控制方式分直流继电器和交流继电器，我们集成电路里常用的就是直流继电器，最主要的功能就是实现电平转换，相比于MOS管，他的优点是可以实现电气隔离，防止打坏主芯片，同时也可以通过更大的电流，如下图所示电路，RELAY给个高电平，就可以切换到15V供电
7.5 光耦
光电耦合器是以光为媒介传输电信号的一种电一光一电转换器件。它由发光源和受光器两部分组成。把发光源和受光器组装在同一密闭的壳体内，彼此间用透明绝缘体隔离。发光源的引脚为输入端，受光器的引脚为输出端，常见的发光源为发光二极管，受光器为光敏二极管、光敏三极管等等。如下图所示：
光耦的功能与继电器类似，可以实现电路的电气隔离，但是相比于继电器，光耦有以下优点：
- 开关速度：光耦最高可达百万次，而继电器最高只有几十次
- 总开关次数：光耦可以开关无数次，而继电器寿命大概10万次
接下来介绍简单的光耦电路，用光耦开关继电器
7.6 保险丝（熔断器）
如上图所示是一些贴片保险丝，保险丝在电路中通常用来过流保护或者过热保护，有可恢复保险和不可恢复保险之分，其选型参数如下：
- 熔断时间：达到保护条件到熔断的时间
- 额定电流：比如5A的保险丝，低于5A电流不会熔断，达到5A后开始熔断
- 额定电压：断开后保险丝可以承受的最大电压
7.7 变压器
变压器（Transformer）是利用电磁感应的原理来改变交流电压的装置，主要构件是初级线圈、次级线圈和铁芯（磁芯）。主要功能有：电压变换、电流变换、阻抗变换、隔离、稳压（磁饱和变压器）等，结构上主要有隔离变压器和普通变压器之分。贴片变压器如下图所示：
变压器工作原理类似两个电感产生互感效应，如下图所示，所以变压器基本功能是升压和降压
但是升压和降压是高压交流电才会用到的，在集成电路一般还有以下功能
-
隔离驱动
双端变压器耦合栅极驱动电路可同时驱动两个MOS管，多用于高功率半桥和全桥转换器中，其电路结构如图，同时也可以防止MOS击穿打坏IC
-
稳压
VPT85BB-01A 与 VPS8504B 组合使用，可实现 5V 输入，5V 输出，功率不大于 1W 的非稳压电源解决方案，可用于各种需要隔离供电的场合。
-
反激电路
类似之前用电感的自举升压电路
7.8 IGBT
绝缘栅双极晶体管（Insulate-Gate Bipolar Transistor），是由三极管和MOS组成的复合控制电压驱动式功率半导体器件，具有MOSFET的高输入阻抗和三极管的低导通压降两方面的优点。如下图所示：
IGBT的应用范围一般都在耐压600V以上、电流10A以上、频率为1kHz以上的区域。多使用在工业用电机、民用小容量电机、变换器（逆变器）、照相机的频闪观测器、感应加热（InductionHeating）电饭锅等领域。功能与MOS和三极管类似，这里不多介绍了
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