陈春章数字集成电路物理设计阅读笔记

CIW，command in window
纳米设计中，要OPC（optical proximity correcttion，光学近似检查），PSM（移相掩模，phase shifting masks）
WC（worst case）进行建立时间的检查
时钟频率快时，要注意PAE（工艺天线效应）。收集空间电荷的金属又称工艺天线。
签核GDSII
时序收敛
trial route 实验布线法
静态时序分析STA
DRC design rule check
LVS layout versus schematic 验证版图和电路原理图的电路结构是否一致
MUX multiplexer
PTV：process（工艺），temperature（温度）,voltage（电压）
版图规划-布局-布线
sdc标准设计约束
芯片面积较大，时序较为紧张时，可以用flip-chip(倒置封装)，即IO放在芯片中间
电源环参数：宽度，间距，对数。
宽线要打孔散热，slotting和spliting，因此电源环不能太宽。



transition沿变
setup时间受slow影响，hold时间受fast影响